露区Illb位于该第三显露区Illd及该设置区Illa之间，借由该第三显露区的Illd的设置可让封装制造过程中具有裕度，可提高封装制造过程的合格率。
[0082]请参阅图12，为本实用新型的第四实施例，其与该第一实施例的差异在于该下基板100的该下底板110另具有下凸出部112，该设置区Illa及该第一显露区Illb位于该下凸出部112的表面，请参阅图13，为本实用新型的第五实施例，其与该第一实施例的差异在于该上基板300另具有上底板330，该上底板330具有上凸出部331，该接合表面310为该上凸出部331的表面，本实用新型的该第四实施例及该第五实施例借由该下凸出部112或该上凸出部331的设置以提高该中空腔室C的高度，可容置高度较高或是需要垂直作动的该电子元件E。
[0083]本实用新型借由步骤11至步骤15的封装制造过程形成具有中空腔室的半导体封装结构A，其中该下基板100借由回焊所述焊球B所形成的该接合层200与该上基板300连接，由于所述焊球B的该直径D可达微米等级，因此可有效降低该下金属层120的宽度，进而缩小该具有中空腔室的半导体封装结构A尺寸，同时借由该角隅121的该外连接面121c的设置，以提高该接合层200的共面性及该下基板100与该上基板300的密合度。
[0084]本实用新型的保护范围当视申请专利的权利要求书的范围所界定为准，任何熟知此项技艺者，在不脱离本实用新型的精神和范围内所作的任何变化与修改，均属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种具有中空腔室的半导体封装结构，其特征在于其包含: 下基板，具有下底板及下金属层，该下底板具有表面，该表面具有设置区、至少一个第一显露区及第二显露区，该设置区为封闭回路，且该设置区围绕该第二显露区，该下金属层形成于该设置区，该下金属层具有至少一个角隅，该角隅具有第一外侧面、第二外侧面及外连接面，该外连接面连接该第一外侧面及该第二外侧面，且该外连接面位于该第一外侧面及该第二外侧面之间，该第一外侧面具有第一底边，该第一底边具有第一端点，该第一端点延伸形成第一延伸线，该第二外侧面具有第二底边，该第二底边具有第二端点，该第二端点延伸形成第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成相交点，连接该相交点、该第一端点及该第二端点所形成的区域为该第一显露区； 接合层，形成于该下金属层上；以及 上基板，具有接合表面，该接合表面连接该接合层，使该上基板及该下基板之间形成中空腔室。2.根据权利要求1所述的具有中空腔室的半导体封装结构，其特征在于:其中该下金属层的该角隅另具有相对于该第一外侧面的第一内侧面及相对于该第二外侧面的第二内侧面，该第一内侧面及该第二内侧面面向该第二显露区，该第一外侧面及该第一内侧面之间具有第一宽度，该第一宽度为该第一外侧面及该第一内侧面的最短距离，该第二显露区的边缘及该外连接面之间具有连接宽度，该连接宽度为该第二显露区的边缘及该外连接面的最短距离，该第一宽度与该连接宽度的比率介于1:0.8至1: 1.4之间。3.根据权利要求2所述的具有中空腔室的半导体封装结构，其特征在于:其中该角隅另具有相对于该外连接面的内连接面，该内连接面连接该第一内侧面及该第二内侧面，且该内连接面位于该第一内侧面及该第二内侧面之间，该内连接面及该第一内侧面之间具有夹角，该夹角小于180度。4.根据权利要求1所述的具有中空腔室的半导体封装结构，其特征在于:其中该接合层由多个焊球回焊形成。5.根据权利要求1所述的具有中空腔室的半导体封装结构，其特征在于:其中该下底板另具有下凸出部，该设置区及该第一显露区位于该下凸出部的表面。6.根据权利要求1所述的具有中空腔室的半导体封装结构，其特征在于:其中该上基板具有上金属层，该上金属层形成于该上基板的该接合表面，该接合表面经由该上金属层连接该接合层。7.根据权利要求6所述的具有中空腔室的半导体封装结构，其特征在于:其中该上基板另具有上底板，该上底板具有上凸出部，该接合表面为该上凸出部的表面。8.根据权利要求1所述的具有中空腔室的半导体封装结构，其特征在于:其中该下底板的该表面另具有第三显露区，该第三显露区围绕该设置区及该第一显露区，且该第一显露区位于该第三显露区及该设置区之间。9.一种具有中空腔室的半导体封装结构的下基板，其特征在于其包含: 下底板，具有表面，该表面具有设置区、至少一个第一显露区及第二显露区，该设置区为封闭回路，且该设置区围绕该第二显露区；以及 下金属层，形成于该设置区，该下金属层具有至少一个角隅，该角隅具有第一外侧面、第二外侧面及外连接面，该外连接面连接该第一外侧面及该第二外侧面，且该外连接面位于该第一外侧面及该第二外侧面之间，该第一外侧面具有第一底边，该第一底边具有第一端点，该第一端点延伸形成第一延伸线，该第二外侧面具有第二底边，该第二底边具有第二端点，该第二端点延伸形成第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成相交点，连接该相交点、该第一端点及该第二端点所形成的区域为该第一显露区。10.根据权利要求9所述的具有中空腔室的半导体封装结构的下基板，其特征在于:其中该下金属层的该角隅另具有相对于该第一外侧面的第一内侧面及相对于该第二外侧面的第二内侧面，该第一内侧面及该第二内侧面面向该第二显露区，该第一外侧面及该第一内侧面之间具有第一宽度，该第一宽度为该第一外侧面及该第一内侧面的最短距离，该第二显露区的边缘及该外连接面之间具有连接宽度，该连接宽度为该第二显露区的边缘及该外连接面的最短距离，该第一宽度与该连接宽度的比率介于1:0.8至1: 1.4之间。11.根据权利要求10所述的具有中空腔室的半导体封装结构的下基板，其特征在于:其中该下金属层的该角隅另具有相对于该外连接面的内连接面，该内连接面连接该第一内侧面及该第二内侧面，且该内连接面位于该第一内侧面及该第二内侧面之间，该内连接面及该第一内侧面之间具有夹角，该夹角小于180度。12.根据权利要求9所述的具有中空腔室的半导体封装结构的下基板，其特征在于:其中该下底板另具有下凸出部，该设置区及该第一显露区位于该下凸出部的表面。13.根据权利要求9所述的具有中空腔室的半导体封装结构的下基板，其特征在于:其中该下底板的该表面另具有第三显露区，该第三显露区围绕该设置区及该第一显露区，且该第一显露区位于该第三显露区及该设置区之间。
【专利摘要】本实用新型是有关于一种具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板，该具有中空腔室的半导体封装结构包含下基板、接合层及上基板，该下基板具有下底板及下金属层，该下金属层形成于该下底板的设置区，该下金属层具有至少一个角隅，该角隅具有第一外侧面、第二外侧面及外连接面，该第一外侧面的第一端点延伸形成第一延伸线，该第二外侧面的第二端点延伸形成第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成相交点，该相交点、该第一端点及该第二端点形成的区域为该表面的第一显露区，该接合层形成于该下金属层，该上基板连接该接合层，使该上基板及该下基板之间形成中空腔室。本实用新型提供的技术方案可有效地避免污染并提高接合层表面共面性。
【IPC分类】H01L21/56, H01L23/31, H01L23/13
【公开号】CN204857703
【申请号】CN201520631597
【发明人】施政宏, 谢永伟, 林淑真, 何馥言, 陈彦廷
【申请人】颀邦科技股份有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月20日