300°C的温度范围内 烧结180~300分钟，自然冷却，得到瓷体即电瓷介质；
[0040] 步骤6、被银：将步骤5得到的电容被银后在700°C~750°C的温度范围内烧渗银， 在电容两端银面的中心粘接电极，确认合格后备存；
[0041] 步骤7、包封：将步骤6得到的电容进行环氧树脂浇注，使电容器周围包裹一层环 氧隔离层，使产品在空气中依然保持良好的绝缘性。
[0042] 进一步地，优选的是，步骤1)中，以SrTi03、PbTi03与Bi203nTi02三个组分的总 质量为100 %，MgC03的添加量为该三种组分总质量的IWt%~5Wt%，Re(OH) 3的添加量为 该三种组分总质量的0.IWt%~I. 5Wt%。
[0043] 在一个具体实施例中，其实用新型目的在于特定尺寸，制作一高于常规耐压水平 的电容器，普通尺寸下每毫米耐压2kV电压，经过整体工艺改善，每毫米耐压提高至3. 5kV。
[0044] 以此次试验片为例：当瓷体高25mm,直径32mm的圆柱瓷体耐受电压50kV/lmin合 格率为85%，而改用新型结构后，瓷体外侧高度仍为25mm，耐受电压提高到75kV/lmin合 格率为95%。
[0045] 其详细的制作步骤如下：
[0046]步骤1、配料：介质材料的组分由SrTi03、PbTi03、Bi203 nTi02、MgC03、Re(0H)3组 成，SrTi03、PbTi03、Bi203 nTi02的总摩尔为100%，其中，SrTi03的摩尔百分比为68%~ 80% ;PbTi03的摩尔百分比为12%~22% ;Bi203 nTi02的摩尔百分比为8%~15% ;
[0047] 以SrTi03、PbTi03与Bi203 nTi02三个组分的总质量为100%，MgC03的添加量为 该三种组分总质量的IWt %~5Wt %，Re(OH) 3的添加量为该三种组分总质量的0.1 Wt %~ I. 5fft%,
[0048] 按照上述比例进行配比，称量好上述各原料组分，以去离子水为介质全部加入球 磨机中球磨5-7小时后，使其粒度大约在Iym左右时进行干燥使其各原料能够充分混合， 得到粉料；
[0049] 步骤2、预烧：将步骤1干燥后的粉料在900°C~1150°C的温度范围内，预烧结 60~300分钟，自然冷却，得到烧结料；
[0050] 步骤3、造粒：将步骤2得到的烧结料以去离子水为介质，在搅拌磨中球磨3-5小 时后，加入粘合剂，分散剂等助剂使其搅拌均匀。利用喷雾塔进行喷雾造粒，得到尺寸均一 的料粒；
[0051] 步骤4、成型：将步骤3得到的料粒在5~20Mpa的压强下用改型过的模具进行干 压成型，附凹台成型工具，得到凹台型坯体；
[0052] 步骤5、烧结：将步骤4得到的坯体装入匣钵中，在1200°C~1300°C的温度范围内 烧结180~300分钟，自然冷却，得到瓷体即电瓷介质；
[0053] 步骤6、被银：将步骤5得到的电容被银后在700°C~750°C的温度范围内烧渗银， 在电容两端银面的中心粘接电极，确认容量介损合格后备存；
[0054] 步骤7、包封：将步骤6得到的电容进行环氧树脂浇注，使电容器周围包裹一层环 氧隔离层。使产品在空气中依然保持良好的绝缘性。
[0055] 步骤8、测试：将步骤7得到的电容经过后固化，老化处理，根据需要进行例行试验 或者型式试验。
[0056] 表格1试验内容
[0057]
[0058] 四、实施范例
[0059] 实施例1~6的组分及含量对照表（摩尔比含量单位均为％ )
[0060] 表格2组分及含量对照表
[0061]
[0062] 注：51!103、？131103、81203.111102三者合计总摩尔比为100%。
[0063] 首先按照上表将各种原料在电子天平上称量准确后倒入球磨罐，球磨6小时后， 观察粒径合格后取出烘干成为一次料。然后将一次料装在粉料钵内经隧道炉在900°C下预 烧1小时，使粉料充分反应。待冷却后二次倒入球磨罐进行球磨3小时即可，加入粘合剂 CMC，分散剂等。待混合均匀后就可以开始进入喷雾塔喷雾造粒，待收集出来就是粉料了。 然后经油压机通过模具压制成上图带凹台的坯体（直径40,高度30)，坯体装入匣钵经过隧 道炉1250°C下烧制4小时，待烧成的瓷体冷却，印银后再在750°C的高温下烧制，就是电容 器芯了。电容器芯两端200°C焊锡粘接铜端子，用E51环氧配合酸酐固化剂将电容器芯在 120°C下4小时进行包封，待冷却后就是完整的电容器。这时候经过100°C加热10小时充分 让电容器后固化和老化后就可以进行测试了。
[0064] 测试结果：
[0065] 将实施例1~6得到的陶瓷电容器在额定条件下，使用下述方法测定各性能参数， 包括电容量（Cap)、介质损耗（tg5)、直流绝缘电阻（IR)、交流耐受电压、局部放电量、电压 容量特性、温度容量特性，各组实施例的测试数据如表3所示。
[0066] 表格3测试数据
[0067]
[0068] 使用直流1000V电压测试直流绝缘电阻（IR)。
[0069] 使用高压局部放电量测试仪测试局部放电量。
[0070] 使用LRC电桥测试5V、1000Hz时的静电容量与介损；
[0071] 使用高压西林电桥在1000V?AC~15kV?AC内以1000V?AC为基准的电压容量 特性。
[0072] 使用交流高电压设备测试其交流耐受电压。
[0073] 使用LRC电桥测试以+25°C为基准，-25°C~+85°C的电容量变化率。
[0074] 由表2的结果可知，使用本实用新型的陶瓷电容器显著提高了耐压强度，并且在 交流高压条件下具有大容器，低损耗，高耐压的特性、局部放电起始电压高、电压容量特性 变化小、温度-容量变化率小。
[0075] 需要说明的是，对于上述方法实施例而言，为了简单描述，故将其都表述为一系列 的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为 依据本申请，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知 悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本申请 所必须的。
[0076] 最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本 实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员 来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征 进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均 应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种凹面极板结构的陶瓷电容器，其特征在于，包括：电容器本体部，所述电容器本 体部内设芯体，且外包环氧包封层，其中，所述陶瓷芯体，其中心到边缘，厚度逐渐增厚。2. 根据权利要求1所述的凹面极板结构的陶瓷电容器，其特征在于，所述电容器本体 部，其形状为凹面或者凹台。3. 根据权利要求1或2所述的凹面极板结构的陶瓷电容器，其特征在于，所述电容器本 体部，其为上下凹台、平滑凹或者棱角凹形状。
【专利摘要】本实用新型公开了一种凹面极板结构的陶瓷电容器，包括：电容器本体部，所述电容器本体部内设芯体，且外包环氧包封层，其中，所述陶瓷芯体，其中心到边缘，厚度逐渐增厚。本实用新型采取了以上方案以后，由于其结构上的以上设计，其最终的产品能够改善边缘疏松的状况，进而提高了圆片陶瓷电容的耐电压水平。
【IPC分类】H01G4/005, H01G4/12
【公开号】CN204884883
【申请号】CN201520579733
【发明人】乔双健, 李宁, 袁兵
【申请人】西安健信电力电子陶瓷有限责任公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月4日