电子器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子器件和形成电子器件的方案，更特别地，涉及包含隔离结构的电子器件和形成它的过程。
【背景技术】
[0002]电子器件可包含可能易于在正常操作期间不出现的静电放电或其它事件中受损的部件和结构。这种部件和结构不应承受不可逆的损伤或者应将事件限制到局部化的区域。希望不断改善电子器件，以使其耐受静电放电和其它事件，而不损伤电子器件的其它部分或者导致电子器件的其它部分不适当地操作。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。
[0004]根据本实用新型的一个方面，提供了一种电子器件，包括:具有主表面的半导体层；和隔离结构。所述隔离结构包含:处于所述半导体层内并且具有第一导电类型的第一阱区域；处于所述半导体层内并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二阱区域；和处于所述半导体层内并且具有所述第一导电类型的第三阱区域。其中，所述第二阱区域被设置在所述第一阱区域和所述第三阱区域之间，并且，所述第一阱区域、所述第二阱区域和所述第三阱区域相互电连接。
[0005]根据一个实施例，上述电子器件还包括:所述第一阱区域内的第一重度掺杂区域；所述第二阱区域内的第二重度掺杂区域；所述第三阱区域内的第三重度掺杂区域；和直接接触所述第一重度掺杂区域、所述第二重度掺杂区域和所述第三重度掺杂区域中的每一个的导电部件。
[0006]根据一个实施例，上述电子器件还包括电子构件，其中，所述电子构件沿横向被所述隔离结构包围。
[0007]根据一个实施例，所述电子构件包含晶体管、电容器、二极管、电阻器或者它们的任意的组合。
[0008]根据一个实施例，上述电子器件还包括:基板；设置在所述基板与所述电子构件之间的埋入导电区域；和从所述半导体层的所述主表面向所述埋入导电区域延伸的导电区域。其中，所述隔离结构被设置在所述电子构件与所述导电区域之间，并且，所述埋入导电区域和所述导电区域具有所述第二导电类型并且相互电连接。
[0009]根据一个实施例，所述导电区域与电源端子耦合。
[0010]根据一个实施例，上述电子器件还包括设置在所述隔离结构与所述电子构件之间的第一场隔离区域。
[0011 ] 根据一个实施例，上述电子器件还包括第二场隔离区域，其中，所述第一场隔离区域邻接所述第一阱区域，并且，所述第二场隔离区域邻接所述第三阱区域。
[0012]根据一个实施例，上述电子器件还包括设置在所述埋入导电区域与所述第一阱区±或、所述第二阱区域和所述第三阱区域之间的降低表面电场区域。
[0013]根据本实用新型的另一个方面，提供了一种电子器件，包括:基板；覆盖基板并具有主表面和第一导电类型的半导体层；和隔离结构。所述隔离结构包含:处于所述半导体层内并且具有第一导电类型的第一阱区域；处于所述半导体层内并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二阱区域；和处于所述半导体层内并且具有所述第一导电类型的第三阱区域。上述电子器件还包括:设置在所述基板与所述基板的主表面之间的埋入掺杂区域；从所述半导体层的所述主表面向所述埋入掺杂区域延伸的沉降区域；设置在所述埋入掺杂区域与所述第一阱区域、所述第二阱区域和所述第三阱区域之间的第一降低表面电场区域；位于电子构件与所述埋入掺杂区域之间的第二降低表面电场区域；第一场隔离区域和第二场隔离区域，其中，所述隔离结构被设置在所述第一场隔离区域和所述第二场隔离区域之间；和沿横向被所述隔离结构以及所述第一场隔离区域和所述第二场隔离区域包围并且覆盖所述埋入掺杂区域的所述电子构件。其中，所述埋入掺杂区域和所述沉降区域具有所述第二导电类型并且相互电连接，并且，所述埋入掺杂区域和所述沉降区域中的每一个由所述半导体层的一部分与所述隔离结构分开。
[0014]根据本实用新型的实施例的一个有益技术效果是:电子器件可有助于允许静电放电或类似事件中的更多电子在电子不成为问题的位置流动。
【附图说明】
[0015]图1包括包含半导体层和场隔离区域的工件的一部分的断面图的图示。
[0016]图2包括在隔离区域内形成阱区域和降低表面电场(resurf)区域之后的图1的工件的断面图的图示。
[0017]图3包括在阱区域内形成重度掺杂区域之后的图1的工件的断面图的图示。
[0018]图4包括图3的工件的混合透视、断面图的图示。
[0019]图5包括形成导电部件以相互电连接阱区域之后的图3的工件的断面图的图示。
[0020]图6包括包含隔离区域内的隔离结构和保护区域内的η沟道横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的工件的一部分的断面图的图示。
[0021]图7包括包含隔离区域内的隔离结构和保护区域内的P沟道横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的工件的一部分的断面图的图示。
[0022]图8包括包含隔离区域内的隔离结构和保护区域内的霍尔(Hall)传感器的工件的一部分的断面图的图示。
[0023]图9包括根据这里描述的实施例的包含隔离结构的创新电子器件的工件的一部分的断面图及其与其它层和区域的关系的图示。
[0024]图10包括包含隔离结构的比较器件的工件的一部分的断面图及其与其它层和区域的关系。
[0025]图11包括随参照图9和图10示出和描述的器件的基极端子和发射极端子之间的电压差而变的流过基极与集电极端子的电流的分数的曲线。
【具体实施方式】
[0026]通过例子示出实施例，并且，实施例不限于附图。
[0027]本领域技术人员可以理解，图中的要素是出了简化和阐明的目的被示出的，并且，未必按比例绘制。例如，图中的要素中的一些的尺寸可相对于其它要素被放大，以帮助增进对本实用新型的实施例的理解。
[0028]提供以下结合附图的描述以帮助理解在这里公开的教导。以下的讨论将关注教导的特定实现和实施例。提供这种关注以帮助描述并且不应解释为限制教导的范围或适用性。而是，可基于在本申请中公开的教导使用其它的实施例。
[0029]术语“正常操作”和“正常操作状态”指的是设计电子构件或器件以使其操作的条件。可从关于电压、电流、电容、电阻或其它电气参数的数据表或其它信息获得该条件。因此，正常操作不包含在其设计极限以外使电气部件或器件操作。
[0030]术语“包括”、“包含”、“含有”、“具有”或其任何变更方式要覆盖非排他性的包括。例如，包含一系列的特征的方法、物品或装置未必仅限于这些特征，而可包括没有明确列出或者这些方法、物品或装置固有的其它特征。并且，除非明确相反陈述，否则，“或者”指的是包含性的或者而不是排他性的或者。例如，通过以下情况中的任一个满足条件A或B:A成立(或者存在)且B错误(或者不存在)；A错误(或者不存在)且B成立(或者存在)；A和B均成立(或存在)。
[0031]并且，使用“一个”或“一种”以描述这里描述的要素和部件。这仅是为了方便，并且，给出本实用新型的范围的一般意义。除非清楚地意味着另外的情况，否则该描述应被理解为包括一个、至少一个，或者单数也包括多数，反之亦然。例如，当在描述描述单个项目(item)时，作为单个项目的替代，可以使用多于一个的项目。类似地，在这里描述多于一个的项目的情况下，单个项目可以替代该多于一个的项目。
[0032]除非另外限定，否则，在这里使用的所有技术和科学术语具有本领域技术人员一般理解的相同意思。材料、方法和例子仅是解释性的，而不是要限制。在这里没有描述的关于特定材料和处理的许多细节是常规性，并且可在半导体和电子领域内的教科书和其它来源中找到。
[0033]电子器件可包括具有主表面的半导体层和隔离结构。隔离结构可包含处于半导体层内并且具有第一导电类型的第一阱区域、处于半导体层内并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二阱区域和处于半导体层内并且具有第一导电类型的第三阱区域。第二阱区域可被设置在第一和第三阱区域之间。第一、第二和第三阱区域可相互电连接。电子器件可有助于允许静电放电或类似事件中的更多电子在电子不成为问题的位置流动。可在不改变现有掩模的情况下实现形成电子器件的过程。因此，在特定的实施例中，不对处理流程添加附加的处理操作。
[0034]图1?5示出形成根据实施例的隔离结构的简化过程。隔离结构横向包围形成电子构件的保护区域。为了简化，这种电子构件没有被示出，以简化隔离结构及其形成的理解。当可与电子构件的多个部分同时形成隔离结构的多个部分时，偶尔提到电子构件。
[0035]图1包括包含半导体层10和场隔离区域12和14的工件的一部分的断面图的图示。半导体层10可以为晶片或通过或者不通过中间层在基板上形成的半导体层的形式。半导体层10可以被轻度η型或P型掺杂。在本说明书中，重度掺杂要意味着至少IXlO9原子/立方厘米(cm3)的峰值掺杂剂浓度，轻度掺杂要意味着小于I X 19原子/cm3的峰值掺杂剂浓度。在实施例中，半导体层10包含诸如硼的P型掺杂剂。在特定的实施例中，基板具有I X 113?I X 10 17原子/cm3的范围中的掺杂剂浓度。
[0036]场隔离区域12和14可形成为浅沟槽隔离区域。在另一实施例中，可