电子器件的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及电子器件的领域。
【背景技术】
[0002]—些电子器件包括板，该板包括厚的衬底后层、薄的衬底前层以及在衬底后层与衬底前层之间的薄的电介质中间层。电子结构在衬底前层上并且包括电子部件和电气连接。
[0003]通常，衬底由硅制成并且隐埋的电介质中间层由二氧化硅制成。隐埋的电介质中间层由离子注入获得。
[0004]在这样的电子器件中，电容親合存在于后层与电子结构之间。该电容親合引起电子结构的操作干扰，特别是当电子结构使用振荡信号时。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型有待解决的技术问题在于提供一种能够减小电容耦合引起的干扰的电子器件。
[0006]本实用新型的一个方面公开了一种电子器件，其包括:后板，所述后板包括衬底后层、衬底前层以及在所述衬底后层与所述衬底前层之间的电介质中间层；电子结构，所述电子结构在所述衬底前层上并且包括电子部件和电气连接；以及所述衬底后层包括至少一个实心的局部区域以及至少一个空心的局部区域，其中所述至少一个空心的局部区域在所述衬底后层的整个厚度上延伸，使得所述衬底后层并不覆盖所述电介质中间层的后面的至少一个局部区带，其中所述至少一个局部区带对应于所述至少一个空心的局部区域。
[0007]根据本公开的一个实施例，所述电子结构可以包括至少一个外部电气接触焊盘；并且其中所述至少一个实心的局部区域在所述后板的整个厚度上延伸并且置于所述至少一个外部电气接触焊盘之上。
[0008]根据本公开的一个实施例，所述至少一个空心的局部区域可以置于所述电子结构的所述电子部件的至少一个电子部件之上。
[0009]根据本公开的一个实施例，可以进一步包括填充所述至少一个空心的局部区域的至少一种电介质填充材料。
[0010]根据本公开的一个实施例，所述至少一个实心的局部区域可以具有后面;并且其中所述至少一种电介质填充材料具有与所述至少一个实心的局部区域的所述后面对准的后面。
[0011]根据本公开的一个实施例，所述至少一个实心的局部区域可以具有后面;其中所述电介质填充材料覆盖所述至少一个实心的区域的所述后面;并且其中所述电介质填充材料具有与所述至少一个实心的局部区域的所述后面平行的后面。
[0012]根据本公开的一个实施例，可以进一步包括在所述至少一种电介质填充材料和所述至少一个实心的局部区域与所述电介质中间层之间的中间层。
[0013]根据本公开的一个实施例，所述至少一个实心的局部区域可以包括多个柱以及蜂巢形分区中的至少一者。
[0014]本实用新型的一个方面公开了一种电子器件，其包括:后板，所述后板包括衬底后层、衬底前层以及在所述衬底后层与所述衬底前层之间的电介质中间层;在所述衬底前层上的电子结构，所述电子结构包括至少一个外部电气接触焊盘、电子部件以及电气连接；以及所述衬底后层包括至少一个实心的局部区域以及至少一个空心的局部区域，其中所述至少一个空心的局部区域在所述衬底后层的整个厚度上延伸，使得所述衬底后层并不覆盖所述电介质中间层的至少一个局部区带，所述至少一个空心的局部区域置于所述电子部件的至少一个电子部件之上，并且其中所述至少一个实心的局部区域在所述后板的整个厚度上延伸并且置于所述至少一个外部电气接触焊盘之上。
[0015]根据本公开的一个实施例，可以进一步包括填充所述至少一个空心的局部区域的至少一种电介质填充材料。
[0016]根据本公开的一个实施例，所述至少一个实心的局部区域可以具有后面;并且其中所述至少一种电介质填充材料具有与所述至少一个实心的局部区域的所述后面对准的后面。
[0017]根据本公开的一个实施例，所述至少一个实心的局部区域可以具有后面;其中所述电介质填充材料覆盖所述至少一个实心的区域的所述后面;并且其中所述电介质填充材料具有与所述至少一个实心的局部区域的所述后面平行的后面。
[0018]根据本公开的一个实施例，可以进一步包括在所述至少一种电介质填充材料和所述至少一个实心的局部区域与所述电介质中间层之间的中间层。
[0019]根据本公开的一个实施例，所述至少一个实心的局部区域可以包括多个柱以及蜂巢形分区中的至少一者。
[0020]通过本实用新型的各个实施例，其实现的技术效果主要在于通过对电子器件的结构进行改进而使得其屏蔽效果得到增强。
【附图说明】
[0021]电子器件和制作的对应方法现在将通过由附图图示的非限制性的示例实施例进行描述，在附图中：
[0022]图I表示在初始状态中的穿过电子器件的部分截面；
[0023]图2表示根据方法步骤的穿过图I的电子器件的截面；
[0024]图3表示根据另一方法步骤的穿过图I的电子器件的截面；
[0025]图4表不图3的电子器件的后视图；
[0026]图5表示根据另一方法步骤的穿过图I的电子器件的截面；
[0027]图6表示根据另一方法步骤的穿过图I的电子器件的截面；
[0028]图7表示根据另一方法步骤的穿过图I的电子器件的截面；
[0029]图8表示根据方法变化的穿过图I的电子器件的截面；
[°03°]图9表不图8的电子器件的后视图；以及
[0031]图10表示根据另一方法变化的图I的电子器件的后视图。
【具体实施方式】
[0032]在图I中图示了处于初始状态的电子器件I的一部分。电子器件I通常包括晶片2，该晶片2包括随后将从晶片单独切下的多个相邻电子器件。
[0033]电子器件I包括后板2，其包括衬底后层4、薄的衬底前层5以及在后层与前层之间的薄的电介质中间层6。
[0034]板3由硅制成并且隐埋，电介质中间层6由二氧化硅制成。中间层6可以通过在后板3中的深度上的离子注入获得。
[0035]电子器件I进而包括在衬底前层5上产生的电子结构7。电子结构7包括在衬底前层5上产生的多个电子部件8，以及作为在多个金属级上的层10形成的电气连接网络9。
[0036]在最后的金属级中，电气连接网络9包括用于外部电气接触的多个前焊盘11。电子部件8可以是晶体管、开关、电阻器、二极管、存储器、电容器或其它电子部件。
[0037]通常，电子部件8被置于电子器件I的中间区带中，并且前焊盘11被置于该中间区带与电子器件I的边缘之间的周界区带中。但是，前焊盘9可以被置于电子器件I的中间区带中而优选地没有任何部件在这些焊盘之下。
[0038]将被应用至电子器件I的处理货方法现在将进行描述。如图2中所示，电子器件I被安装在支撑晶片12上。这通过以临时方式将电子结构9的前面13通过粘合层12a固定到支撑晶片12上而完成。
[0039]接下来，通过光刻，掩膜15被产生在电子器件I的后面14上，掩膜15因而例如展现一个或多个通过开口 16。换言之，在后板3的衬底后层4的后面上。
[0040]接下来，如图3所示，通过掩膜15的开口 16对衬底后层4采取化学侵蚀或处理，下至电介质中间层6。电介质中间层6形成待处理的屏障。
[0041]由此，其接下来的是后层4随后包括一个或多个实心局部区域17和一个或多个空心局部区域18。每个空心局部区域18可以在衬底后层4的整个或全部厚度上被塑造。关于电子器件I的表面，实心局部区域或多个区域17以及空心局部区域或多个区域18是互补的。
[0042]以该方式，被挖空的衬底后层4因而不再覆盖电介质中间层6的后面的一个或多个局部区带19。这对应于中空局部区域或多个区域18。
[0043]根据图3和图4中所示的示例性实施例，衬底