一种高性能磁阻器件的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及一种高性能磁阻器件。
【背景技术】
[0002]现有技术中的长条形磁阻器件，由于霍尔效应，正负电荷会分别在磁阻器件的两侧聚集，因此会在磁阻器件上设置多个从其一侧向另一侧延伸的短路条9来消除聚集电荷，如附图1，然而此种方法并不能完全消除聚集电荷，在短路条之间处仍会有残余电荷，因此效果有限。物理上，科比诺圆盘具有最高的磁阻效应。但由于输入电阻很小，而无法实际应用。
【实用新型内容】
[0003]为克服上述缺点，本实用新型的目的在于提供一种高性能磁阻器件。
[0004]为了达到以上目的，本实用新型采用的技术方案是:一种高性能磁阻器件，它包括基底、在基底之上的依次排布的多个InSb薄膜圆盘、在InSb薄膜圆盘之上的环形电极、在InSb薄膜圆盘之上并位于环形电极内侧的中心电极、在环形电极之上并部分覆盖环形电极的绝缘膜，高性能磁阻器件还包括第一电极、第二电极以及多个连接电极，设InSb薄膜圆盘为η个，连接电极为n+1个，η > 2，并设1<χ < η，η和χ均为整数，第I个连接电极的一端与第一电极相连接，另一端跨过位于第I个InSb薄膜圆盘上的绝缘膜并与第I个InSb薄膜圆盘上的中心电极相连接，第X个连接电极的一端与第x-1个InSb薄膜圆盘上的环形电极相连接，另一端跨过位于第X个InSb薄膜圆盘上的绝缘膜并与第X个InSb薄膜圆盘上的中心电极相连接，第n+1个连接电极的一端与第η个InSb薄膜圆盘上的环形电极相连接，另一端与第二电极相连接。
[0005]进一步地，绝缘膜覆盖在各环形电极上，且在每个环形电极上方开有多个第一透口和多个第二透口以使每个环形电极有部分从第一透口中露出，中心电极从第二透口中露出。
[0006]进一步地，环形电极沿InSb薄膜圆盘的外缘部设置。
[0007]进一步地，绝缘膜材料优选为Si02。
[0008]进一步地，基底包括由下至上依次设置的衬底层、过渡层、绝缘层，过渡层材料为化合物，该化合物含有包括In在内的与In同族的至少一种金属元素，所述的化合物中至少含有Sb，化合物中除Sb外仅含有In所在族中的金属元素。
[0009]更进一步地，绝缘层材料为In2O3或Si〇2。
[0010]若在高性能磁阻器件制作过程中，对InSb进行退火处理时的更进一步地，退火温度低于InSb的熔点，则过渡层材料为InSb，若在高性能磁阻器件制作过程中，对InSb进行退火处理时的退火温度高于InSb的熔点，则过渡层材料为除InSb外的其他所述化合物。
[0011 ]更进一步地，衬底层材料为陶瓷、娃、铁氧体或云母。
[0012]进一步地，基底材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。
[0013]上述的一种高性能磁阻器件的制造工艺，包括以下步骤:
[0014]A.在基底上表面生长InSb薄膜，并通过半导体光刻工艺形成多个InSb薄膜圆盘，得到器件A;
[0015]B.在器件A的上表面蒸发形成电极金属膜层，并通过半导体光刻工艺使电极金属膜层形成位于InSb薄膜圆盘上表面的环形电极和中心电极，得到器件B;
[0016]C.在器件B的上表面蒸发形成绝缘膜层，通过半导体光刻工艺将绝缘膜层的对应每个环形电极处进行光刻并使每个环形电极有部分露出，从而形成绝缘膜，得到器件C;
[0017]D.在器件C的上表面蒸发形成另一电极金属膜层，通过半导体光刻工艺使另一电极金属膜层形成第一电极、第二电极以及多个连接电极。
[0018]由于采用了上述技术方案，本实用新型一种高性能磁阻器件，通过多个科比诺圆盘的串联结构，取代传统的长条形磁阻器件，在获得最大磁阻效应的同时，又具备较大的输入阻抗。
【附图说明】
[0019]附图1为本实用新型【背景技术】中现有的磁阻器件的结构示意图；
[0020]附图2为本实用新型实施例一中一种高性能磁阻器件的俯视结构示意图；
[0021]附图3为本实用新型实施例二中一种高性能磁阻器件的侧剖结构示意图。
[0022]图中标号为:
[0023 ]1、基底；11、衬底层；12、过渡层；13、绝缘层；
[0024]2、InSb薄膜圆盘;21、外缘部；
[0025]3、第一电极；
[0026]4、第二电极；
[0027]5、环形电极；
[0028]6、中心电极；
[0029]7、绝缘膜；
[0030]8、连接电极；
[0031]9、短路条。
【具体实施方式】
[0032]下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解。
[0033]实施例一
[0034]参照附图2(可参考附图3)，本实施例中的一种高性能磁阻器件，它包括基底1(附图2中被覆盖于绝缘膜之下)、在基底I之上的依次排布的多个InSb薄膜圆盘2(附图2中被覆盖于绝缘膜之下)、在InSb薄膜圆盘2之上的环形电极5(附图2中，环形电极被覆盖在绝缘膜下的部分用虚线表示)、在InSb薄膜圆盘2之上并位于环形电极5内侧的中心电极6(附图2中被连接电极8覆盖)、在环形电极5之上并部分覆盖环形电极5的绝缘膜7。
[0035]绝缘膜7覆盖在各环形电极5上，且在每个环形电极5上方开有多个第一透口和多个第二透口以使每个环形电极5有部分从相应的第一透口中露出，中心电极6从相应的第二透口中露出。绝缘膜7材料优选为S12。
[0036]在一种更为优选的方案中，环形电极5沿InSb薄膜圆盘2的外缘部21(附图2中未标出该外缘部，在附图3中有具体示出外缘部21)设置。
[0037]高性能磁阻器件还包括第一电极3、第二电极4以及多个连接电极8，设InSb薄膜圆盘2为η个，连接电极8为n+1个，η > 2，并设1<χ < η，η和χ均为整数，第I个连接电极8的一端与第一电极3相连接，另一端跨过位于第I个InSb薄膜圆盘2上的绝缘膜7并与第I个InSb薄膜圆盘2上的中心电极6相连接，第X个连接电极8的一端与第χ-1个InSb薄膜圆盘2上的环形电极5相连接，另一端跨过位于第X个InSb薄膜圆盘2上的绝缘膜7并与第X个InSb薄膜圆盘2上的中心电极6相连接，第n+1个连接电极8的一端与第η个InSb薄膜圆盘2上的环形电极5相连接，另一端与第二电极4相连接。
[0038]本实施例中的第一电极3为正极，第二电极4为负极。
[0039]本实施例中的基底I材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。
[0040]本实施例还提供了一种上述的高性能磁阻器件的制造工艺，包括以下步骤:
[0041]Α.取一长条形基底I，在基底I上表面生长InSb薄膜，并通过半导体光刻工艺形成多个InSb薄膜圆盘2，得到器件A;
[0042]B.在器件A的上表面蒸发形成电极金属膜层，并通过半导体光刻工艺使电极金属膜层形成位于InSb薄膜圆盘2上表面的环形电极5和中心电极6，得到器件B;
[0043]C.在器件B的上表面蒸发形成绝缘膜层，通过半导体光刻工艺将绝缘膜层的对应每个环形电极5处进行光刻出所述透口，并使每个环形电极5有部分从该透口中露出，从而形成绝缘膜7，得到器件C;
[0044]D.在器件C的上表面蒸发形成另一电极金属膜层，通过半导体光刻工艺使另一电极金属膜层形成第一电极3、第二电极4以及多个连接电极8。
[0045]本实施例中的一种高性能磁阻器件，通过多个科比诺圆盘的串联结构，取代传统的长条形磁阻器件，在获得最大磁阻效应的同时，又具备较大的输入阻抗。
[0046]实施例二
[0047]参照附图3，本实施例中的一种高性能磁阻器件与实施例一的区别仅在于:InSb薄膜圆盘2与连接电极8的数量与实施例一不同。
[0048]本实施例中的第一电极3为负极，第二电极4为正极。
[0049]本实施例中的基底I包括由下至上依次设置的衬底层11、过渡层12、绝缘层13。衬底层11厚度为ΙΟΟμ