一种热效率高的基板结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及一种热效率高的基板结构。
【背景技术】
[0002]随着最近固态照明工业的兴起，目前提供可靠性给固态照明产品主要的挑战是热量控制。因为固态照明的发光二极管产生大概25%的光输出，而剩余(约75%)则产生为热量。所述热量能够达到临界热结点从而让发光二极管失效。因此产生了在基板层进行有效热控制的需求。
[0003]基板或电子基板作为电子组件、集成电路或包括固态照明的微芯片的衬底，电子基板提供连接给所有的组件，这样就组成完整的子模块/模块/系统。
[0004]因此，现在需要解决制造热效率高的基板。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型提供一种热效率高的基板结构，实现上述目的的技术方案如下:
[0006]—种热效率高的基板结构，其特征在于:包括基板、金属板，所述金属板安装在基板的上表面，其中金属板的上表面安装数片间隔设置的、且进行过过火处理的玻璃基的介质层，介质层的表面涂覆有金属质导电层，介质层和金属质导电层过火厚形成厚膜，其中靠近金属板边缘的介质层之间、在金属板上安装发光二极管芯片，其中金属质导电层与发光二极管芯片之间通过导线连接。优选金属板上设置四片介质层。
[0007]优选的，所述基板为铝板。
[0008]优选的，所述介质层的厚度介于50-60μηι之间。
[0009]优选的，其中所述金属质导电层采用银材质。
[00?0]优选的，所述金属质导电层厚度为18-22μηι。
[0011]优选的，其中发光二极管芯片通过热环氧树脂与金属板连接在一起。
[0012]本实用新型还可以这样实现:
[0013]包括基板、金属板，所述金属板安装在基板的上表面，其中金属板的上表面安装数片间隔设置的、且进行过过火处理的玻璃基的介质层，介质层的表面涂覆有金属质导电层，将介质层和金属质导电层进行过火形成厚膜，其中介质层之间、在金属板上涂覆过火的金属质导热层，并且金属质导热层上连接发光二极管芯片，其中金属质导电层与发光二极管芯片之间通过导线连接。本实施例中的导线为焊料。优选金属板为铝板，且金属板上设置两片介质层111。
[0014]优选的，金属质导热层和发光二极管芯片之间连接有焊料，金属质导热层和发光二极管芯片通过焊接连接在一起。
[0015]优选的，其中所述金属质导热层采用银材质。
[0016]优选的，所述基板为招板;涂覆的金属质导热层厚度范围为50-60μηι;过火后介质层的厚度介于50-60μηι之间。
[0017]本实用新型的电路设计获得更大灵活性以在温度分布中获得更好的均匀性，并为表面热量传导到基板底部提供准确通道。并且，厚膜电路使得特殊发光二极管设计中要求的各种波状表平面保持一致。
[0018]本实用新型通过下述方法制造:
[0019]所述两种基板都包括精细图案化厚膜基板，所述方法包括如下步骤:在金属板上形成玻璃基的介质层，将所述玻璃基介质层过火，在所述介质层上涂覆金属质导电层，将所述金属质导电层干燥，将玻璃和金属层过火从而产生厚膜并将发光二极管芯片放入电路间的凹处或将发光二极管封装放在阳极和阴极板上，其中所述方法允许厚膜硬化并与基板结入口 ο
[0020]具体制造方法如下:
[0021]—种制造板上芯片发光二极管基板100和表面安装器件发光二极管基板108的方法，所述基板包括精细图案化厚膜，所述方法包括如下步骤:
[0022](I)在金属板上形成玻璃基的介质层(103,111);
[0023](2)将所述玻璃基介质层(103，111)过火；
[0024](3)在所述介质层上涂覆金属质导电层(104，113);
[0025](4)将所述金属质导电层(104，113)干燥；
[0026](5)将玻璃和金属层(104，113)过火从而产生厚膜；
[0027](6)将发光二极管芯片(105)放入电路间的凹处或将发光二极管封装(I 14)放在导电电路上，其中所述方法允许厚膜硬化并与基板(100，108)结合。
[0028]其中用热环氧树脂106将发光二极管芯片105固定在基板100上并通过线连接107将发光二极管芯片105与电路连接，或通过焊料115将发光二极管封装114安装在电路113和导热层112上。
[0029]其中薄的铝板(101，109)作为裸基板使用，并使用复合印刷-干燥-过火循环形成所需的介质层和导电图案以满足所需厚度。
【附图说明】
[0030]通过参照这里随后附带的详细说明书和仅仅以示意方式给出的附图，本实用新型可以得到完整的理解，这样并非对本实用新型的限制，在附图中:
[0031]图1是本实用新型的一个实施例中的厚膜板上芯片发光二极管基板的各个层的截面图；
[0032]图2是本实用新型的一个实施例中的厚膜表面安装器件板上封装发光二极管基板的各个层的截面图。
【具体实施方式】
[0033]本实用新型涉及一种制造板上芯片发光二极管基板的方法。这里随后列出的是，本说明书将根据本实用新型的优选实施例来描述本实用新型。但是，可以理解的是，仅仅描述本实用新型的优选实施例只是用来利于探讨本实用新型并且可以预见的是，本领域技术人员可以做出各种修改和等同变形而不偏离附件所列权利要求的保护范围。
[0034]在下文中，将单独或组合地结合附图详细地描述本实用新型的优选实施例。
[0035]实施例一:图1示出了使用制造板上芯片发光二极管基板100的方法制作的厚膜基板。所述方法包括如下步骤:在金属板101上形成玻璃基的介质层103，将所述玻璃基介质层103过火，在所述介质层103上涂覆金属质导电层104，将所述金属质导电层104干燥，将玻璃基介质层和金属质导电层(103，104)过火从而产生厚膜并将发光二极管芯片105放入电路间的凹处，其中所述方法允许厚膜硬化并与基板结合。
[0036]如图1所示，是典型的厚膜板上芯片发光二极管铝基板100的截面图；铝板101作为衬底基板使用。铝板的表平面102必须通过微抛光来变得光滑。铝板101在优选实施例中可以是3003系列、5052系列和6061系列级别的铝。
[0037]介质层103通过丝网印刷玻璃质介质粘胶来制作。被印刷的介质粘胶在接近150摄氏度的高温中干燥15分钟以除去溶剂。随后是过火步骤，在约570摄氏度的高温中过火任何有机结合剂，硬化并增加所述玻璃介质层的密度以最小化孔隙。最小化孔隙的目的是减少高温或高压下绝缘击穿的可能性。同时，过多的孔隙可能会导致厚膜导电层穿透所述介质层从而导致与铝基板的短路。印刷和过火后介质层的厚度介于50-60μπι。
[0038]丝网印刷金属质导电层104涂覆在介质层103上。金属质导电层104优选可由纯银混合例如玻璃等材料在低于600摄氏度的熔化温度下制造以利于和介质层103更加紧密的结合。金属质导电层104在接近150摄氏度的高温中干燥15分钟以除去溶剂，随后厚膜在约545摄氏度的高温中过火以硬化所述厚膜并提供和铝基板100足够的结合力。一次涂覆的厚膜厚度范围为约18-22μπι。
[0039]发光二极管芯片105放在电路间的凹处并通过热环氧树脂106和裸露的铝基板100粘合在一起。热环氧树脂106随后在高温下热化以保证发光二极管芯片105与铝基板100结合在一