光学模块的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及一种光学模块。
【背景技术】
[0002]作为将多个光学元件模块化的光学模块，例如公开有半导体激光模块(例如专利文献I?3)。专利文献I?3所公开的半导体激光模块具有利用树脂性的粘接剂而将与半导体激光元件光学耦合的透镜粘接固定在载置有半导体激光元件的基台上的结构。
[0003]在此，当对透镜进行粘接固定的粘接剂流入半导体激光元件的激光输出端侧而进入光学耦合路时，存在半导体激光元件破损、经由透镜输出的激光的强度减弱、或者由于激光能量而发生粘接剂烧坏等的劣化这样的问题。为了解决该问题，在专利文献I?3中，在粘接区域与半导体激光元件之间设置切口，或者将粘接区域设在半导体激光元件的两个侧面的位置。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献I:日本特开2004-214326号公报
[0006]专利文献2:日本特开2004-087776号公报
[0007]专利文献3:日本特开2004-087774号公报
[0008]专利文献4:日本专利第5075165号公报【实用新型内容】
[0009]实用新型所要解决的课题
[0010]如上所述，当粘接剂进入光学耦合的两个光学元件之间的光学耦合路时，产生光的强度的减弱、粘接剂的劣化这样的问题。
[0011]本实用新型是于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种防止了粘接剂进入光学耦合路的光学模块。
[0012]用于解决课题的方案
[0013]为了解决上述的技术问题而实现目的，本实用新型的一个式所涉及的光学模块的特征在于，具备:基台部，其具有基台和在该基台的表面上形成的表面金属层;半导体元件，其载置在所述基台部的所述表面金属层上；以及光学元件，其与所述半导体元件光学耦合，所述光学元件在供所述半导体元件与所述光学元件光学耦合的一侧的所述基台的侧面处，通过粘接剂而与所述基台粘接，通过将所述表面金属层的供所述半导体元件与所述光学元件光学耦合的一侧的侧面设置在相对于供所述半导体元件与所述光学元件光学耦合的一侧的所述基台的侧面而后退的位置处，从而在所述基台的表面上形成后退区域，在供所述基台和所述光学元件粘接的粘接区域、与位于所述半导体元件的光输出端面的下侧的载置部之间，所述表面金属层具有以防止所述粘接剂在所述后退区域中向所述载置部侧流动的方式构图形成的粘接剂止流部。
[0014]另外，本实用新型的一个式所涉及的光学模块的特征在于，所述粘接剂止流部由相对于所述基台的侧面的后退量比所述后退区域大的切口构成。
[0015]另外，本实用新型的一个式所涉及的光学模块的特征在于，所述粘接剂止流部由以堵塞所述后退区域的方式形成的突起部构成。
[0016]另外，本实用新型的一个式所涉及的光学模块的特征在于，在所述载置区域与所述粘接剂止流部之间，配置有以堵塞所述后退区域的方式形成的封锁件。
[0017]另外，本实用新型的一个式所涉及的光学模块的特征在于，所述粘接剂止流部离开所述半导体元件ΙΟΟμπι以上。
[0018]另外，本实用新型的一个式所涉及的光学模块的特征在于，所述表面金属层的厚度为ΙΟμπι以上。
[0019]另外，本实用新型的一个式所涉及的光学模块的特征在于，所述基台部还具有在与所述基台的表面对置的背面上成的背面金属层，所述表面金属层以及所述背面金属层的厚度设定为使所述基台部与所述半导体元件之间的线膨胀系数差成为2ppm/K以下。
[0020]实用新型效果
[0021 ]根据本实用新型，起到防止粘接剂进入光学耦合路这样的效果。
【附图说明】
[0022]图1是实施方式I所涉及的半导体激光模块的示意性的立体图。
[0023]图2是图1所示的半导体激光模块的侧视图。
[0024]图3是对粘接剂止流部的作用进行说明的图。
[0025]图4是实施方式2所涉及的半导体激光模块的示意性的主要部分立体图。
[0026]图5是实施方式3所涉及的半导体激光模块的示意性的主要部分立体图。
[0027]图6是表示使表面以及背面金属层的厚度变化时的基台的厚度与应力之间的关系的图。
[0028]图7是实施方式4所涉及的半导体激光模块的示意性的主要部分立体图。
[0029]图8是实施方式5所涉及的半导体激光模块的示意性的立体图。
【具体实施方式】
[0030]以下，参照附图，对本实用新型所涉及的光学模块的实施方式进行详细地说明。需要说明的是，并不通过该实施方式来限定该实用新型。另外，在各附图中，对相同或对应的构成要素适当标注相同的附图标记。另外，附图是示意性的图，应注意各层的厚度、厚度的比率等与实际不同。另外，在附图相互之间，也包含彼此的尺寸关系、比率不同的部分。
[0031](实施方式I)
[0032]图1是本实用新型的实施方式I所涉及的半导体激光模块的示意性的立体图。图2是图1所示的半导体激光模块的侧视图。如图1、图2所示，该半导体激光模块10具备基台部
1、作为半导体元件的半导体激光元件2、以及作为光学元件的柱面透镜3。在图1中，柱面透镜3表示为透明的构件。
[0033]基台部I具有基台la、以及分别形成在基台Ia的表面及与该表面对置的背面上的表面金属层Ib和背面金属层Ic。
[0034]基台Ia为了对半导体激光元件2的工作时的发热进行散热，例如由导热率为170ff/m.K而较高的氮化铝(AlN)构成，但也可以由氧化铝、玻璃、硅等其他的材料构成。
[0035]表面金属层Ib和背面金属层Ic例如是由铜(Cu)构成的金属化层或电镀层，用于对半导体激光元件2实施布线或者将半导体激光元件2钎焊接合等。需要说明的是，表面金属层Ib以及背面金属层Ic如后述那样还用于对基台部I的热膨胀系数进行调整。
[0036]在基台部I的载置区域Id中，半导体激光元件2载置在表面金属层Ib上。具体而言，半导体激光元件2的背面由镀金(Au)等覆盖，并通过金(Au)-锡(Sn)等焊料而与表面金属层Ib接合。半导体激光元件2由未图示的电源装置供给驱动电流，在活性层部产生例如在光通信领域中使用的980nm波段、1480nm波段、1550nm波段等所包含的波长的激光L，并将该激光L从光输出端面2a输出。
[0037]需要说明的是，在表面金属层Ib的侧面Iba处，将位于光输出端面2a的下侧的部分称为载置部Ibaa。
[0038]另外，表面金属层Ib具有与半导体激光元件2相邻而形成的绝缘槽lbd。绝缘槽Ibd形成为沿着半导体激光元件2而将表面金属层Ib分离为两个。绝缘槽Ibd是用于在从半导体激光元件2的两侧的表面金属层Ib向半导体激光元件2利用导线进行电气布线时，使两侧的表面金属层Ib绝缘的槽。
[0039]柱面透镜3通过粘接剂4粘接在从基台Ia的侧面Iaa扩展到上表面的两个粘接区域Ie中，该基台Ia的侧面Iaa为与半导体激光元件2的光输出端面2a相同的一侧的面。柱面透镜3在侧面Iaa侧与半导体激光元件2光学耦合，其将从半导体激光元件2输出的激光L聚集为大致圆形的光束形状或者使该激光L平行而与未图示的光纤等光学元件光学耦合。
[0040]粘接剂4例如是环氧树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂或者硅树脂等，作为其固化特性，具有紫外线固化性、可见光固化性、热固化性、紫外线及热混合固化性、以及可见光及热混合固化性等，但不特别限定。
[0041 ] 在基台Ia上形成有后退(pul Iback)区域If。后退区域If通过将表面金属层Ib的侧面Iba设置在相对于供半导体激光元件2与柱面透镜3光学耦合的一侧的基台Ia的侧面Iaa而后退的位置处，从而以搁板状形成在基台Ia的表面上。需要说明的是，这样的后退区域不仅形成在侧面Iaa侧，还相对于基台Ia的各侧面而形成。这样的后退区域相当于在通过金属化或电镀而在基台Ia上形成了金属层后，当切断为所希望大小的切片时，用于防止金属层的毛边的产生的切割余量。后退区域If的宽度例如为ΙΟμπι?50μπι。
[0042]需要说明的是，表面金属层Ib在与基台Ia的上表面的粘接区域Ie对应的部分处具有两个切口部lbc。切口部Ibc是表面金属层Ib的侧面Iba比后退区域If后退更多的区域。粘接