本发明有关于一种电连接器，特别是有关于一种在两列端子间设置多个彼此分离的屏蔽隔件且分别以表面安装技术及贯孔插置技术的方式设置于电路板的电连接器。、电连接器普遍地使用于电子装置的电性连接结构，其用于在电子装置间传输电子信号。最常使用的是通用串行总线(usb)的电连接器。通用串行总线的电连接器...

本发明涉及一种天线模块，且特别涉及一种可以激发多频段的天线模块。、随着科技的进步，使用者对于多频段天线的需求日渐增加。要如何设计出激发多频段的天线的同时，缩小天线尺寸并具有良好的辐射效率，是本领域人员致力研究的目标。技术实现思路、本发明提供一种天线模块，其可满足多频段的需求。、本发明的一种...

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种测试结构及测试方法。、在半导体的生产工艺中，由于mos工艺或者cmos工艺制造的器件集成度的不断提高，半导体器件的小型化也正在面临着挑战。其中，随着封装工艺的不断发展，器件关键尺寸不断缩小，套刻(overlay，ovl)偏移在器件性能和工艺的影响越来越大。...

本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种测试结构及形成方法、测试方法。、随着半导体技术的进步，集成电路器件的尺寸变得越来越小，当集成电路的集成度增加时，芯片表面无法提供足够面积来制作所需的互连线。因此，目前超大规模集成电路的结构大都采用多层堆叠的金属互连结构。在多层堆叠的金属互连结构中，每...

本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种测试结构及形成方法、测试方法。、随着半导体技术的进步，集成电路器件的尺寸变得越来越小，当集成电路的集成度增加时，芯片表面无法提供足够面积来制作所需的互连线。因此，目前超大规模集成电路的结构大都采用多层堆叠的金属互连结构。在多层堆叠的金属互连结构中，每...

本公开涉及光频梳，更具体地，涉及一种高重频差的双光梳产生系统及方法。、双光梳技术在双光梳光谱学、高精度测距、光学成像、宽带微波信号信道化处理等方面有着重要应用。目前，用于产生双光梳的方法主要有以下几种：()基于两台飞秒锁模激光器产生双光梳。该方法通常需要较为复杂的系统，且系统体积庞大，成本...

本发明属于纳米材料制备领域，涉及一种表面掺杂气相包覆纳米硅材料的方法、硅碳复合材料及其用途。、随着移动通讯、笔记本电脑、新能源电动车等领域内的产品不断地升级发展，高容量电池的需求也在逐年增加。目前，石墨负极材料的比容量已接近其理论比容量(mah/g)，若要继续提高电芯的能量密度和循环性能，...

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种发光芯片的转移方法及显示背板。、随着发光芯片技术的成熟，可预见的将会带来更大规模的增长。尺寸逐渐变小的发光芯片将会给显示行业带来革命性的改变，在对比度、功耗、分辨率、亮度和寿命等方面带来大幅提升。、而在发光芯片转移方案中,使用导电胶进行键合是较为热门的一种直...

本公开涉及显示，尤其涉及一种发光基板及其制作方法、显示装置。、发光二极管(light emitting diode，简称为led)是一种将电能转化为光能的固体发光器件。其中，因led寿命长，可靠性高、体积小、功耗低和响应速度快等优点，被广泛应用于固态照明、图像显示和光学通信等领域。、采用l...

本发明涉及半导体，具体涉及一种半导体结构及其形成方法。、随着半导体技术的发展，半导体器件的尺寸持续减小。其中，场效应晶体管器件的源漏区通过金属接触结构与外部电路连接。近年来，由于晶体管器件的尺寸越来越小，晶体管的源漏区与上层的金属接触结构之间的接触电阻不可避免的增加。、在晶体管器件中，由于...

本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种测试单元及形成方法、测试结构及形成方法、测试方法。、随着半导体技术的进步，集成电路器件的尺寸变得越来越小，当集成电路的集成度增加时，芯片表面无法提供足够面积来制作所需的互连线。因此，目前超大规模集成电路的结构大都采用多层堆叠的金属互连结构。在多层堆叠...

本发明涉及电压互感器，具体为一种新型带有便携扣手的kv电压互感器。、jdz型电压互感器通常被运用于额定频率hz、额定电压kv的户内箱站、高压开关柜中用做电压电能计量装置。、在kv电压互感器运输与安装过程中，常需要运维施工人员对其进行人工搬运，而目前kv电压互感器的表面并无合适的扣手，且重量...

本发明涉及电子设备领域，具体地，涉及电子设备及其肩键组件。、相关技术中的机械升降式肩键在按压方向上至少存在肩键、摆杆、拉杆和开关四个部件，累积公差大，从而导致摆杆与开关之间出现空隙过大或过压的情况。摆杆与开关之间空隙过大会导致肩键晃动和肩键按压手感不好的问题。摆杆与开关之间过压，会导致按压...

本发明涉及稀土永磁材料表面处理，具体而言，涉及一种钕铁硼磁体表面处理方法、钕铁硼磁体及其应用。、近年来，烧结钕铁硼磁体由于其优异的性能和广泛的应用而发展十分迅速，但是烧结钕铁硼磁体的耐腐蚀性能很差，因此针对于其表面的防护技术成为其能否成功推广应用的关键技术之一。烧结钕铁硼磁体由粉末冶金工艺...

本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种测试单元及形成方法、测试结构及形成方法、测试方法。、随着半导体技术的进步，集成电路器件的尺寸变得越来越小，当集成电路的集成度增加时，芯片表面无法提供足够面积来制作所需的互连线。因此，目前超大规模集成电路的结构大都采用多层堆叠的金属互连结构。在多层堆叠...

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。、随着半导体技术的发展，超大规模集成电路芯片的集成度已经高达几亿甚至几十亿个器件的规模，两层以上的多层金属互连技术广泛使用。传统的金属互连是由铝金属制成的，但随着集成电路芯片中器件特征尺寸的不断减小，金属互连线中的电路密度不断增加，...

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(mosfet)是现代集成电路中最重要的元件之一，mosfet的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层；...

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。、mos(金属-氧化物-半导体)晶体管，是现代集成电路中最重要的元件之一，mos晶体管的基本结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括：位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅电极层；位于栅极结构...

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种高压(hv)器件；本发明还涉及一种hv器件的制造方法。、作为第三代的显示技术的有机发光二极管(oled)是一种电流注入复合发光型，主要优点是高亮度，高对比度，宽视角，响应速度快，低工作电压，适应性强，能量转换效率高，制作工艺简单等，由于ole...

本公开涉及一种电池，尤其涉及一种电池制作方法、电池以及车辆。、锂离子电池一般分为铝壳电池和软包电池，软包电池采用铝塑膜对极组进行包装，铝壳电池采用方形铝壳对极组进行包装，其中，铝壳电池一般由极组、容纳极组的铝制壳体和电池顶盖三部分组成。、装配时，先将正极耳和负极耳分别与正极柱和负极柱焊接连...