本发明是关于一种陶瓷电容的金属电极及其制造方法，特别是关于一种提升电极连续性的陶瓷电容的金属电极及其制造方法。、多层陶瓷电容(multi-layer ceramic capacitor，mlcc)可通过梳形薄片的结构大幅提升电容器的容量，以使电子产品的尺寸缩小。、以镍电极的多层陶瓷电容为例...

本发明涉及二次电池，具体涉及一种防水塑壳电池模组。、当前锂离子二次电池大规模应用在c、电动汽车以及储能领域；目前在电动汽车与储能领域，大规模使用的主要是方形铝壳电池，经过串联与并联形成模组后，再组装到系统之中使用。模组中，每一个方形铝壳电池使用一套铝制外壳与盖板，成本较高。塑料相对于铝壳有...

本公开涉及显示领域，特别涉及一种晶元芯片、驱动面板的制备方法、显示基板及电子设备。、led磊晶部分结束后，需要将已点亮的led晶体薄膜无需封装直接搬运到驱动背板(也称为驱动基板、电路基板)上，在micro led的生产中，要把数百万甚至数千万颗微米级的led晶粒正确且有效率的移动到电路基板...

本申请涉及通信，具体为一种移相器、天线及基站。、基站的天线通过移相器实现波束下倾调节，具有下倾角可调范围大、精度高、方向图易控制、抗干扰能力强、易于远程控制等诸多优点。移相器是天线的核心组件之一，其性能的优劣直接影响天线整体性能。、相关技术中，移相器存在的问题在于，需要较大的力来驱动旋转臂...

本发明涉及半导体加工，具体涉及一种等离子体刻蚀机的边缘进气喷嘴装置以及边缘进气控制方法。、请参考图，图为本申请实施例中等离子体刻蚀机的示意图。、等离子体刻蚀机包括反应腔室，反应腔室的壳体包括筒形结构和位于筒形结构顶部的腔盖，腔盖支撑有耦合窗，反应腔室内设置有下电极，晶圆放置在下电极上表面，...

本发明涉及半导体生产设备，具体涉及一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机。、在半导体集成电路制造工艺中，刻蚀是其中最为重要的一道工序，其中等离子体刻蚀是常用的刻蚀方式之一，通常刻蚀发生在真空反应腔室内，真空的反应腔室内设置机械电极，用于承载晶圆、射频负载及冷却晶圆等作用。、目前在对半导体器件等...

本申请涉及芯片制造，具体涉及一种晶圆固定装置。、在对晶圆进行加工的过程中，通常利用晶圆固定装置运输晶圆，例如将晶圆运输至指定加工位置，以便于对晶圆进行切割等加工作业。由于晶圆的厚度尺寸减小，或者在晶圆的生产过程中存在一定的生产应力，导致晶圆发生翘曲变形，例如形成“凹”型、或者“凸”型的形状...

本发明涉及低压电器领域，具体涉及一种断路器。、断路器是指能够关合、承载和开断正常回路条件下的电流并能在规定的时间内关合、承载和开断异常回路条件下的电流的开关装置，随着断路器的应用场景越来越多，对断路器的外形尺寸以及性能都提出了要求，特别是对特殊外形尺寸中的大壳架电流产品，其载流件需要更多的...

本发明涉及一种蚀刻液和显示面板的制作方法，特别是涉及一种用来形成高质量的反射电极的蚀刻液和显示面板的制作方法。、在不同类型的显示面板中，反射式显示面板或半穿透半反射式显示面板因利用环境光当作光源来达到显示效果，因此具有低耗电的优点。目前许多电子产品例如手写板、电子书(electronic ...

本发明属于燃料电池，具体涉及一种燃料电池的微孔层、其制备方法及包含该微孔层的燃料电池。、质子交换膜燃料电池是一种直接将化学能转化为电能同时没有碳排放的能量转化方式，并且有望突破％的能量转化效率。由于其低温工作环境、长时间的稳定性、快速充气、高的能量密度，被认为是下一代的能量转化方式。、然而...

本申请涉及半导体，尤其涉及一种芯片去除装置及方法。、micro-led(micro light emitting diode，微米量级发光二极管)由于其具备亮度高、色域覆盖广和对比度高的优势，受到了各家厂商的追捧，被称为次世代显示装置，其在实际的生产过程中需要利用巨量修补工艺，巨量修补工艺...

本发明涉及半导体生产设备，具体涉及一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机。、等离子刻蚀机，应用于半导体行业。等离子体刻蚀机应用到感应耦合等离子体刻蚀法，该工艺是化学过程和物理过程共同作用。它的基本原理是在真空低气压下，icp射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合工艺气体经耦合辉...

本发明涉及半导体生产设备，具体涉及一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机。、等离子刻蚀机，应用于半导体行业。等离子体刻蚀机应用到感应耦合等离子体刻蚀法，该工艺是化学过程和物理过程共同作用。它的基本原理是在真空低气压下，icp射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合工艺气体经耦合辉...

本发明涉及半导体生产设备，具体涉及一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机。、在半导体集成电路制造工艺中，刻蚀是其中最为重要的一道工序，其中等离子体刻蚀是常用的刻蚀方式之一，通常刻蚀发生在真空反应腔室内，真空的反应腔室内设置机械电极，用于承载晶圆、射频负载及冷却晶圆等作用。、目前在对半导体器件等...

本发明涉及半导体生产设备，具体涉及一种进气喷嘴装置以及等离子体刻蚀机。、在半导体集成电路制造工艺中，刻蚀是其中最为重要的一道工序，其中等离子体刻蚀是常用的刻蚀方式之一，通常刻蚀发生在真空反应腔室内，真空的反应腔室内设置机械电极，用于承载晶圆、射频负载及冷却晶圆等作用。、目前在对半导体器件等...

本发明涉及半导体加工，具体涉及一种等离子体刻蚀机的边缘进气喷嘴装置以及边缘进气控制方法。、请参考图，图为本申请实施例中等离子体刻蚀机的示意图。、等离子体刻蚀机包括反应腔室，反应腔室的壳体包括筒形结构和位于筒形结构顶部的腔盖，腔盖支撑有耦合窗，反应腔室内设置有下电极，晶圆放置在下电极上表面，...

本发明涉及半导体生产设备，具体涉及一种进气喷嘴装置、等离子体刻蚀机以及进气喷嘴的控制方法。、等离子刻蚀机，应用于半导体行业。等离子体刻蚀机应用到感应耦合等离子体刻蚀法，该工艺是化学过程和物理过程共同作用。它的基本原理是在真空低气压下，icp射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的...

本发明涉及半导体，尤其涉及一种处理液喷洒方法及装置。、半导体加工制造过程中，需要对表面涂有光刻胶并完成曝光的晶圆进行显影。、集成电路图形是通过显影后显现，显影质量的好坏决定了线宽值是否能达到工艺要求。使用喷嘴将显影液均匀涂洒在晶圆表面是常用方法。、显影后使用喷嘴喷洒清洗液进而冲洗晶圆也是常...

本发明实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。、在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小。相应的，对集成电路的封装要求也日益提高，在多芯片组件(multichip-module，mcm)x、y平面内的二维封装的基础上，沿z方向堆叠的d封装技...

本发明实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种封装结构和封装方法。、在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小。相应的，对集成电路的封装要求也日益提高，在多芯片组件(multichip-module，mcm)x、y平面内的二维封装的基础上，沿z方向堆叠的d封装技术得...