一种降压电路的制作方法

本实用新型涉及一种降压电路。

背景技术：

目前家居照明正朝着智能化发展，在很多电源内部，引入MCU对电源进行智能化控制已经成为常态。目前市面上主流的MCU的工作电压是5V或者3.3V，但是交流输入端是220Vac高压。如何用最简单的电路，最低的成本实现降压就显得很重要了。

传统的做法，大致如图3所示。这个做法，依次串接在一起的输入整流滤波电路10ABUCK减压电路20A、 LEO稳压电路30A、MCU供电电路40A，需要引入一个电源控制芯片50A，还需要BUCK电路必须的BUCK电感，MOS管作开关管，续流二极管，这些都是比较昂贵的电子器件。同时，由于MCU需要的功耗很低，BUCK电路会工作在跳频模式，对电源的EMI处理带来一定的困难。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的在于提供一种降压电路，相对目前技术省去了电源控制芯片和BUCK电感，能有效降低成本，在MCU需求的功耗不高的情况下，性能稳定，无EMI干扰。同时，该电路实现起来简单，易于推广使用。

本实用新型采用的技术方案为：一种降压电路，包括输入整流滤波电路、分立器件控制模块、LEO稳压电路以及MCU供电电路，其中，该输入整流滤波电路、分立器件控制模块、LEO稳压电路、MCU供电电路从左到右依次串接在一起，该分立器件控制模块包括用于连接整流滤波电路的整流桥正极的接入端（VIN），输出端（OUT）第一稳压二极管（ZD1）、第二稳压二极管（ZD2）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第六电阻（R7）、三极管（Q1）、场效应管（Q2）、第一电容（C1 ）、第二电容（C2）。

第一稳压二极管（ZD1）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）分别与该接入端（VIN）并联连接，该第一电阻（R1）与该第三电阻（R3）串接后与该稳压二极管（ZD1）串接，该第二电阻（R2）与该第一二极管（D1）串接，该第五电阻（R5）与该第二二极管（D2）串接，该三极管（Q1）分别与该第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第四电阻（R4）并联连接，该场效应管（Q3）分别与第五电阻（R5）、第四电阻（R4）、第六电阻（R6）连接，该第二稳压二极管（ZD2）并联在该三极管(Q1)的集电极与发射极之间，该第一电容（C1）的一端并联在该第四电阻（R4）与场效应管（Q3）之间，该第一电容（C1）的另一端与该第二稳压二极管（ZD2）的发射极并联，该第二电容（C2）并联在该输出端（OUT）之间。

本实用新型的有益效果为：本实用新型在结构上包括输入整流滤波电路、分立器件控制模块、LEO稳压电路以及MCU供电电路，其中，该输入整流滤波电路、分立器件控制模块、LEO稳压电路、MCU供电电路从左到右依次串接在一起，本实用新型相对目前技术省去了电源控制芯片和BUCK电感，能有效降低成本，在MCU需求的功耗不高的情况下，性能稳定，无EMI干扰。同时，该电路实现起来简单，易于推广使用。

附图说明

图1为本实用新型的原理方框图。

图2为本实用新型的分立器件控制模块的电路原理图。

图3为目前技术的原理方框图。

具体实施方式

如图1至图2所示为本实用新型的一种较佳的具体实施例子，一种降压电路，包括输入整流滤波电路10、分立器件控制模块20、LEO稳压电路30以及MCU供电电路40，其中，该输入整流滤波电路10、分立器件控制模块20、LEO稳压电路30、MCU供电电路40从左到右依次串接在一起，该分立器件控制模块20包括用于连接整流滤波电路10的整流桥正极的接入端（VIN），输出端（OUT）第一稳压二极管（ZD1）、第二稳压二极管（ZD2）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第三电阻（R3）、第四电阻（R4）、第五电阻（R5）、第六电阻（R7）、三极管（Q1）、场效应管（Q2）、第一电容（C1）、第二电容（C2）。

进一步，第一稳压二极管（ZD1）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）分别与该接入端（VIN）并联连接，该第一电阻（R1）与该第三电阻（R3）串接后与该稳压二极管（ZD1）串接，该第二电阻（R2）与该第一二极管（D1）串接，该第五电阻（R5）与该第二二极管（D2）串接，该三极管（Q1）分别与该第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第四电阻（R4）并联连接，该场效应管（Q3）分别与第五电阻（R5）、第四电阻（R4）、第六电阻（R6）连接，该第二稳压二极管（ZD2）并联在该三极管(Q1)的集电极与发射极之间，该第一电容（C1）的一端并联在该第四电阻（R4）与场效应管（Q3）之间，该第一电容（C1）的另一端与该第二稳压二极管（ZD2）的发射极并联，该第二电容（C2）并联在该输出端（OUT）之间。

以上说明仅仅是针对图示的原理图进行阐述的，即上述的各种元器件是根据图示所展示的原理图进行连接的。

进一步，第一电阻（R1）的阻值为2M，该第二电阻（R2）的阻值为1M，该第三电阻（R3）的阻值为200K，该第四电阻（R4）的阻值为10K，该第五电阻（R5）、第六电阻（R6）的阻值为100R。

当接入端（VIN）处的电压比第一稳压管ZD1的电压低的时候，三极管Q1的基极为低电平，三极管Q1处于截止状态。通过第一二极管D1、第二电阻R2、第四电阻R4，场效应管Q2的栅极获得一个高电平开通信号，电流通过第二二极管D2、第五电阻R5，场效应管Q2、第六电阻R6给第二电容C2充电，同时给后级LDO供电。由于第二稳压管ZD2的嵌位作用，第二C2的最高电压，不会超过18V，这个保证了后级的LDO不会以为高压被损坏。

当接入端VIN的电压超过了第一稳压管ZD1的电压，电流经过 第一稳压管ZD1和第一电阻R1，此时三极管Q1的基极正偏处于开通状态。三极管Q1导通后，场效应管Q2的栅极电位会被拉低，场效应管Q2会被关断。第二电容C2储存的能量可以持续给后级的电路供电。

综上可见，该电路实现了高压输入状态场效应管Q2截止，低压输入状态场效应管Q2导通充电的功能。可以把最高约300V的电压，降低到18V以下，再通过后级的LDO作稳压，就能满足MCU供电需求。通过更改第一稳压管ZD1的参数，可以调整场效应管Q2的开通时间；通过更改第二稳压二极管ZD2的参数，可以调整输出端OUT的最高输出电压。更改第五电阻R5和第六电阻R6的参数，可以调整开通器件，第二电容C2的充电电流大小。

本实用新型的实施例以及附图只是为了展示本实用新型的设计构思，本实用新型的保护范围不应当局限于这一实施例。

通过上面的叙述可以看出本实用新型的设计目的是可以有效实施的。实施例的部分展示了本实用新型的目的以及实施功能和结构主题，并且包括其他的等同替换。

因此，本实用新型的权利构成包括其他的等效实施，具体权利范围参考权利要求。