1.一种高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述触发电路包括：
一具有电压钳位的器件，其阴极接输入输出衬垫；
一电容，其第一端接输入输出衬垫；
一第一电阻和第二电阻；
一第一NMOS管，其源极接地，其栅极与所述电容的第二端相连接，其漏极与所述第二电阻的第一端相连接；
所述具有电压钳位的器件的阳极与所述第二电阻的第二端相连接，所述第一电阻的一端与所述电容的第二端以及所述第一NMOS管的栅极相连接，所述第一电阻的另一端接地。
2.如权利要求1所述的高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述电路还包括一驱动NMOS管，所述驱动NMOS管的栅极与所述具有电压钳位的器件的阳极相连接，所述驱动NMOS管的漏极接所述输入输出衬垫，所述驱动NMOS管的源极接地。
3.如权利要求2所述的高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述驱动NMOS管的栅极与第一NMOS管之间串联所述第二电阻。
4.如权利要求3所述的高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述驱动NMOS管的栅极连接内部电路。
5.如权利要求3所述的高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述具有电压钳位的器件的击穿电压高于输入输出衬垫的工作电压。
6.如权利要求5所述的高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述具有电压钳位的器件的击穿电压低于所述驱动NMOS管的击穿电压。
7.如权利要求1-6中之一所述的高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述第一电阻为1000欧姆以上，所述第二电阻为1000欧姆以上。
8.如权利要求1-6中之一所述的高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述具有电压钳位的器件为钳位二极管。
9.如权利要求1-6中之一所述的高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述具有电压钳位的器件为双极结型晶体管，该双极结型晶体管的集电极(C)与所述第二电阻的第二端相连接，发射极(E)与输入输出衬垫相连接，基极(B)悬空。
10.如权利要求1-6中之一所述的高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述具有电压钳位的器件为P-LDMOS管，该P-LDMOS管的漏极(D)与所述第二电阻的第二端相连接，源极(S)、栅极(G)、衬底(B)与输入输出衬垫相连接。
11.如权利要求1-6中之一所述的高压ESD保护触发电路，其特征在于，所述具有电压钳位的器件为N-LDMOS管，该N-LDMOS管的源极(S)、栅极(G)、衬底(B)与所述第二电阻的第二端相连接，漏极(D)与输入输出衬垫相连接。