本发明涉及降压电路领域，尤指一种自激式降压电路。
背景技术：
降压电路是一种基本的DC/DC变换器，广泛应用在各种供电电路中。目前很多电路中需要用到降压电路，但一般的降压电路输入电压低，输出电压不够稳定，而且工作效率低，结构比较复杂。
技术实现要素：
为解决上述问题，本发明提供一种结构简单、输出电压稳定的自激式降压电路。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种自激式降压电路，包括与输入端连接的二极管D1、达林顿管、三极管Q4、三极管Q5、电感L1、三极管Q3、二极管D5、与输出端连接的电容C3和C4，所述二极管D1阴极与达林顿管的发射极连接，还通过电阻R1分别与三极管Q4的基极、三极管Q5的集电极连接，所述三极管Q4的集电极通过电阻R3与达林顿管的基极连接，还通过电容C2、二极管D4与三极管Q5的基极连接，所述三极管Q5的基极通过电阻R4与其发射极连接,所述达林顿管的基极通过电阻R2与其发射极连接，所述达林顿管的集电极与电感L1连接，所述电感L1另一端与三极管Q3的发射极连接，还通过电阻R5与输出端连接，所述三极管Q3的集电极通过电阻R7与二极管D4的阳极连接，所述三极管Q3的基极与二极管D5的阴极连接，所述二极管D5的阴极与输出端连接，阳极通过电阻R8与二极管D4的阳极连接，所述电容C3正极、电容C4的正极均与输出端连接，所述三极管Q5的发射极、三极管Q4的发射极、电容C3的负极、电容C4的负极均与GND端连接。
具体地，所述二极管D1的阴极还通过电容C1接GND端，所述达林顿管的集电极还与二极管D3的阴极连接，所述二极管D3的阳极接GND端。
具体地，所述三极管Q4、三极管Q5均为NPN型三极管，所述三极管Q3为PNP型三极管，所述二极管D5为稳压二极管D5。
具体地，所述达林顿管包括NPN三极管Q1、NPN三极管Q2，所述三极管Q1基极与三极管Q2发射极连接，所述三极管Q1集电极与三极管Q2集电极连接。
本发明的有益效果在于：本发明自激式降压电路通过采用达林顿管增大了输出电流能力，通过电阻R5、电阻R6、电阻R7和三极管Q3组成输出限流电路，保护输出电流，本发明电路结构简单可靠，成本低，进一步提高了降压电路的工作效率和输出电压的稳定性。
附图说明
图1 是本发明的电路原理图。
具体实施方式
请参阅图1所示，本发明关于一种自激式降压电路，包括与输入端连接的二极管D1、达林顿管、三极管Q4、三极管Q5、电感L1、三极管Q3、二极管D5、与输出端连接的电容C3和C4，所述二极管D1阴极与达林顿管的发射极连接，还通过电阻R1分别与三极管Q4的基极、三极管Q5的集电极连接，所述三极管Q4的集电极通过电阻R3与达林顿管的基极连接，还通过电容C2、二极管D4与三极管Q5的基极连接，所述三极管Q5的基极通过电阻R4与其发射极连接,所述达林顿管的基极通过电阻R2与其发射极连接，所述达林顿管的集电极与电感L1连接，所述电感L1另一端与三极管Q3的发射极连接，还通过电阻R5与输出端连接，所述三极管Q3的集电极通过电阻R7与二极管D4的阳极连接，所述三极管Q3的基极与二极管D5的阴极连接，所述二极管D5的阴极与输出端连接，阳极通过电阻R8与二极管D4的阳极连接，所述电容C3正极、电容C4的正极均与输出端连接，所述三极管Q5的发射极、三极管Q4的发射极、电容C3的负极、电容C4的负极均与GND端连接。
与现有技术相比，本发明自激式降压电路通过采用达林顿管增大了输出电流能力，通过电阻R5、电阻R6、电阻R7和三极管Q3组成输出限流电路，保护输出电流，本发明电路结构简单可靠，成本低，进一步提高了输出电压的稳定性。
具体地，所述二极管D1的阴极还通过电容C1接GND端，所述达林顿管的集电极还与二极管D3的阴极连接，所述二极管D3的阳极接GND端。
具体地，所述三极管Q4、三极管Q5均为NPN型三极管，所述三极管Q3为PNP型三极管，所述二极管D5为稳压二极管D5。
具体地，所述达林顿管包括NPN三极管Q1、NPN三极管Q2，所述三极管Q1基极与三极管Q2发射极连接，所述三极管Q1集电极与三极管Q2集电极连接。
下面通过具体实施例对本发明作进一步的说明。
本具体实施例自激式降压电路的工作原理如下：当输入端接通电源时，输入电压通过输入防反接的二极管D1、电阻R1给三极管Q4提供基极电流，使得三极管Q4导通，然后通过电阻R3给达林顿管的基极提供电流，使得达林顿管饱和导通，其集电极一部分电流通过电感L1给输出电容C3和C4充电供给负载，一部分电流储存在电感L1中；当输出电容C3和C4两端的电压超过稳压二极管D5的击穿电压时，三极管Q5导通，由于三极管Q5的集电极下拉至GND端，导致三极管Q4截止，使达林顿管基极的电位上升，电容C2上端电位迅速上升，由于电容C2两端的电荷不能突变，所以电容C2下端电位也迅速上升，这样正反馈的方式加速了三极管Q5导通，而三极管Q4截止，使得达林顿管基极电位迅速上升至关断，达林顿管关断后，储存在电感L1中的电流通过续流二极管D3释放给负载，或给输出电容C3和C4充电；当输出电容C3和C4两端的电压低于稳压二极管D5的击穿电压后，三极管Q5截止，开始下一个周期循环。
其中，本具体实施例的调整管采用达林顿管，通过达林顿管增大了输出电流能力，在大电流场合还可以使用MOSFET场效应管代替，电容C2为正反馈电容，可以调节开关频率；电阻R5、R6、R7和三极管Q3组成输出限流电路，当输出电流乘以电阻R5的值大于三极管Q3开通阀值电压时，三极管Q3导通，输出电压经过电阻R7使得三极管Q5导通，三极管Q4截止，进而关断达林顿管，起到输出限流作用。
以上实施方式仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通工程技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。