1.一种采用分立元件实现的高边驱动过流保护电路，其特征在于：所述高边驱动的电路采用MOSFET功率管Q2，过流保护电路包括与高边驱动输出电流串联的电流检测电路，所述电流检测电路的输出电平连接电压比较器U1的输入端，电压比较器的输出端通过开关管连接控制高边驱动电路的MOSFET功率管关闭和导通。
2.根据权利要求1所述的采用分立元件实现的高边驱动过流保护电路，其特征在于：所述电压比较器还通过光耦器件U23-A连接到单片机，所述单片机通过光耦器件U23-A连接到开关管，进而控制高边驱动电路的MOSFET功率管Q2关闭和导通。
3.权利要求2所述的采用分立元件实现的高边驱动过流保护电路，其特征在于：所述的MOSFET功率管Q2的源极连接高边驱动的高电压端，漏极通过串联的电阻R12输出驱动电流，栅极作为控制端通过电阻R4连接栅极驱动电源的正极VCP+，电阻R12构成电流检测电路。
4.权利要求3所述的采用分立元件实现的高边驱动过流保护电路，其特征在于：所述电阻R12的输出电平连接电压比较器U1的反相输入端，U1的正相输入端输入参考电压。
5.权利要求4所述的采用分立元件实现的高边驱动过流保护电路，其特征在于：所述开关管采用PNP三极管Q3，Q3的集电极接低电平，发射极连接Q2的栅极，基极分别通过电阻R5连接发射极、通过电容C5连接集电极，电压比较器U1的输出端通过二极管D1连接三极管Q3的基极。
6.权利要求3所述的采用分立元件实现的高边驱动过流保护电路，其特征在于：所述栅极驱动电源包括由耦合电感L3-A、整流二极管D2、电阻R6及稳压管D4构成的串联回路，产生一个始终高于Q2功率MOSFET源极电压的VCP+电压。