1.一种功率因数校正电路，其特征在于，包括：
欠压保护子电路，用于保护输入电路；
开关控制子电路，所述开关控制子电路的输入端与所述欠压保护子电路的输出端电连接；
PWM控制子电路，所述PWM控制子电路的输入端与所述欠压保护子电路的输出端电连接，所述PWM控制子电路的输出端与所述开关控制子电路的输入端电连接；
过流保护子电路，所述过流保护子电路的输入端与所述开关控制子电路的输出端电连接，所述过流保护子电路的输出端与所述PWM控制子电路的输入端电连接；
过压保护子电路，所述过压保护子电路的输入端与所述开关控制子电路的输出端电连接，所述过压保护子电路的输出端与所述PWM控制子电路的输入端电连接。
2.如权利要求1所述的功率因数校正电路，其特征在于，还包括：
交流电源、电源滤波器和电源整流器，所述交流电源的输出端通过所述电源滤波器与所述电源整流器的输入端电连接，所述电源整流器的输出端与所述欠压保护子电路的输入端电连接。
3.如权利要求1所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述欠压保护子电路包括：
整流桥、第一欠压保护电容，所述第一欠压保护电容并接在所述整流桥的输出端之间；
所述第一欠压保护电容的两端分别与所述开关控制子电路的输入端电连接；
所述第一欠压保护电容的一端还通过第一欠压保护电阻、第一欠压保护二极管与所述PWM控制子电路的输入端电连接；
所述PWM控制子电路的输入端还通过第二欠压保护电容接地，所述PWM控制子电路的输入端还通过第二欠压保护电阻接地。
4.如权利要求3所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述开关控制子电路包括：
第一场效应晶体管、第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的漏极与升压电感的一端电连接，所述升压电感的另一端与所述欠压保护子电路的正输出端电连接；
所述第一场效应晶体管的漏极还与所述第二场效应晶体管的漏极电连接，所述第二场效应晶体管的漏极还与第一开关二极管的阳极电连接；
所述第一开关二极管的阳极还通过第一开关电阻、第一开关电容与所述第一开关二极管的阴极电连接；
所述第一开关二极管的阴极还与第二开关二极管的阴极电连接，所述第二开关二极管的阳极与所述升压电感的另一端电连接；
所述第一场效应晶体管的栅极与所述第二场效应晶体管的栅极电连接，所述第一场效应晶体管的栅极还通过第二开关电阻与所述第一场效应晶体管的源极电连接；所述第一场效应晶体管的源极还与所述欠压保护子电路的负输出端电连接；
所述第二场效应晶体管的栅极通过第三开关电阻与所述第二场效应晶体管的源极电连接；所述第一场效应晶体管的源极还与所述第二场效应晶体管的源极电连接；所述第二场效应晶体管的源极还接地。
5.如权利要求1所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述过压保护子电路包括：
过压保护电容、第一过压保护电阻、第二过压保护电阻，所述过压保护电容并接在所述开关控制子电路的输出端上；
所述过压保护电容的一端还与所述第一过压保护电阻的一端电连接，所述第一过压保护电阻的另一端通过所述第二过压保护电阻与所述过压保护电容的另一端电连接；
所述第一过压保护电阻的另一端还与所述PWM控制子电路的输入端电连接。
6.如权利要求1所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述过流保护子电路包括：
第一过流保护电阻、第二过流保护电阻，所述第一过流保护电阻的一端与所述开关控制子电路的输入端电连接，所述第一过流保护电阻的另一端与所述欠压保护子电路的负输出端电连接；
所述第一过流保护电阻的另一端还通过所述第二过流保护电阻与所述PWM控制子电路的输入端电连接。
7.如权利要求1～6中任意一项所述的功率因数校正电路，其特征在于，所述PWM控制子电路包括：
控制芯片ICE2PCS02/G，所述控制芯片ICE2PCS02/G的欠压输入端与所述欠压保护子电路的输出端电连接；
所述控制芯片ICE2PCS02/G的PWM波输出端通过限流电阻与所述开关控制子电路的输入端电连接；
所述控制芯片ICE2PCS02/G的电压反馈输入端与所述过压保护子电路的输出端电连接；
所述控制芯片ICE2PCS02/G的电流反馈输入端与所述过流保护子电路的输出端电连接；
所述控制芯片ICE2PCS02/G的电流补偿端通过补偿电容接地；
所述控制芯片ICE2PCS02/G的电压输出补偿端依次通过偏置电阻、偏置电容接地，所述控制芯片ICE2PCS02/G的电压输出补偿端还通过旁路电容接地。