1.一种寄生电感可调的功率模块结构，包括功率模块的dbc基板、平滑电容以及上桥功率器件和下桥功率器件，其特征在于：还包括内部电容，所述dbc基板包括设于绝缘层两侧的第一铜板和第二铜板，所述第一铜板间隔划分为上桥区域和下桥区域，所述上桥功率器件和下桥功率器件分别设于所述上桥区域和下桥区域并且上桥功率器件的端子连接下桥区域、下桥功率器件的端子连接第二铜板，所述平滑电容两端分别连接所述上桥区域和第二铜板，所述内部电容至少为两个并且分别位于所述上桥区域两侧，所述内部电容的两端分别连接所述上桥区域和第二铜板，所述平滑电容两端构成功率模块输入端子，所述下桥区域构成电机连接相端子。
2.根据权利要求1所述的寄生电感可调的功率模块结构，其特征在于：所述第二铜板面积大于第一铜板面积并且第二铜板四周突出第一铜板四周，所述下桥功率器件的端子与第二铜板突出部分之间采用绑定线连接，所述内部电容位于所述上桥区域并且采用绑定线与第二铜板突出部分连接。
3.根据权利要求1或2所述的寄生电感可调的功率模块结构，其特征在于：所述下桥区域划分为左右间隔布置的第一下桥区域和第二下桥区域，所述上桥区域下部延伸至所述第一下桥区域与第二下桥区域之间，所述下桥功率器件均布于所述第一下桥区域和第二下桥区域。
4.根据权利要求3所述的寄生电感可调的功率模块结构，其特征在于：所述上桥区域划分为上下间隔布置的第一上桥区域和第二上桥区域，所述第二上桥区域位于所述第一下桥区域与第二下桥区域之间，所述上桥功率器件位于所述第二上桥区域并且采用绑定线连接所述第一上桥区域，所述内部电容的两端分别连接所述第一上桥区域和第二铜板。
5.根据权利要求4所述的寄生电感可调的功率模块结构，其特征在于：所述第二上桥区域与第二铜板之间连接有内部电容。
6.根据权利要求1所述的寄生电感可调的功率模块结构，其特征在于：所述上桥功率器件和下桥功率器件每相至少为两个并且在所述功率模块输入端子与电机连接相端子之间垂直方向并联配置。
7.根据权利要求1所述的寄生电感可调的功率模块结构，其特征在于：所述下桥功率器件与平滑电容连接的电流通路分为第一电流通路和第二电流通路，并且两条电流通路从两侧包夹并联的上桥功率器件。
8.根据权利要求1所述的寄生电感可调的功率模块结构，其特征在于：所述上桥功率器件和下桥功率器件分别是igbt管或mosfet管。
9.根据权利要求1所述的寄生电感可调的功率模块结构，其特征在于：所述内部电容的电容值小于1/10的平滑电容的电容值。
10.根据权利要求1所述的寄生电感可调的功率模块结构，其特征在于：所述内部电容是阻容器件。