自适应升压电路的制作方法

1.本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种自适应升压电路。


背景技术：

2.随着便携式音频设备近几年在全球范围迅速普及，电池供电音频设备的发展迅速，便携式音频设备对电池供电的续航能力也提出了也来越高的要求。对于提高电池的续航能力，主要从两个方面着手，一是提高电池容量，二是提高电池的工作效率，减小损耗。对于提高电池容量，由于受到体积的限制，音频设备的便携性与续航能力具有不可调和的矛盾，因此，提高电池的工作效率，降低损耗成为当前提高音频设备续航能力的关键。
3.而在市面上便携式音频设备大多为固定电压输出，为满足大功率音频处理的供电需求，其固定电压较高，这种情况下，在中小功率音频处理时，也需要一直保持较高的电压范围，则升压效率降低了，从而降低整体的工作效率，且导致功率损耗较大，严重影响续航能力。
4.鉴于此，有必要提供一种自适应升压电路以根据所需输出信号的功率进行升压控制，提高升压效率，降低功率损耗。


技术实现要素：

5.本实用新型所要解决的技术问题是提供一种自适应升压电路以根据所需输出信号的功率进行升压控制，提高升压效率，降低功率损耗。
6.为解决上述技术问题，本实用新型采用如下所述的技术方案：一种自适应升压电路，设置于音箱内，与音箱的主控芯片电连接，包括boost芯片、信号输出端及至少二升压控制单元，所述boost芯片与信号输出端连接，所述boost芯片的信号输入端及使能端均与主控芯片电连接，所述boost芯片的输出端与所述信号输出端连接，所述boost芯片的反馈端通过一第一电阻与所述信号输出端连接，所述反馈端与第一电阻之间并接有一接地电阻，每一所述升压控制单元并接于boost芯片与信号输出端之间，包括一mos管，所述mos管的栅极与主控芯片连接，其源极与所述接地电阻连接，其漏极通过一第三电阻与信号输出端连接。
7.其进一步技术方案为：所述mos管为n沟道增强型mos管。
8.其进一步技术方案为：所述升压控制单元的数目为两个。
9.本实用新型的有益技术效果在于：本实用新型自适应升压电路与音箱的主控芯片电连接，通过设置boost芯片、信号输出端及至少二升压控制单元，boost芯片与信号输出端连接，boost芯片的信号输入端及使能端均与主控芯片电连接以根据主控芯片的控制工作，其输出端与所述信号输出端连接，boost芯片的反馈端通过一第一电阻与所述信号输出端连接，反馈端与第一电阻之间并接有一接地电阻，每一升压控制单元并接于boost芯片与信号输出端之间，包括一mos管，所述mos管的栅极与主控芯片连接，其源极与接地电阻连接，其漏极通过一第三电阻与信号输出端连接，通过主控芯片控制mos管的开闭以控制信号输
出端的输出电压，以根据所需输出信号的功率进行升压控制，提高升压效率，降低功率损耗，提高续航能力。
附图说明
10.图1是本实用新型自适应升压电路的电路原理图；
11.图2是本实用新型自适应升压电路的升压控制单元的电路原理图。
具体实施方式
12.为使本领域的普通技术人员更加清楚地理解本实用新型的目的、技术方案和优点，以下结合附图和实施例对本实用新型做进一步的阐述。
13.参照图1至图2，本实用新型自适应升压电路设置于音箱内，与音箱的主控芯片电连接，包括boost芯片boost、信号输出端vout及至少二升压控制单元11，所述boost芯片boost与信号输出端vout连接，所述boost芯片boost的信号输入端vin及使能端en均与主控芯片电连接，所述boost芯片boost的输出端vout与所述信号输出端vout连接，所述boost芯片boost的反馈端fb通过一第一电阻r1与所述信号输出端vout连接，所述反馈端fb与第一电阻r1之间并接有一接地电阻r2，每一所述升压控制单元11并接于boost芯片boost与信号输出端vout之间，包括一mos管q1，所述mos管q1的栅极与主控芯片连接，所述mos管q1的源极与所述接地电阻r2连接，所述mos管q1的漏极通过一第三电阻r3与信号输出端vout连接。
14.所述音箱的主控芯片分别与音频处理单元及所述自适应升压电路连接，以根据当前音箱的音量档位获取对应所需输出信号的功率信息，控制自适应升压电路工作，获取所需输出信号对应的电压并根据其控制音频处理单元进行音频播放。所述第一电阻r1的一端与boost芯片boost的反馈端fb连接，其另一端并接于boost芯片boost的输出端vout与信号输出端vout之间，每一所述升压控制单元11与第一电阻r1并联，每一所述升压控制单元11的第三电阻r3的一端与该升压控制单元11的mos管q1的漏极相连，该mos管q1的源极连接于反馈端fb与第一电阻r1的一端之间而与接地电阻r2连接，该mos管q1的栅极与主控芯片连接，作为升压控制单元11的使能端v1_en，该第三电阻r3的另一端并接于boost芯片boost的输出端vout与信号输出端vout之间。优选地，在本实施例中，所述mos管q1为n沟道增强型mos管。
15.具体地，所述升压控制单元11的数目为两个，分别为第一升压控制单元11a及第二升压控制单元11b，所述第一升压控制单元11a包括mos管q1a及第三电阻r3a，该mos管q1a的栅极与主控芯片连接，作为第一升压控制单元11a的使能端v1_en_a，其源极与接地电阻r2连接，其漏极通过所述第三电阻r3a与信号输出端vout连接；所述第二升压控制单元11b包括mos管q1b及第三电阻r3b，该mos管q1b的栅极与主控芯片连接，作为第二升压控制单元11b的使能端v1_en_b，其源极与接地电阻r2连接，其漏极通过所述第三电阻r3b与信号输出端vout连接。
16.工作时，主控芯片检测当前音箱的音量，根据预设的音量档位电压判断获取对应所需输出信号的功率信息，获知所需输出信号的输出功率为大功率输出、中功率输出还是小功率输出以划分档位，并根据预设的每一档位对应的输出阻抗，控制每一升压控制单元11的mos管q1的工作状态，以调整自适应升压电路的输出电压，从而根据获得的输出电压控
制音频处理单元进行音频播放。
17.具体地，当主控芯片判断所需输出信号的输出功率为大功率输出时，于第一升压控制单元11a的使能端v1_en_a及第二升压控制单元11b的使能端v1_en_b输入低电平信号，即置第一升压控制单元11a的mos管q1a的栅极及第二升压控制单元11b的mos管q1b的栅极为低电平，使得第一升压控制单元11a的mos管q1a及第二升压控制单元11b的mos管q1b断开截止，此时，自适应升压电路的信号输出端vout的输出电压可表示为：
[0018][0019]
其中，v
ref
代表基准电压，此时，vout的输出电压较高。
[0020]
当主控芯片判断所需输出信号的输出功率为中功率输出时，于第一升压控制单元11a的使能端v1_en_a输入高电平而于第二升压控制单元11b的使能端v1_en_b输入低电平信号，即置第一升压控制单元11a的mos管q1a的栅极为高电平而置第二升压控制单元11b的mos管q1b的栅极为低电平，使得第一升压控制单元11a的mos管q1a闭合导通而第二升压控制单元11b的mos管q1b断开截止，此时，自适应升压电路的信号输出端vout的输出电压可表示为：
[0021][0022]
其中，v
ref
代表基准电压，此时，vout的输出电压小于大功率输出对应的输出电压。
[0023]
当主控芯片判断所需输出信号的输出功率为小功率输出时，于第一升压控制单元11a的使能端v1_en_a及第二升压控制单元11b的使能端v1_en_b输入高电平信号，即置第一升压控制单元11a的mos管q1a的栅极及第二升压控制单元11b的mos管q1b的栅极为高电平，使得第一升压控制单元11a的mos管q1a及第二升压控制单元11b的mos管q1b闭合导通，此时，自适应升压电路的信号输出端vout的输出电压可表示为：
[0024][0025]
其中，v
ref
代表基准电压，此时，vout的输出电压较低。
[0026]
综上所述，本实用新型自适应升压电路与音箱的主控芯片电连接，通过设置boost芯片、信号输出端及至少二升压控制单元，boost芯片与信号输出端连接，boost芯片的信号输入端及使能端均与主控芯片电连接以根据主控芯片的控制工作，其输出端与所述信号输出端连接，boost芯片的反馈端通过一第一电阻与所述信号输出端连接，反馈端与第一电阻之间并接有一接地电阻，每一升压控制单元并接于boost芯片与信号输出端之间，包括一mos管，所述mos管的栅极与主控芯片连接，其源极与所述接地电阻连接，其漏极通过一第三电阻与信号输出端连接，通过主控芯片控制mos管的开闭以控制信号输出端的输出电压，以根据所需输出信号的功率进行升压控制，提高升压效率，降低功率损耗，提高续航能力。
[0027]
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，而非对本实用新型做任何形式上的限
制。本领域的技术人员可在上述实施例的基础上施以各种等同的更改和改进，凡在权利要求范围内所做的等同变化或修饰，均应落入本实用新型的保护范围之内。