技术特征：
1.一种碳化硅功率因数校正电路，其特征在于：其包括mc33262芯片、碳化硅mos管q1、变压器t1、三极管q2，直流电压负极接地，直流电压正极分别接入电阻r12和电阻r6一端，电阻r12另一端连接所述mc33262芯片的引脚8，电阻r6另一端连接电阻r5一端，所述电阻r5另一端分别连接mc33262芯片的引脚3和电阻r4一端，所述电阻r4另一端通过电容c7连接mc33262芯片的引脚3，电阻r4另一端连接电容c9一端，所述电容c9另一端连接mc33262芯片的引脚2，电容c9另一端连接电容c10一端，所述电容c10另一端分别连接mc33262芯片的引脚1和电阻r7一端，电阻r4另一端通过电阻r11连接电阻r7一端，所述电阻r7另一端连接第一输出端，电阻r4另一端连接电解电容c8的负极，电解电容c8的正极连接mc33262芯片的引脚8，电阻r4另一端接地，mc33262芯片的引脚6接地；电解电容c8的正极连接二极管d4阳极，二极管d4阴极连接电阻r13一端，电阻r13另一端连接mc33262芯片的引脚4，电阻r13另一端接地；直流电压正极接入变压器t1副边一端，变压器t1副边另一端连接二极管d2的阳极，所述二极管d2阴极连接第一输出端，二极管d2阴极连接电解电容c12正极，所述电解电容c12负极接地，变压器t1副边另一端连接所述碳化硅mos管q1的漏极，碳化硅mos管q1的源极接地，碳化硅mos管q1的源极连接mc33262芯片的引脚4，mc33262芯片的引脚7连接电阻r9一端，所述电阻r9另一端分别连接二极管d7的阳极和电阻r10一端，电阻r10另一端接地，所述二极管d7的阴极分别连接碳化硅mos管q1的栅极和所述三极管q2的发射极，三极管q2的集电极连接mc33262芯片的引脚4，三极管q2的基极连接电阻r10一端，变压器t1原边一端连接二极管d1阳极，所述二极管d1阴极通过电容c6接地，二极管d1阴极连接电阻r2一端，所述电阻r2另一端连接第二输出端，电阻r2另一端连接电解电容c14正极，所述电解电容c14负极接地，电阻r2另一端通过电容c13接地，变压器t1原边一端分别连接二极管d6阳极和电阻r8一端，所述二极管d6阴极连接mc33262芯片的引脚8，所述电阻r8另一端连接mc33262芯片的引脚5，变压器t1原边另一端接地。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率因数校正电路，其特征在于：其还包括负压关断电路，所述负压关断电路包括电容c11、稳压二极管d3以及电阻r3，所述电阻r13另一端分别连接所述电容c11一端和稳压二极管阴极，电容c11另一端和稳压二极管阳极通过电阻r3接地，电容c11另一端和稳压二极管阳极连接mc33262芯片的引脚4。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率因数校正电路，其特征在于：所述直流电压由交流电经过emi滤波电路和桥式整流电路得到。4.根据权利要求3所述的一种碳化硅功率因数校正电路，其特征在于：所述交流电的电压范围为190～250v。5.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率因数校正电路，其特征在于：所述电容c6的容值为0.33μf，所述电容c7的容值为10nf，所述电解电容c8的容值为100μf，所述电容c9的容值为0.68μf，所述电容c10的容值为10nf，所述电解电容c12的容值为150μf，所述电容c13的容值为104μf，所述电解电容c14的容值为220μf。6.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率因数校正电路，其特征在于：所述电阻r2的阻值为510ω，所述电阻r4的阻值为12kω，所述电阻r5的阻值为620kω，所述电阻r6的阻值为680kω，所述电阻r7的阻值为1560kω，电阻r8和r9的阻值均为22kω，所述电阻r10的阻值为51kω，所述电阻r11的阻值为10kω，所述电阻r12的阻值为60kω，所述电阻r13的阻值为
2.2kω。7.根据权利要求1所述的一种碳化硅功率因数校正电路，其特征在于：所述二极管d1、二极管d4和二极管d6的型号均为uf4007，所述二极管d7的型号为1n4148。8.根据权利要求2所述的一种碳化硅功率因数校正电路，其特征在于：所述电容c11的容值为10μf，电阻r3的阻值为0.6ω。
技术总结
本实用新型涉及一种碳化硅功率因数校正电路，其采用碳化硅MOS管作为Boost升压电路的开关管，在碳化硅MOS管的源极间加入一个由电容、电阻和稳压二极管组成的负压关断电路，结合功率因数控制芯片MC33262，形成一款具有负压关断作用且输出400 V、250 W的功率因数校正电路，该电路在190~250 V范围内能够稳定输出，并且效率较高，电压谐波系数在3%~3.4%范围内波动，当输出功率达到250 W时，电流谐波系数最小；PFC电路的功率因数均大于0.997，当输入电压在210~220 V的范围内，功率因数最大，达到0.999，采用该方案能够有效地提高功率因数和工作效率，降低MOS管的开关损耗，提高电网能量利用率。利用率。利用率。
技术研发人员：潘玉灼 张炎 汤子琴 郑清清 王鑫 余思伟 林卓彦
受保护的技术使用者：泉州师范学院
技术研发日：2021.09.28
技术公布日：2022/4/21