技术特征：
1.一种不加反并联续流二极管的全sic功率模块，在dbc模板上设有两个并设的模组，在每个模组上均设有两组mosfet并联组和一组sic sdb并联组，其特征在于：所述的每组mosfet并联组由七片额定电压1200v、额定电流40a的sic mosfet裸片并联组成，每个sic mosfet并联组电路由门极和体二极管组成；sic sdb并联组由5片额定电压1200v、额定电流50a的sic sdb裸片并联，两组sic mosfet并联组和sic sdb并联组分别连接dbc外接电路端子。
技术总结
本实用新型公开一种不加反并联续流二极管的全SiC功率模块，4组MOSFET并联组由七片SiC MOSFET裸片并联组成，2组SiC SDB并联组由5片SiC SDB裸片并联；采用上述方案后，本实用新型模块采用全SiC芯片，损耗降低30％以上，最高工作温度提高25℃以上，同时降低了全SiC模块的材料成本，使得整体成本与增加反并联续流二极管的全SiC功率模块相比降低30％以上。二极管的全SiC功率模块相比降低30％以上。二极管的全SiC功率模块相比降低30％以上。
技术研发人员：卢嵩岳 林少峰 陈永华 江天 张虹朗
受保护的技术使用者：厦门三优光电股份有限公司
技术研发日：2021.12.29
技术公布日：2022/8/2