光耦检测地线电压异常漏电保护装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及用电安全保护技术领域，尤其是涉及光耦检测地线电压异常漏电保护装置。
【背景技术】
[0002]现有的漏电保护技术主要是零线(N)，相线(L)同时穿过零序互感线全做漏电保护器使用，以及地线带电检测(电压检测及电流检测)，在现有的地线带电检测保护装置中由于采用了互感器(电压型)，电压型检测原理是建立在输入电源端:地线(E)与零线(N)之间并接互感器并串接电阻或其它可用元件，在实现原理后导入实际应用时遇上了N-E之间的绝缘电阻〈10ΜΩ，由于输入阻抗高造成检测回路抗干扰差，检测方案不能有效实现商品化，同时导入了电压型与电流型切换开关，由于开关存在接触不良等潜在隐患，造成切换后的电压型或电流型因开关接触不良而导致的功能失效现象，为了解决N-E端的绝缘电阻及提高抗干扰能力及杜绝开关接触不良，特提出以下技术解决方案。
【实用新型内容】
[0003](一 )要解决的技术问题
[0004]本实用新型的目的就是要克服上述缺点，旨在提供一种光耦检测地线电压异常漏电保护装置。
[0005]( 二)技术方案
[0006]为解决上述问题，本实用新型提出一种光耦检测地线电压异常漏电保护装置，包括脱扣器、超温检测电路、整流电路、指示灯电路、放大电路、与放大电路连接的零序电流互感器、降压电路和可控硅，该电路还设置有转换开关、光耦检测电路和地线电压检测电路，所述地线电压检测电路由电压型地线带电保护电路和电流型地线带电保护电路组成；所述电压型地线带电保护电路和电流型地线带电保护电路通过转换开关进行切换，所述光耦检测电路用于检测地线电压，所述光耦检测电路的输出端用于驱动所述压型地线带电保护电路和电流型地线带电保护电路。
[0007]进一步，所述光耦检测电路包括光耦Ul、二极管D2、发光二极管LED3、电阻R6和电容C2，所述二极管D2正极连接零线，二极管D2负极连接光耦Ul的第一输入端，所述发光二极管LED3连接在零线和光耦Ul的第二输入端之间，所述电阻R6 —端连接二极管D2负极，另一端连接电容C2的一端，电容C2另一端接地线。
[0008]进一步，所述地线电压检测电路包括三极管Ql，三极管Q3?Q5，地线互感器ZCT2、指示灯LED2、稳压管D4和储能电容C6，所述三极管Ql的基极用于接收三极管Q3和三极管Q4电气信号，所述三极管Q3的基极连接转换开关，所述三极管Q4的基极连接转换开关，所述三极管Q5的基极用于接收地线互感器ZCT2的电气信号，所述三极管Q5集电极与转换开关电气连接；
[0009]其中，当转换开关接通电压型地线带电保护电路，即三极管Q4基极接入高电压，三极管Q4截止，地线带电电压经光耦检测电路驱动三极管Q3导通，同时三极管Ql导通，为储能电容C6充电至稳压管D4击穿，使可控硅导通，断开脱扣器；
[0010]其中，当转换开关接通电流型地线带电保护电路，地线带电流，地线互感器ZCT2，三极管Q5基极产生电流，使三极管Q5导通，同时三极管Q4导通，三极管Ql也导通，储能电容C6充电至稳压管D4击穿，使可控硅导通，断开脱扣器。
[0011]进一步，所述地线和零线之间还设有抗干扰电容Cl。
[0012]进一步，所述储能电容C6还并联有释放电阻R13 ;所述储能电容C6还连接有延时电阻C6。
[0013](三)有益效果
[0014]与现有技术相比，本实用新型具有以下优点:1光耦和LED3直接串联，同步启到地线异常指示及检测驱动保护功能；2、用光耦取代E-N之间的互感线圈，用电容C2隔离，输入阻抗高，同时因用Q3，Ql组成达林顿管放大，使输入灵敏度无限可调且抗干扰能力强；3、K2接触不良后不但没有安全隐患反而安全度提高同时具备电压型，电流型双重工作模式。
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型的光耦检测地线电压异常漏电保护装置的电路模块图；
[0016]图2为本实用新型的光耦检测地线电压异常漏电保护装置的电路原理图。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图和实施例，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
[0018]如图1所示，本实用新型提出一种光耦检测地线电压异常漏电保护装置，包括脱扣器、超温检测电路、整流电路、指示灯电路、放大电路、与放大电路连接的零序电流互感器ZCTl、降压电路和可控硅SCR，该电路还设置有转换开关、光耦检测电路和地线电压检测电路，所述地线电压检测电路由电压型地线带电保护电路和电流型地线带电保护电路组成；所述电压型地线带电保护电路和电流型地线带电保护电路通过转换开关进行切换，所述光耦检测电路用于检测地线电压，所述光耦检测电路的输出端用于驱动所述压型地线带电保护电路和电流型地线带电保护电路。其中，超温检测电路由三极管Q2、基准源U2、电容C4、电阻R9、热敏电阻RT、电阻R8和电阻R2组成；整流电路为二极管Dl ;指示灯电路为串联的发光管LEDl和电阻R7 ;降压电路为电阻R1。
[0019]所述光耦检测电路包括光耦U1、二极管D2、发光二极管LED3、电阻R6和电容C2，所述二极管D2正极连接零线，二极管D2负极连接光耦Ul的第一输入端，所述发光二极管LED3连接在零线和光耦Ul的第二输入端之间，所述电阻R6 —端连接二极管D2负极，另一端连接电容C2的一端，电容C2另一端接地线。
[0020]所述地线电压检测电路包括三极管Q1、三极管Q3?Q5，地线互感器ZCT2、指示灯LED2、稳压管D4和储能电容C6，所述三极管Ql的基极用于接收三极管Q3和三极管Q4电气信号，所述三极管Q3的基极连接转换开关，所述三极管Q4的基极连接转换开关，所述三极管Q5的基极用于接收地线互感器ZCT2的电气信号，所述三极管Q5集电极与转换开关电气连接；
[0021]其中，当转换开关接通电压型地线带电保护电路，即三极管Q4基极接入高电压，三极管Q4截止，地线带电电压经光耦检测电路驱动三极管Q3导通，同时三极管Ql导通，为储能电容C6充电至稳压管D4击穿，使可控硅SCR导通，断开脱扣器；
[0022]其中，当转换开关接通电流型地线带电保护电路，地线带电流，地线互感器ZCT2，三极管Q5基极产生电流，使三极管Q5导通，同时三极管Q4导通，三极管Ql也导通，储能电容C6充电至稳压管D4击穿，使可控硅SCR导通，断开脱扣器。
[0023]所述地线和零线之间还设有抗干扰电容Cl，具体地讲是EMI抗干扰吸收电容。
[0024]所述储能电容C6还并联有释放电阻R13 ;所述储能电