用于高压试验电源的高频逆变电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种用于高压试验电源的高频逆变电路。
【背景技术】
[0002]目前，高压领域中，对试品进行耐压或局部放电试验时均需要高压试验电源，工频高压试验电源因使用工频变压器而造成体积大、重量大，难以满足小型化与便携式的需求。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为了解决现有的高压试验电源存在的体积、重量大的问题，进而提供了一种用于高压试验电源的高频逆变电路。
[0004]本实用新型为解决上述技术问题采取的技术方案是:一种用于高压试验电源的高频逆变电路，所述高频逆变电路包括供电电源电路、PWM发生电路、全桥驱动电路和全桥逆变主电路，供电电源电路为PWM发生电路、全桥驱动电路供电，PWM发生电路产生PWM信号并发送给全桥驱动电路，全桥驱动电路将PWM信号进行隔离与功率放大并用于驱动全桥逆变主电路中的MOSFET，全桥逆变主电路将外部直流电压转变为交流电压输出。
[0005]本实用新型的有益效果是:
[0006]本实用新型主电路中的MOSFET支持电源输出频率的广范围调节，可方便地与各种高频变压器相匹配，并且驱动电路结构简单，能够简化高压试验电源的设计并大大降低其体积与重量。具有成本低，体积小的优点。本实用新型通过将整流后的工频交流电转换成高频交流电后输出升压，能够在与工频同等容量的条件下大大降低试验电源中升压变压器等磁性元件的体积，从而实现电源小型化、便携性好的目的。供电电源为各模块供能，PWM发生电路产生PWM信号并发送给全桥驱动电路，全桥驱动电路将PWM信号进行隔离与功率放大并用于驱动全桥逆变主电路中的M0SFET，全桥逆变主电路将外部直流电压转变为交流电压输出。
【附图说明】
[0007]图1是本实用新型的整体结构框图；图2是本实用新型中供电电源的电路图；图3是本实用新型中的PWM发生电路的电路图；图4是本实用新型中全桥驱动电路的电路图；图5是本实用新型中全桥逆变主电路的电路图。
【具体实施方式】
[0008]【具体实施方式】一:如图1所示，本实施方式所述的用于高压试验电源的高频逆变电路，包括供电电源、PWM发生电路、全桥驱动电路和全桥逆变主电路；供电电源为PWM发生电路、全桥驱动电路供能，PWM发生电路产生PWM信号并发送给全桥驱动电路，全桥驱动电路将PWM信号进行隔离与功率放大并用于驱动全桥逆变主电路中的M0SFET，全桥逆变主电路将外部直流电压转变为交流电压输出。
[0009]【具体实施方式】二:如图2所示，本实施方式所述的供电电源电路由12伏工频变压器、工频整流桥和线性稳压模块组成，工频整流桥由二极管DSM1、DSM2、DSM3、DSM4组成，线性稳压模块由线性稳压芯片及滤波电容CSM1、CSM2、CSM3、CSM4组成。工频变压器ICSMl的
1、5脚接220伏交流，ICSMl的7脚连接二极管DSMl的阳极与DSM3的阴极，ICSMl的9脚连接二极管DSM2的阳极与DSM4的阴极，DSMl的阴极与DSM2的阴极相连并连接极性电容CSMl的正极、非极性电容CSM2的一端与稳压芯片SI的IN引脚，DSM3的阳极与DSM4的阳极相连并连接极性电容CSMl的负极、非极性电容CSM2的另一端与稳压芯片SI的GND脚。极性电容CSM3、非极性电容CSM4跨接在SI的GND、+12V脚之间，CSM3的正极连接+12V引脚、负极连接GND引脚。SI的+12V引脚输出为正十二伏电压，GND引脚接地。其它组成及连接关系与【具体实施方式】一相同。
[0010]【具体实施方式】三:如图3所示，本实施方式所述的PWM发生电路由PWM控制芯片Cl及其周边电路组成，电阻RCl跨接在芯片Cl的In.1p脚和Vref脚之间，电容CC4、电阻RC2跨接在Cl的In.1p脚与地之间，电阻RC3跨接在Cl的n0.1p脚与地之间，电容CCl跨接在Cl的CT脚与地之间，电阻RC4跨接在Cl的CT脚和Disc脚之间，可变电阻RC7与电阻RC4相串联后跨接在Cl的RT脚与地之间，极性电容CC2的正极接Soft-S脚与地之间、负极接地，极性电容电容CC5正极接VCC引脚、负极接地，电容CC6跨接在Cl的VCC脚与GND脚之间，电阻RC6、电容CC3相并联后跨接在Cl的shut脚与地之间，Cl的GND脚接地、VC与VCC脚接正十二伏电源，Cl的comp脚悬空，Cl的0ρΑ、0ρΒ脚为互补PWM信号输出引脚，连接全桥驱动电路。其它组成及连接关系与【具体实施方式】一或二相同。
[0011]PWM控制芯片可采用SG3525，其为美国硅通用公司生产的定频脉宽调制芯片，拥有软启动、欠压锁定等功能，输出级的推挽式结构能够有效提升关断速度。
[0012]【具体实施方式】四:如图4所示，本实施方式中的全桥驱动电路由半桥驱动电路一和半桥驱动电路二组成，两者电路拓扑结构完全相同，均由半桥驱动芯片及其周边电路组成。
[0013]半桥驱动电路一的半桥驱动芯片El的LO脚连接二极管DD3的阴极与电阻RD2，二极管DD3与电阻RD2相并联，电阻RD4跨接在二极管DD3的阳极与地之间，DD3的阳极连接全桥逆变主电路，El的COM脚经电阻RDOO接地，El的VCC脚连接正十二伏电源，电容⑶4跨接在El的COM脚与VCC脚之间，极性电容⑶5的正极接El的VCC引脚、负极接El的COM引脚，El的VS脚接电阻RDO，RT脚接二极管DDl阴极，DDl阳极接正十二伏电源，电容⑶3跨接在El的VS脚、VB脚之间，El的LO脚连接二极管DD2的阴极与电阻RD1，二极管DD2与电阻RDl相并联，DD2的阳极连接全桥逆变主电路，电阻RD3跨接在DD2阳极与悬浮地Blfloatgnd之间，El的VDD脚连接正十二伏电源，极性电容⑶I的正极接El的VDD脚、负极接地，电容⑶2跨接在El的VDD脚与SD脚之间，El的SD脚、VSS脚接地，PWM输入引脚Hin, Lin脚分别连接Cl的OpA、OpB脚。
[0014]半桥驱动电路二的半桥驱动芯片E2的LO脚连接二极管DE3的阴极与电阻RE2，二极管DE3与电阻RE2相并联，电阻RE4跨接在二极管DE3的阳极与地之间，DE3的阴极连接全桥逆变主电路，E2的COM脚经电阻REOO接地，El的VCC脚连接正十二伏电源，电容CE4、跨接在E2的COM脚与VCC脚之间，极性电容CE5的正极接E2的VCC引脚、负极接E2的COM引脚，E2的VS脚接电阻REO，RT脚接二极管DEl阴极，DEl阳极接正十二伏电源，电容CE3跨接在E2的VS脚、VB脚之间，E2的LO脚连接二极管DE2的阴极与电阻RE1，二极管DE2与电阻REl相并联，DE2的阳极连接全桥逆变主电路，电阻RE3跨接在DE2阳极与悬浮地B2floatgnd之间，E2的VDD脚连接正十二伏电源，极性电容CEl的正极接E2的VDD脚、负极接地，CE2跨接在E2的VDD脚与SD脚之间，El的SD脚、VSS脚接地，PWM输入引脚Hin、Lin脚分别连接Cl的OpB、OpA脚。
[0015]半桥驱动芯片可采用美国IR公司生产的IR2110半桥M0SFET/IGBT驱动芯片，其采用自举升压技术，具有高集成度，能够实现控制与驱动侧的电位隔离，通过降低驱动电路电源数目减小了驱动电路的体积与成本。其它组成及连接关系与【具体实施方式】三相同。
[0016]【具体实施方式】五:如图4所示，本实施方式中的全桥逆变主电路，其特征在于:所述电路由四个桥臂及缓冲电容组成，MOSFET半导体开关Ql、Q2、Q3、Q4分别与快恢复二极管D1、D2、D3、D4反并联组成逆变电路的四个桥臂，四个桥臂的MOSFET型号相同。Ql的