智能功率模块和空调器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及智能功率模块技术领域，具体而言，涉及一种智能功率模块和一种空调器。
【背景技术】
[0002]智能功率模块(Intelligent Power Module，简称IPM)是一种将电力电子分立器件和集成电路技术集成在一起的功率驱动器，智能功率模块包含功率开关器件和高压驱动电路，并带有过电压、过电流和过热等故障检测电路。智能功率模块的逻辑输入端接收主控制器的控制信号，输出端驱动压缩机或后续电路工作，同时将检测到的系统状态信号送回主控制器。相对于传统分立方案，智能功率模块具有高集成度、高可靠性、自检和保护电路等优势，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动、变频家电的理想电力电子器件。
[0003]现有的智能功率模块电路的结构示意图如图1所示，HVIC (High Voltageintegrated circuit，高压集成电路)管101的HINl端接智能功率模块100的U相上桥臂输入端UHIN ;HVIC管101的HIN2端接智能功率模块100的V相上桥臂输入端VHIN ；HVIC管101的HIN3端接智能功率模块100的W相上桥臂输入端WHIN ;HVIC管101的LINl端接智能功率模块100的U相下桥臂输入端ULIN ;HVIC管101的LIN2端接智能功率模块100的V相下桥臂输入端VLIN ;HVIC管101的LIN3端接智能功率模块100的W相下桥臂输入端 WLIN。
[0004]在实际应用场合中，不同的应用场合需求不同逻辑的智能功率模块，比如，有的应用场合需要的是正逻辑的智能功率模块，即需要输入信号为正时，所控制的对应IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)管被打开，输入信号为O时，所控制的对应IGBT管被关闭，而有的应用场合需要的是负逻辑的智能功率模块，即需要输入信号为正时，所控制的对应IGBT管被关闭，输入信号为O时，所控制的对应IGBT管被打开。
[0005]而现行的智能功率模块只有一种逻辑选择，当应用场合发生改变时，则需要更换智能功率模块型号以便适应，造成智能功率模块的普适性大大折扣，并且增加了智能功率模块的开发成本，另外，对于正负逻辑的更改一般都在智能模块的HVIC管上进行，HVIC管的变动使智能功率模块的稳定性削弱，对智能功率模块长期可靠性不利。
[0006]因此，如何能够保证在HVIC管不改动的同时，实现智能功率模块的正负逻辑的转换成为亟待解决的技术问题。
【实用新型内容】
[0007]本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
[0008]为此，本实用新型的一个目的在于提出了一种智能功率模块，可以保证在HVIC管不变的情况下，控制智能功率模块根据应用场景的不同自动转换正负逻辑，提高了智能功率模块的普适性，并降低了智能功率模块的开发成本和开发周期，提高了智能功率模块市场占有率。
[0009]本实用新型的另一个目的在于提出了一种空调器。
[0010]为实现上述目的，根据本实用新型的第一方面的实施例，提出了一种智能功率模士夬，包括:三相上桥臂信号输入端、三相下桥臂信号输入端和控制端；HVIC管，所述HVIC管上设置有分别对应于所述三相上桥臂信号输入端和所述三相下桥臂信号输入端的接线端；其中，所述三相上桥臂信号输入端中和所述三相下桥臂信号输入端中的每个信号输入端与对应的一个逻辑控制电路的第一输入端相连，每个所述逻辑控制电路的输出端连接至所述HVIC管上对应的所述接线端，每个所述逻辑控制电路的第二输入端连接至所述控制端，所述逻辑控制电路用于根据所述控制端的输入信号，输出与所述第一输入端同相或反相的信号。
[0011]根据本实用新型的实施例的智能功率模块，通过在三相上桥臂信号输入端中和三相下桥臂信号输入端中的每个信号输入端与对应的HVIC管上的接线端之间设置逻辑控制电路，并且通过控制端对逻辑控制电路进行控制，以根据控制端的输入信号，输出与逻辑控制电路的第一输入端同相或反相的信号，使得可以保证在HVIC管不变的情况下，控制智能功率模块根据应用场景的不同自动转换正负逻辑，避免因应用场景的不同而需更换不同型号的智能功率模块才能满足用户需求的问题，从而可以使用户根据应用场合的需要，得到符合要求的智能功率模块，提高了智能功率模块的普适性，并降低了智能功率模块的开发成本和开发周期，进一步地促进了智能功率模块的普及应用，提高了智能功率模块市场占有率。
[0012]具体地，在本实用新型的一个实施例中，可以根据以下控制逻辑进行控制:在第一输入端有信号输入时，当控制端的输入信号为高电平时，逻辑控制电路输出与第一输入端同相的信号，当控制端的输入信号为低电平时，逻辑控制电路输出与第一输入端反相的信号；在第一输入端无信号输入时，无论控制端的输入信号为高电平或低电平，逻辑控制电路均输出能使后续IGBT管截至的信号。
[0013]根据本实用新型的上述实施例的智能功率模块，还可以具有以下技术特征:
[0014]根据本实用新型的一个实施例，所述逻辑控制电路包括:
[0015]施密特触发器，所述施密特触发器的输入端作为所述逻辑控制电路的第一输入端，所述施密特触发器的输出端连接至第一非门的输入端，所述第一非门的输出端连接至第二非门的输入端，所述第二非门的输出端连接至第一与非门的第一输入端，所述第一与非门的输出端连接至第二与非门的第一输入端，所述第二与非门的输出端连接至第三非门的输入端，所述第三非门的输出端作为所述逻辑控制电路的输出端；
[0016]第四非门，所述第四非门的输入端连接至所述施密特触发器的输出端，所述第四非门的输出端连接至第三与非门的第一输入端，所述第三与非门的输出端连接至所述第二与非门的第二输入端；
[0017]第五非门，所述第五非门的输入端连接至所述第三与非门的第二输入端，并作为所述逻辑控制电路的第二输入端，所述第五非门的输出端连接至所述第一与非门的第二输入端;
[0018]NMOS管，所述NMOS管的栅极连接至所述逻辑控制电路的第二输入端，所述NMOS管漏极连接至所述施密特触发器的输出端，所述NMOS管的源极和衬底相连后连接至第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端；
[0019]PMOS管，所述PMOS管的栅极连接至所述逻辑控制电路的第二输入端，所述PMOS管漏极连接至所述施密特触发器的输出端，所述PMOS管的源极和衬底相连后连接至第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接至所述智能功率模块的低压区供电电源负端。
[0020]根据本实用新型的一个实施例，还包括自举电路，所述自举电路包括:
[0021]第一自举二极管，所述第一自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第一自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的U相高压区供电电源正端；
[0022]第二自举二极管，所述第二自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第二自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的V相高压区供电电源正端；
[0023]第三自举二