出端连接至模拟开关的控制端；
[0027]电压比较器，所述电压比较器的正输入端作为所述自适应电路的第八输入端，所述电压比较器的负输入端连接至第一电压源的正极，所述第一电压源的负极作为所述自适应电路的供电电源负极，所述电压比较器的输出端连接至所述模拟开关的固定端；
[0028]第一非门，所述第一非门的输入端连接至所述模拟开关的第一选择端，所述第一非门的输出端连接至第一 NMOS管的栅极，所述第一 NMOS管的衬底与源极相连后连接至所述自适应电路的供电电源负极，所述第一 NMOS管的漏极连接至第二电压源的正极，所述第二电压源的负极连接至所述自适应电路的供电电源正极；
[0029]第二非门，所述第二非门的输入端连接至所述第二电压源的正极，所述第二非门的输出端通过第一热敏电阻连接至第三非门的输入端，所述第三非门的输出端连接至第四非门的输入端，所述第四非门的输出端连接至第一或非门的第一输入端；
[0030]第一电容，连接在所述第三非门的输入端和所述自适应电路的供电电源负极之间；
[0031]第五非门，所述第五非门的输入端连接至所述第一非门的输出端，所述第五非门的输出端连接至第二匪OS管的栅极，所述第二 NMOS管的衬底与源极相连后连接至所述自适应电路的供电电源负极，所述第二 NMOS管的漏极连接至第三电压源的正极，所述第三电压源的负极连接至所述自适应电路的供电电源正极；
[0032]第六非门，所述第六非门的输入端连接至所述第三电压源的正极，所述第六非门的输出端通过第二热敏电阻连接至第七非门的输入端，所述第七非门的输出端连接至第八非门的输入端，所述第八非门的输出端连接至第二或非门的第一输入端；
[0033]第二电容，连接在所述第七非门的输入端和所述自适应电路的供电电源负极之间；
[0034]第三或非门，所述第三或非门的第一输入端连接至所述第一或非门的第二输入端和所述第二或非门的输出端，所述第一或非门的输出端连接至所述第二或非门的第二输入端，所述第三或非门的输出端连接至第九非门的输入端，所述第九非门的输出端作为所述自适应电路的输出端；
[0035]串联连接的第十非门、第十一非门、第十二非门和第十三非门，所述第十非门的输入端连接至所述模拟开关的第二选择端，所述第十三非门的输出端连接至所述第三或非门的第二输入端；
[0036]第三电容，连接在所述第十一非门的输入端和所述自适应电路的供电电源负极之间；
[0037]第四电容，连接在所述第十二非门的输入端和所述自适应电路的供电电源负极之间；
[0038]第五电容，连接在所述第十三非门的输入端和所述自适应电路的供电电源负极之间。
[0039]根据本实用新型的一个实施例，任一所述脉冲发生电路包括:串联连接的第十四非门和第十五非门，所述第十四非门的输入端作为所述脉冲发生电路的输入端，所述第十五非门的输出端连接至与非门的第一输入端；串联连接的第十六非门、第十七非门和第十八非门，所述第十六非门的输入端连接至所述第十四非门的输入端，所述第十八非门的输出端连接至所述与非门的第二输入端，所述与非门的输出端连接至第十九非门的输入端，所述第十九非门的输出端作为所述脉冲发生电路的输出端;第六电容，连接在所述第十七非门的输入端和所述自适应电路的供电电源负极之间；第七电容，连接在所述第十八非门的输入端和所述自适应电路的供电电源负极之间。
[0040]根据本实用新型的一个实施例，所述HVIC管上还设置有PFC驱动电路的信号输出端，所述智能功率模块还包括:第一功率开关管和第一二极管，所述第一二极管的阳极连接至所述第一功率开关管的发射极，所述第一二极管的阴极连接至所述第一功率开关管的集电极，所述第一功率开关管的集电极连接至第二二极管的阳极，所述第二二极管的阴极连接至所述智能功率模块的高电压输入端，所述第一功率开关管的基极连接至所述PFC驱动电路的信号输出端，所述第一功率开关管的发射极作为所述智能功率模块的PFC低电压参考端，所述第一功率开关管的集电极作为所述智能功率模块的PFC端。
[0041 ]其中，第一功率开关管可以是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)。
[0042]根据本实用新型的一个实施例，还包括:自举电路，所述自举电路包括:第一自举二极管，所述第一自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第一自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的U相高压区供电电源正端;第二自举二极管，所述第二自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第二自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的V相高压区供电电源正端;第三自举二极管，所述第三自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第三自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的W相高压区供电电源正端。
[0043]根据本实用新型的一个实施例，还包括:三相上桥臂电路，所述三相上桥臂电路中的每一相上桥臂电路的输入端连接至所述HVIC管的三相高压区中对应相的信号输出端;三相下桥臂电路，所述三相下桥臂电路中的每一相下桥臂电路的输入端连接至所述HVIC管的三相低压区中对应相的信号输出端。
[0044]其中，三相上桥臂电路包括:U相上桥臂电路、V相上桥臂电路、W相上桥臂电路;三相下桥臂电路包括:U相下桥臂电路、V相下桥臂电路、W相下桥臂电路。
[0045]根据本实用新型的一个实施例，所述每一相上桥臂电路包括:第二功率开关管和第三二极管，所述第三二极管的阳极连接至所述第二功率开关管的发射极，所述第三二极管的阴极连接至所述第二功率开关管的集电极，所述第二功率开关管的集电极连接至所述智能功率模块的高电压输入端，所述第二功率开关管的基极作为所述每一相上桥臂电路的输入端，所述第二功率开关管的发射极连接至所述智能功率模块对应相的高压区供电电源负端。其中，第二功率开关管可以是IGBT。
[0046]根据本实用新型的一个实施例，所述每一相下桥臂电路包括:第三功率开关管和第四二极管，所述第四二极管的阳极连接至所述第三功率开关管的发射极，所述第四二极管的阴极连接至所述第三功率开关管的集电极，所述第三功率开关管的集电极连接至对应的上桥臂电路中的所述第三二极管的阳极，所述第三功率开关管的基极作为所述每一相下桥臂电路的输入端，所述第三功率开关管的发射极作为所述智能功率模块的对应相的低电压参考端。其中，第三功率开关管可以是IGBT。
[0047]根据本实用新型的一个实施例，所述智能功率模块的高电压输入端的电压为300Vo
[0048]根据本实用新型的一个实施例，所述智能功率模块的每一相高压区供电电源的正端和负端之间连接有滤波电容。
[0049]根据本实用新型第二方面的实施例，还提出了一种空调器，包括:如上述任一项实施例中所述的智能功率模块。
[0050]本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
【附图说明】
[0051]本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:
[0052]图1示出了相关技术中的智能功率模块的结构示意图；
[0053]图2示出了相关技术中的智能功率模块产生的噪声的波形示意图；
[0054]图3示出了根据本实用新型的实施例的智能功率模块的结构示意图；
[0055]图4示出了根据本实用新型的实施例的智能功率模块的外部电路示意图；
[0056]图5示出了根据本实用新型的实施例的自适应电路的内部结构示意图；
[0057]图6示出了根据本实用新型的实施例的脉冲发生电路的内容结构示意图。
【具体实施方式】
[0058]为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0059]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0060]图3示出了根据本实用新型的实施例的智能功率模块的结构示意图。
[0061]如图3所示，