一种光伏光热一体化组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于太阳能发电发热技术领域，尤其涉及一种光伏光热一体化组件。
【背景技术】
[0002]目前，光伏发电已经为人们提供了很多的便利，但是仅仅使用光伏组件将太阳能转化为电能，会导致光伏组件在使用的过程中浪费太阳光的部分余热。因此，市场上出现了光伏光热一体化的组件，多为晶体硅太阳能光伏光热一体化组件，然而，其结构复杂，成本较高，安装不便。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种光伏光热一体化组件，其结构简单，且充分利用了太阳光的部分余热。
[0004]本实用新型的技术方案是:提供一种光伏光热一体化组件，包括边框、封装在所述边框一侧的盖板、镀制在所述盖板内侧的镀膜层、设置在所述镀膜层表面的导热件、焊接在所述导热件远离所述镀膜层的一侧的多个待加热部件，以及填充在所述边框、导热件和待加热部件之间的保温层。
[0005]进一步地，所述镀膜层包括第一透明导电氧化物层、形成在所述第一透明导电氧化物层上的非晶硅层、形成在所述非晶硅层上的第二透明导电氧化物层，以及形成在所述第二透明导电氧化物层上的绝缘层。
[0006]进一步地，所述非晶硅层包括依次通过射频电场产生辉光放电分解气体形成的P型非晶硅、I型非晶硅和N型非晶硅。
[0007]进一步地，所述第一透明导电氧化物层为IT0、FT0、Zn0及AZO中的一种;所述第二透明导电氧化物层为ITO、FTO、ZnO及AZO中的一种。
[0008]优选地，所述第一透明导电氧化物层的厚度为500nm-1000nm。
[0009]进一步地，所述绝缘层为二氧化硅膜层，且所述绝缘层的膜层厚度为0-100nm。
[0010]进一步地，所述盖板为钢化玻璃，且所述盖板的透过率大于91.6%。
[0011]进一步地，所述边框的一侧形成有限位部，所述盖板远离所述镀膜层的一侧抵接在所述限位部上。
[0012]实施本实用新型的一种光伏光热一体化组件，具有以下有益效果:通过设置盖板和镀膜层用于将吸收的太阳光转化为电能，而部分透过的太阳光转化为热量，由导热件传送给焊接在导热件下方的多个待加热部件，从而加热待加热部件中的物质，同时在边框、导热件和待加热部件之间填充保温层，进一步防止热量散失，使得太阳光的部分余热得到充分利用。
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是本实用新型实施例提供的光伏光热一体化组件的结构示意图；
[0015]图2是本实用新型实施例提供的镀膜层的结构示意图；
[0016]图3是本实用新型实施例提供的光伏光热一体化组件的制备方法流程图；
[0017]图4是图3中步骤SI的制备方法流程图。
【具体实施方式】
[0018]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0019]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0020]还需要说明的是，本实用新型实施例中的左、右、上、下等方位用语，仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。
[0021]如图1所示，本实用新型实施例提供的光伏光热一体化组件包括边框1、盖板2、镀膜层3、导热件4、待加热部件5和保温层6。其中，盖板2封装在边框I的一侧，具体地，盖板2封装在边框I具有开口的一侧。镀膜层3镀制在盖板2的内侧，即镀制在盖板2朝向边框I的一侧。导热件4设置在镀膜层3的内侧，且导热件4用于传导热量。优选地，导热件4为铝板。在导热件4远离镀膜层3的一侧焊接有多个待加热部件5，优选地，该待加热部件5是进出口水管，该待加热部件5内流通有水，且待加热部件5的具体数量根据实际需要确定。进一步优选地，该待加热部件5由导热材料制成，且通过激光焊将多个待加热部件5焊接在导热件4的一侧。在边框1、导热件4和多个待加热部件5之间填充有保温层6，该保温层6具有保温功能，主要用于防止热量散失。优选地，该保温层6由保温材料制成。
[0022]本实用新型实施例的光伏光热一体化组件，其通过设置盖板2和镀膜层3用于将吸收的太阳光转化为电能，而部分透过的太阳光转化为热量，由导热件4传送给焊接在导热件4下方的多个待加热部件5，从而加热待加热部件5中的物质，同时在边框1、导热件4和待加热部件5之间填充保温层6，进一步防止热量散失，使得太阳光的部分余热得到充分利用。
[0023]进一步地，如图2所示，镀膜层3包括第一透明导电氧化物层31、非晶硅层32、第二透明导电氧化物层33和绝缘层34。其中，第一透明导电氧化物层31通过磁控溅射溅射在盖板2靠近导热件4的一侧上;非晶硅层32通过射频电场产生辉光放电分解气体形成在第一透明导电氧化物层31上;第二透明导电氧化物层33通过磁控溅射溅射在非晶硅层32上；绝缘层34通过磁控溅射溅射在第二透明导电氧化物层33上。
[0024]优选地，在本实用新型的一个实施例中，上述第一透明导电氧化物层31为以盖板2为衬底通过磁控派射派射一层膜厚为500nm?100nm的透明导电氧化物，该透明导电氧化物可选用IT0、FT0、Zn0及AZO中的一种。可以理解的是，在本实用新型的其它实施例中，该第一透明导电氧化物层31的厚度也可以是其它可实现的数值。
[0025]优选地，在本实用新型的一个实施例中，上述第二透明导电氧化物层33是以镀制有非晶娃层32的盖板2为衬底通过磁控派射派射的一层膜厚为500nm?100nm的透明导电氧化物，该透明导电氧化物可选用ITO、FTO、ZnO及AZO中的一种。可以理解的是，在本实用新型的其它实施例中，该第二透明导电氧化物层31的厚度也可以是其它可实现的数值。
[0026]进一步地，上述绝缘层34为二氧化硅膜层，可起到绝缘的作用，该绝缘层34的膜层厚度为O?I OOnm ο
[0027]进一步地，非晶硅层32包括依次通过射频电场产生辉光放电分解气体形成的P型非晶硅321、I型非晶硅322和N型非晶硅323。具体地，把硅烷与硼烷(SiH4+B2H6)的混合气体通入真空度保持在1Pa?100Pa的反应室中，射频电场产生辉光放电，硅烷与硼烷的混合气体被分解，在盖板2上形成P型非晶硅321;把硅烷(SiH4)气体通入真空度保持在1Pa?100Pa的反应室中，射频电场产生辉光放电，硅烷气体被分解，在层积有P