半导体电路以及半导体装置的制作方法

文档序号:11971556阅读:来源:国知局
技术总结
本发明提供缩短在将与负载连接的有源元件从截止切换至导通时的从切换开始到流动规定电流为止的时间的半导体电路以及半导体装置。其中,LED阵列(18)与能够在被输入规定电压时导通而驱动LED阵列的MOSFET(20)电连接。半导体电路(24)具备运算放大器(30)、电压下降电路及开关。运算放大器的非反转输入端子被输入基准电压VR。电压下降电路使从运算放大器输出的电压下降。在MOSFET从运算放大器输入上述规定电压输而导通的第1期间,开关使与利用MOSFET导通而流动的规定电流对应的电压向运算放大器的反转输入端子输入,在MOSFET截止的第2期间将利用电压下降电路而下降的电压向反转输入端子输入。

技术研发人员:加藤辉男
受保护的技术使用者:拉碧斯半导体株式会社
文档号码:201310137335
技术研发日:2013.04.19
技术公布日:2017.04.12

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