电压补偿的开关堆叠的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年9月8日提交的名称为“电压补偿的开关堆叠”的美国临时专利申请no.62/047,163、以及于2015年8月12日提交的名称为“电压补偿的开关堆叠”的美国专利申请no.14/824,583的优先权，通过在此对其整体引用将其公开明确地合并于此。

本公开一般涉及电子领域，并且更具体地，涉及射频开关。

背景技术：

在天线调谐和其他射频(rf)开关应用中，多个开关元件(例如，通常为场效应晶体管(fet))被用作无源组件。该多个开关元件被串联耦合以形成堆叠。堆叠配置使能许多功能，包含电压和功率处理能力。例如，fet堆叠经常被利用以允许rf开关在失配(mismatch)条件下承受高功率。对于处于关断状态的fet堆叠，通过均匀地分布跨堆叠中的fet(即，开关)的施加电压来处理相对高的电压摆幅(swing)是期望的。然而，堆叠中的每一个fet经常具有不同于堆叠中的其他fet的到基底的寄生负载，这会导致不均匀的漏极至源极摆幅产生。结果，堆叠的最高几个fet被迫承受总电压摆幅中不均衡的百分比，并且因此更可能是对于堆叠的故障点。

技术实现要素：

在此描述的各种实现包含改进开关元件(例如，场效应晶体管(fet))的堆叠的电压处理能力的设备、装置和方法。为了提供在附图中图示的示例实现方式的全面理解，在此描述许多细节。本发明可以不需要在此描述的许多具体的细节而被实践。而且，众所周知的方法、组件和电路没有被穷尽详细地描述，从而不会不必要地混淆在此描述的实现的更相关的方面。

例如，一个实现方式包含射频(rf)开关装置，rf开关装置包含地平面和与所述地平面相关地布置的堆叠，所述堆叠包含多个彼此串联耦合的开关元件。rf开关装置进一步包含多个电容元件，所述多个电容元件中的每一个电容元件提供跨所述多个开关元件中的一个开关元件的相应端子的电容路径。正如上面记录的，堆叠包含多个彼此串联耦合的开关元件。每一个开关元件包含相应的端子。

在一些实现方式中，所述多个开关元件包含场效应晶体管，其中，至少一些所述场效应晶体管的每一个与一个或者多个相邻的场效应晶体管源极至漏极地耦合。

在一些实现方式中，所述多个开关元件包含场效应晶体管、双极结型晶体管、gaas晶体管、二极管以及微机电器件中的至少一个。

在一些实现方式中，所述地平面包括至少部分半导体基底。

在一些实现方式中，所述多个电容元件提供跨所述堆叠的单调增加或者减少的电容值。

在一些实现方式中，所述多个电容元件中的至少一些利用半导体制造工艺中可用的附加的通孔和金属来形成。

在一些实现方式中，所述多个电容元件中的至少一些中的每一个电容元件在对应的被用作开关元件的场效应晶体管的漏极与源极之间提供相应的侧向电容。

在一些实现方式中，本公开涉及一种射频(rf)开关模块，所述rf开关模块包含被配置为容纳多个组件的封装基底。rf开关模块还包含被布置在所述封装基底的第一侧上的地平面和与地平面相关地布置在所述封装基底的第二侧上的堆叠，所述堆叠包含多个彼此串联耦合的开关元件。rf开关模块进一步包含多个电容元件，所述多个电容元件中的每一个电容元件提供跨所述多个开关元件中对应的一个开关元件的相应端子的电容路径。

在一些实现方式中，所述多个开关元件包含场效应晶体管，其中，至少一些所述场效应晶体管的每一个与一个或者多个相邻的场效应晶体管源极至漏极地耦合。

在一些实现方式中，所述多个开关元件包含场效应晶体管、双极结型晶体管、gaas晶体管、二极管以及微机电器件中的至少一个。

在一些实现方式中，所述地平面包括至少部分半导体基底。

在一些实现方式中，所述多个电容元件提供跨所述堆叠的单调增加或者减少的电容值。

在一些实现方式中，所述多个电容元件中的至少一些利用半导体制造工艺中可用的附加的通孔和金属来形成。

在一些实现方式中，所述多个电容元件中的至少一些中的每一个电容元件在对应的被用作开关元件的场效应晶体管的漏极与源极之间提供相应的侧向电容。

根据一些教导，本公开涉及一种射频(rf)设备，所述rf设备包含地平面和与所述地平面相关地布置的堆叠，所述堆叠包含多个彼此串联耦合的开关元件。所述rf设备还包含多个电容元件，所述多个电容元件中的每一个电容元件提供跨所述多个开关元件中对应的一个开关元件的相应端子的电容路径。所述rf设备还包含通过所述堆叠耦合至收发器的天线，所述天线被配置为便于射频信号的发送或接收。

在一些实现方式中，所述射频设备包含无线设备。

在一些实现方式中，所述无线设备包含基站、中继器、蜂窝电话、智能电话、计算机、膝上型计算机、平板计算机和外围设备中的至少一个。

在一些实现方式中，所述多个开关元件包含场效应晶体管、双极结型晶体管、gaas晶体管、二极管以及微机电器件中的至少一个。

在一些实现方式中，所述地平面包括至少部分半导体基底。

在一些实现方式中，所述多个电容元件提供跨所述堆叠的单调增加或者减少的电容值。

在一些实现方式中，所述多个电容元件中的至少一些利用半导体制造工艺中可用的附加的通孔和金属来形成。

在一些实现方式中，所述多个电容元件中的至少一些中的每一个电容元件在对应的被用作开关元件的场效应晶体管的漏极与源极之间提供相应的侧向电容。

在一些实现方式中，本公开涉及一种管理射频开关装置的寄生电容的方法。所述方法可以包含生产具有至少一个开关的标称开关堆叠布局，所述开关可以被布置在具有使用特定的半导体制造工艺所允许的最小数量的寄生电容的堆叠中。所述方法还包含增加跨堆叠中一个或者多个的开关的寄生电容元件，并且设置所述电容元件的值，使得所述电容元件提供跨所述堆叠的单调增加或者减少的电容值。

为了总结本公开的目的，本发明的某些方面、优点和新颖特征在此描述。可以理解的是，不必要根据本发明的任意特定的实施方式来实现所有这些益处。因此，本发明可以以实现或者优化在此教导的一个优点或者一组优点的方式来实施，而不必要实现可在此教导或者启示的其他优点。

附图说明

为了可以更详细地理解本公开，可以通过参考各种实现方式的特征进行更具体的描述，在附图中图示出各种实现方式的特征中一些。但是，附图只图示了本公开的更相关的特征，并且因此，不应被认为限制性的，因为该描述可能允许其他有效特征。

图1为根据一些实现方式的射频(rf)开关的示意图；

图2为根据一些实现方式的场效应晶体管(fet)的堆叠的示意图；

图3为根据一些实现方式的两个fet的示例串联堆叠装置的示意图；

图4a为根据一些实现方式的第一rf开关装置的透视图；

图4b为图4a中的第一rf开关装置的平面图；

图5a为根据一些实现方式的第二rf开关装置的透视图；

图5b为图5a中的第二rf开关装置的平面图；

图6a为根据一些实现方式的未补偿的开关堆叠的示意图；

图6b为根据一些实现方式的补偿的开关堆叠的示意图；

图7为示出各种实现方式的电压处理能力的性能。

图8为总结各种实现方式的特性的表格，其中在图7示出各种实现方式的性能数据；

图9为根据一些实现方式的为了提高电压处理能力而配置开关堆叠的方法的实现方式的流程图；

图10a为根据一些实现方式的rf开关模块的实现方式的示意图的第一视图；

图10b为图10a中的rf开关模块的实现方式的示意图的第二视图；

图11为根据一些实现方式的rf设备的实现方式的示意图。

按照惯例，在附图中图示的各种特征可以不按比例绘制。相应地，为了清晰，各种特征的尺寸可以任意地被扩大或减少。此外，一些附图可以不描绘给定系统、方法或者设备的所有组件。最后，贯穿说明书和附图，相似的参考标号可以用于表示相似的特征。

具体实施方式

在此提供的标题(如果有的话)只是为了方便，并且不必要影响请求保护的发明的范围或者含义。

在天线调谐和其他射频(rf)开关应用中，多个开关元件(例如，通常场效应晶体管(fet))被用作无源组件。该多个开关元件被串联耦合以形成堆叠。

在一些实现方式中，处于“关断”状态的fet堆叠的电压处理能力是被包含在堆叠中的fet的数量的函数。通常，堆叠的电压处理能力随着堆叠中的fet的数量增加而增加。然而，简单地增加堆叠中的fet的数量可能具有弊端。例如，堆叠的寄生电容(coff)是当堆叠中的所有fet每一个处于关断状态时该堆叠的电容。堆叠中的每一个fet都对该堆叠无意中耦合至周围组件的寄生电容(coff)有贡献。因此，每一个额外的fet通常增加了堆叠的寄生电容(coff)。

在很多rf应用中，由于与寄生电容(coff)相关联的弊端，期望的是管理堆叠的寄生电容(coff)。例如，寄生电容(coff)可以不利地影响调谐和阻抗匹配。对于寄生电容(coff)的严格容限对于下游制造商经常尤为重要，其中该下游制造商对通过基于堆叠的开关耦合至其他组件的天线元件进行精确地调谐和/或阻抗匹配。此外，处于“导通”状态的堆叠的电阻(ron)通常与寄生电容(coff)反向相关。因此，降低寄生电容(coff)通常增加了电阻(ron)。

图1是根据一些实现方式的rf开关100的实现方式的示意图。虽然图示了某些具体的特征，本领域的技术人员从本公开可以理解，为了简洁起见，并且为了不混淆在此被公开的示例实现方式的更相关的方面，未图示出各种其他特征。为此，rf开关100包含连接至开关电路110的第一端口和第二端口。在一些实现方式中，rf开关100可以在半导体基底上实现。在半导体基底的上下文中，开关电路110包含在图2中被共同地示出为堆叠200的多个开关元件(例如，fet)。

在一些实现方式中，被包含在堆叠200中的多个开关元件包含fet、双极结型晶体管(bjt)、gaas晶体管、二极管以及微机电(mems)器件中的至少一个。在一些实现方式中，fet例如包含金属氧化物半导体fet(mosfet)，比如绝缘体上硅(soi)mosfet。本领域的普通技术人员也可以理解，如在此描述的fet可以以其他工艺技术实现，包含但不限于高电子迁移率场效晶体管(hemt)、soi、蓝宝石上硅(sos)以及互补金属氧化物半导体(cmos)技术。额外地和/或可替换地，本领域的普通技术人员可以理解，在许多情况下，诸如bjt和异质结双极晶体管(hbt)的其他晶体管类型可以与fet一起操作或者作为fet的替换。

图2为根据一些实现方式的适合图1中的rf开关100的fet的堆叠200的示意图。根据一些实现方式，fet具有源极、漏极、体极节点(bodynode)或者栅极节点。额外的fet可以被串联连接从而在输入端和输出端之间定义rf信号路径。通常，堆叠200包含被串联布置的n个fet(例如，由201-2表示的“fet_2”、以及由201-n表示的“fet_n”)，从而相邻的fet被源极至漏极地耦合。正如下面参考图3更详细地描述，为了描述各种实现方式的目的，堆叠200被布置为使得单个fet的一个或者多个梳指(finger)沿着堆叠的横轴延伸，从而晶体管栅极平行于通过堆叠200的主电流路径。

在一些实现方式中，fet堆叠200能够处于第一或者第二状态，从而当处于第一状态时，例如导通状态，rf信号可以从输入端被传输至输出端，允许rf开关100从输入端口传输rf信号至输出端口。同时，当fet处于第二状态时，例如关断状态，fet可以阻止输入端和输出端之间rf信号的传输，由此使rf开关100的输入端口与输出端口电隔离。

此外，仅仅为了简洁和方便的目的，堆叠200中的每一个fet(例如，201-2和201-n)或者开关元件基本上具有相同的尺寸。但是，本领域的普通技术人员可以理解，在各种实现方式中，一些或者全部开关元件具有相对于彼此而变化的尺寸，并且，词语“可变尺寸”和“可变几何结构”在此被交替地使用。可变尺寸/可变几何结构包含，例如，与开关元件相关联的一个或者多个部件的不同大小、不同形状、不同配置或者其一些组合。在一些实现方式中，与开关元件相关联的一个或者多个部件包含开关元件的固有部件。在这些实现方式中，可以看出：由开关元件的固有部件的这样的可变尺寸所提供的有利特征可以是有益的，因为不一定需要额外的外部组件。

图3是根据一些实现方式的两个fet300a和300b的示例串联堆叠装置(stacked-seriesarrangement)的示意图。虽然作为非限制性示例在图3中只图示出两个fet，本领域的普通技术人员可以理解，fet的串联堆叠装置包含两个或者更多个fet，并且，在一些实现方式中，在此描述的一个或者更多个方面被包含在单个fet或者开关器件的实现方式中。此外，虽然示出了某些具体的特征，本领域的技术人员从本公开可以理解，为了简洁起见，并且为了不混淆在此被公开的示例实现方式的更相关的方面，未示出各种其他特征。

为此，fet300a和300b每一个具有梳指配置，并且相对于彼此被串联布置。在一些实现方式中，在每一个fet的右侧的第一金属特征(feature)304被提供作为源极触点，并且，在左侧的第二金属特征301被提供作为漏极触点。本领域的普通技术人员可以理解，fet可以通常被反向操作，从而第二金属特征301用作源极触点并且第一金属特征304用作漏极触点。在一些实现方式中，漏极触点301被布置为用作被串联布置的fet300a、300b的输出(例如，rf输出)。因此，fet300a的源极触点304被耦合至fet300b的漏极触点301。类似地，fet300b的源极304触点可以被电连接至另一个fet的漏极触点，依此类推。

根据一些实现方式，第一多个梳指特征303被电连接至相应的源极触点304，并且第二多个梳指特征302被电连接至漏极触点301。第一和第二多个梳指特征303、302相对于彼此以交错的配置被布置。相应地，正如通常理解的，可以在分别与源极触点304和漏极触点301相关联的交错的梳指特征303和302之间的对应空间的每一个中提供相应的栅极特征305。

图4a为根据一些实现方式的第一rf开关装置400的透视图。图4b为图4a中的第一rf开关装置400的平面图。虽然图示了某些具体的特征，本领域的技术人员可以从本公开理解，为了简洁起见，并且为了不混淆在此被公开的示例实现方式的更相关的方面，未示出各种其他特征。为此，rf开关装置400包含如上面参考图2-图3描述的fet堆叠。

根据一些实现方式，rf开关装置400包含：多个漏极梳指特征412-a、412-b等；多个源极梳指特征414-a、414-b等；栅极特征420；以及体极特征430。在一些实现方式中，至少一些前述特征至少部分地被框架特征460封闭。在一些实现方式中，至少一些前述特征由下面的层组成：金属层1402；通孔(via)404；金属层2406；触点408；以及多晶硅410。正如图4a-图4b所示出，多个漏极梳指特征412和多个源极梳指特征414由金属层2406组成。

根据一些实现方式，在区域450内提供许多通孔。在一些实现方式中，通孔的数量被提供从而通孔的密度提供了标称(nominal)水平的漏极至源极电容(cds)。在一些实现方式中，标称水平的漏极至源极电容(cds)是可以利用特定的制造工艺被生产的最小值。换句话讲，图4a-图4b的rf开关装置400是未补偿的开关堆叠的示例。图6a为根据一些实现方式的未补偿的开关堆叠610的示意图。未补偿的开关堆叠610包含n个开关611-1、611-2、……、611-n。n个开关611-1、611-2、……、611-n每一个包含与相邻开关的fet漏极至源极地串联耦合的fet612-1、612-2、612-n中的相应一个。

图5a为根据一些实现方式的第二rf开关装置500的透视图，其包含使能增强的电压处理的方面。图5b为图5a中的第二rf开关装置500的平面图。虽然图示了某些具体的特征，本领域的技术人员可以从本公开理解，为了简洁，并且为了不混淆在此被公开的示例实现方式的更相关的方面，未图示各种其他特征。为此，在图5a-图5b中图示的rf开关装置500与在图4a-图4b中图示的rf开关装置400是类似的并且是根据在图4a-图4b中图示的rf开关装置400改编的，但是rf开关装置500是根据一些实现方式的补偿的开关堆叠的示例(在图6b中示意地示出)。

根据一些实现方式，rf开关装置500包含：多个漏极梳指特征512-a、512-b等；多个源极梳指特征514-a、514-b等；栅极特征520；以及体极特征530。在一些实现方式中，至少一些前述特征至少部分地被框架特征560封闭。在一些实现方式中，至少一些前述特征由下面的层组成：金属层1502；通孔504；金属层2506；触点508；以及多晶硅510。如图5a-图5b所示出，多个漏极梳指特征512和多个源极梳指特征514由金属层1502、通孔504以及金属层2506组成。

因此，在一些实现方式中，rf开关装置500此外还包含与在图4a-图4b中图示的rf开关装置400的给定区域450相比、每一个在给定区域550具有更大通孔和金属的密度的fet。由通孔和/或附加的(excess)金属提供的增加的电容在堆叠中的每一个fet的漏极与源极之间产生了侧向(lateral)电容。换句话讲，附加的通孔/金属生成跨fet的附加可控的寄生电容，这消除了布局出明确的电容元件以实现电压补偿的需要。换句话讲，图5a-图5b的rf开关装置500是补偿的(例如，电压补偿的)开关堆叠的示例。

图6b为根据一些实现方式的补偿的开关堆叠620的示意图。在图6b中图示的补偿的开关堆叠620与在图6a中图示的未补偿的开关堆叠610是类似的并且是根据在图6a中图示的未补偿的开关堆叠610改编的。因此，类似地，补偿的开关堆叠620包含n个开关621-1、621-2、……、621-n。n个开关621-1、621-2、……、621-n每一个包含与相邻开关的fet漏极至源极地串联耦合的fet622-1、622-2、622-n中的相应一个。此外，但是，补偿的开关堆叠620包含多个电容元件，多个电容元件中的每一个电容元件提供跨该多个开关元件中的对应的一个开关元件的相应端子的电容路径。更具体地，在一些实现方式中，有不超过n-1个电容元件623-1、623-2、623-3、……、623-m(m≤n-1)，并且，该多个电容元件提供跨该堆叠单调增加或者减少的电容值。结果，在一些实现方式中，在堆叠的一端的fet不具有相关联的电容元件。在一些实现方式中，利用半导体制造工艺中可用的附加的通孔和金属来形成多个电容元件中至少一些电容元件。在一些实现方式中，多个电容元件的至少一些电容元件的每一个电容元件在对应的被用作开关元件的场效应晶体管的漏极与源极之间提供相应的侧向电容。

图7为示出各种实现方式的电压处理能力的性能图700，并且性能图700证明了由使用附加的通孔和/或金属而提供的额外的电容改进了在各种开关装置中电压处理。图8为总结各种实现方式的特性的表格800，在图7中示出针对各种实现方式的性能数据。

图9为根据一些实现方式的为了提高电压处理能力而配置开关堆叠的方法900的流程表示。在一些实现方式中，该方法在开关元件堆叠的制造期间和在开关元件堆叠与一个或者更多个其他组件的集成和/或封装期间的至少一个中被执行。简明地，方法900包含：为了生产具有分级的侧向电容值的堆叠，提供跨堆叠中的一个或者多个开关的受控数量的侧向寄生电容。

为此，如方框9-1所表示，方法900包含生产标称开关堆叠布局(layout)。在一些实现方式中，生产标称开关堆叠布局包含：使用特定的半导体制造工艺的布局规则和可用材料，将至少一个可以被布置在堆叠中的fet开关配置为具有使用特定的半导体制造工艺所允许的最小数量的寄生电容。如方框9-2所表示，方法900包含通过增加使用的通孔的数量或者金属的量，来增加跨堆叠中的开关中一个或者多个开关的寄生电容元件。在一些实现方式中，有未超过n-1个电容元件，其中，n是堆叠中的开关的数量。如方框9-3所表示，方法900包含设置电容元件的值，使得它们的电容值跨堆叠单调地增加或者减小。结果，在一些实现方式中，在堆叠的一端的fet不具有相关联的电容元件。在一些实现方式中，利用半导体制造工艺中可用的附加的通孔和金属来形成多个电容元件中至少一些电容元件。在一些实现方式中，多个电容元件的至少一些的每一个电容元件在对应的被用作开关元件的场效应晶体管的漏极与源极之间提供相应的侧向电容。

图10a为根据一些实现方式的rf开关模块1000的实现方式的示意图的第一视图。虽然图示了某些具体的特征，本领域的技术人员可以从本公开理解，为了简洁起见，并且为了不混淆在此被公开的示例实现方式的更相关的方面，未图示各种其他特征。为此，如图10a-图10b所示，具有在此描述的一个或者更多个特征的rf开关100可以在rf开关模块1000中实现。在一些实现方式中，rf开关100可以包含根据如在此描述的一个或者更多特征被配置的开关元件(例如，fet)的堆叠200。

在一些实现方式中，rf开关模块1000可以包含被配置为容纳多个组件的封装基底1004。根据一些实现方式，地平面1002被布置在封装基底1004的第一侧。根据一些实现方式，rf开关100、一个或者更多个连接1006以及一个或者更多个封装结构被布置在封装基底1004的第二侧。

在一些实现方式中，一个或者更多连接1006被配置为便于到rf开关100和来自rf开关100的信号和/功率的传送。在一些实现方式中，一个或者更多个封装结构1008为rf开关100提供比如保护(例如，物理的、电磁屏蔽等)的功能。在一些实现方式中，连接1006可以包含导电路径，该导电路径比如接合引线(wirebond)以适应于引线接合实现模块、和/或导电迹线(conductivetrace)以适应于倒装芯片实现模块。

图10b为图10a中的rf开关模块1000的实现方式的示意图的第二视图。图10a和图10b的共有元件包含共有参考标号，并且为了简洁起见，在此仅描述图10a和图10b之间的区别。为此，图10b图示了具有被串联耦合的开关元件1010-a、1010-b、1010-c、……、1010-n(例如，fet)的堆叠200。如图10b所示，堆叠200还包含多个电容元件1012-a、1012-b、1012-c、……、1012-n，多个电容元件1012中的每一个电容元件提供跨对应的多个开关元件中的一个开关元件的相应端子的电容路径。例如，电容元件1012-a提供跨开关元件1010-a的端子的电容路径。

图11示意地描绘了根据一些实现方式的具有一个或者更多个此处被描述的有利特征的射频(rf)设备1100的示例。虽然示出了相关的特征，本领域的普通技术人员可以从本公开理解，为了简洁起见，并且为了不混淆在此被公开的示例实现的更相关的方面，未图示各种其他特征。为此，在一些实现方式中，rf设备1100是无线设备。在一些实现方式中，这样的无线设备可以包含，例如，蜂窝电话、智能电话、具有或者不具有电话功能的手持无线设备、无线平板、无线路由器、无线接入点、无线基站等。

在一些实现方式中，rf设备1100包含在pa模块1112内的一个或者多个pa，该一个或者多个pa被配置为从收发器1110接收它们相应的rf信号，收发器1110可以以现有方式被配置和操作为生成待放大和发送的rf信号、以及处理接收到的信号。收发器1110被示出与基带子系统1108交互，基带子系统1108被配置为提供在适合于用户的数据和/或语音信号与适合于收发器1110的rf信号之间的转换。收发器1110还被示出为连接至功率管理组件1106，功率管理组件1106被配置为管理用于rf设备1100的操作的功率。这样的功率管理还可以控制基带子系统1108和rf设备1100的其他组件的操作。

基带子系统1108被示出连接至用户接口1102，从而便于提供给用户和从用户接收到的各种语音和/或数据的输入和输出。基带子系统1108也可以被连接至存储器1104，存储器1104被配置为存储数据和/或指令，从而便于无线设备的操作，和/或为用户提供信息的存储。

在rf设备1100的示例中，pa模块1112的输出被可选地匹配并且经由天线开关模块(asm)1110被路由至天线1114。根据一些实现方式，包含开关元件(例如，fet)堆叠200的rf开关100在asm1110中被实现。在一些实现方式中，包含堆叠200的rf开关100在rf设备1100的另一个组件中被实现。在一些实现方式中，图10的rf模块1000在asm1110中被实现。在图11中，接收到的信号被示出通过asm1110被路由至一个或者多个低噪声放大器(lna)1118。

许多其他无线设备配置可以利用在此描述的一个或者多个特征。例如，rf设备1100不需要是多带设备。在另一个示例中，rf设备1100可以包含额外的天线比如分集天线，以及额外的连接特征比如wi-fi、蓝牙和gps。

本公开描述了各种特征，各种特征中没有单个特征是全权负责了在此描述的益处。可以理解的是，在此描述的各种特征可以被组合、修改或者省略，这对于普通技术人员是显而易见的。除在此具体地描述的那些组合之外，其他组合和子组合对于普通技术人员也是显而易见的，并且意图形成本公开的一部分。在此，与各种流程图步骤和/或阶段相结合地描述各种方法。可以理解的是，在很多情况下，某些步骤和/或阶段可以被组合在一起从而在流程图中示出的多个步骤和/或阶段可以作为单个步骤和/或阶段被执行。此外，某些步骤和/或阶段也可以被拆分成额外的子组件以单独地被执行。在一些实例中，步骤和/或阶段的顺序可以被重新布置并且某些步骤和/或阶段可以被全部省略。在此描述的方法也可以被理解为是开放的，从而除那些在此被示出和被描述的额外的步骤和/或阶段也可以被执行。

在此描述的系统和方法的一些方面可以使用例如计算机程序、硬件、固件或者计算机程序、硬件与固件的任意组合而有利地被实现。计算机软件可以包括存储在计算机可读介质(例如，非瞬态计算机可读介质)的计算机可执行代码，当该计算机可执行代码被执行时，执行在此描述的功能。在一些实现方式中，计算机可执行代码由一个或者多个通用计算机处理器执行。技术人员可以理解，按照本公开，可以通过使用将在通用计算机上执行的软件而实现的任意特征或者功能还可以通过使用硬件、软件或者固件的不同组合而实现。例如，这样的模块可以通过使用集成电路的组合完全以硬件实现。可替换地或者额外地，这样的特征或者功能可以完全地或者部分地通过使用被设计为执行在此描述的特定的功能的专用计算机而不是使用通用计算机而实现。

多个分布式计算设备可以取代在此描述的任意一个计算设备。在这样的分布式实施例中，一个计算设备的功能是(例如，在网络上)分布式的，从而在分布式计算设备的每一个上执行一些功能。

一些实现方式可以参考公式、算法和/或流程图图示描述。这些方法可以通过使用可在一个或者多个计算机上执行的计算机程序指令而实现。这些方法还可以被实现为单独的或者作为装置或者系统的组件的计算机程序产品。在这个方面，可以通过包含一个或者多个在计算机可读程序代码逻辑中体现的计算机程序指令的硬件、固件和/或软件，实现每一个公式、算法、方框或者流程图的步骤及其组合。如可以理解的，任意这样的计算机程序指令可以被加载到一个或者多个计算机，包含但不限于通用计算机或者专用计算机或者其他可编程处理装置以生产机器，使得在计算机或者其他可编程处理装置上执行的计算机程序指令实现公式、算法和/或流程图中指定的功能。还可以理解的是，可以通过专用的基于硬件的、执行指定的功能或者步骤或者专用硬件与计算机可读程序代码逻辑方法的组合的计算机系统，来实现每一个公式、算法、和/或者流程图图示中的方框及其组合。

此外，计算机程序指令，比如在计算机可读程序代码逻辑中所体现的，也可以被存储在计算机可读存储器(例如，非瞬态计算机可读介质)，该计算机可读存储器可以指示一个或者多个计算机或者其他可编程处理设备以特定的方式工作，使得存储在计算机可读存储器中的指令实现流程图方框中指定的功能。计算机程序指令也可以被加载到一个或者更多个计算机或者其他可编程处理设备上，使得将在一个或者更多个计算机或者其他可编程计算设备上执行的一系列操作步骤，以生产计算机实现过程，使得在计算机或者其他可编程处理装置上执行的指令提供用于实现公式、算法、和/或流程图的方框中指定的功能的步骤。

在此描述的一些或者所有的方法和任务可以由计算机系统执行并且完全自动化。在一些情况下，计算机系统可以包含通过网络通信和互联以执行所描述的功能的多个不同的计算机或者计算设备(例如，物理服务器、工作站、存储阵列等)。每一个这样的计算设备通常包含处理器(或者多个处理器)，该处理器执行程序指令或者存储在存储器或者其他非瞬态计算机可读存储介质或者设备的模块。在此公开的各种功能可以在这样的程序指令中体现，尽管一些或者所有公开的功能可以可替换地在计算机系统的专用电路(例如，asic或者fpga)中实现。计算机系统包含多个计算设备时，这些设备可以但不是必须是同位的。通过改变物理存储设备比如固态存储芯片和/或磁盘进入不同的状态，所公开的方法和任务的结果可以被持续地存储。

除非上下文另有明确要求，贯穿说明书和权利要求的词语“包括”、“包含”和类似的词语是以包含性的含义解释的，而不是排他性或者穷举性的含义；这也就是说，以“包含但不限于”的意思。如在此一般使用的，词语“耦合”指代可以直接连接、或通过一个或者多个中间元件的方式连接的两个或者更多个元件。此外，词语“在此”、“上面”、“下面”以及类似意义的词语，在本申请中使用时，应该指代本申请作为整体而不是本申请的任意特定的部分。上下文允许时，在上面说明书中使用单数或者复数的词语也可以分别地包含复数或者单数。引用两个或者更多项的列表的词语“或者”覆盖了词语的所有下列解释：列表中的任意一项、列表中的所有项以及列表中的项的任意组合。词语“示范的”在此使用，仅仅是指“作为示例、示范或者图示”。在此描述的作为“示范的”的任意实现方式不必要被理解为相对于其他实现方式更优选的或者有益的。

本公开不意图被限制为在此示出的实现方式。对本领域技术人员来讲，对本公开描述的实现方式的各种修改是显而易见的，并且，在此定义的通用原则可以不违背本发明的精神或者范围而应用到其他实现方式。在此提供的发明教导可以应用到其他方法和系统，并且不限于上面描述的方法和系统，并且上面描述的各种实现方式的元件和操作可以被组合以提供更多实施方式。相应地，在此描述的新颖方法和系统可以以各种其他形式体现；此外，以此描述的方法和系统的形式的各种省略、替代和变化可以不违背本发明的精神而做出。所附权利要求和它们的等价物意图覆盖将落入本公开的范围和精神的这种形式或者修改。