技术总结
本发明提供一种改进的双向MOSFET开关和多路复用器。本发明的双向MOSFET开关包括一个输入端和输出端和两个MOSFET晶体管，晶体管与源极和栅极分别彼此连接，同时输入端和输出端分别连接两个MOSFET晶体管的漏极，一具有电绝缘装置的电绝缘控制输入端与一控制器连接，控制器通过第三个MOSFET晶体管接通一FET晶体管，一与输入端连接的浮动电源通过所述第三个MOSFET晶体管向FET晶体管提供控制电流，FET晶体管通过控制电流在栅极和两个MOSFET晶体管的源极之间产生相同的栅源电压，浮动电源产生两个MOSFET‑晶体管的栅极的控制电流。对交流电压信号来说，电路拓扑结构所需的控制电流较小。
技术研发人员：鲁迪·汉格;克里斯汀·罗特伊
受保护的技术使用者：威泰克公司
文档号码：201610402809
技术研发日：2016.06.08
技术公布日：2016.12.21