本发明涉及一种语音系统,具体是一种电力智能语音系统。
背景技术:
在国内的一些大型博物馆和风景区,已经采用了一些语音导览器,为游客提供各种解说和导游,大大方便了游客对博物馆和风景区历史文化的了解。但传统的语音导览器功能比较单一、功耗大、成本高、数据更新复杂,游客需要手动输入编码才能得到相应的播放信息,限制了语音导览器的进一步推广使用。本发明结合rfid射频识别技术和语音合成技术,提出了一种可自动识别解说对象的语音导览器,并结合存储技术,实现各种导览信息的及时更新。
技术实现要素:
本发明的目的在于提供一种电力智能语音系统,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种电力智能语音系统,包括微处理器、i/o扩展接口电路、数据存储器、显示屏、按键电路、rfid识别电路、语音合成电路和usb接口,所述i/o扩展接口电路分别连接数据存储器、显示屏、按键电路和微处理器,微处理器还分别连接rfid识别电路、语音合成电路和usb接口,语音合成电路还依次连接低通滤波电路、音频放大电路和喇叭;所述音频放大电路包括电容c1、电阻r1、三极管vt1、二极管d1、三极管vt2和电容c2,所述电容c1一端连接输入信号vi,电容c1另一端分别连接接地电阻r1和三极管vt1基极,三极管vt1发射极分别连接三极管vt2发射极和电阻r4,电阻r4另一端分别连接电阻r8、三极管vt7集电极和三极管vt6集电极,电阻r8另一端分别连接二极管d1负极和三极管vt7基极,三极管vt7发射极分别连接三极管vt6基极和电阻r7,三极管vt6发射极分别连接电阻r5、三极管vt5发射极、电阻r9和输出端vo,电阻r9另一端连接接地电容c3,电阻r5另一端连接三极管vt2基极,三极管vt5基极分别连接电阻r7另一端和三极管vt4发射极,三极管vt4基极分别连接电阻r6、三极管vt3集电极和电容c2,电阻r6另一端连接二极管d1正极,三极管vt3发射极连接电阻r4,三极管vt3基极分别连接电容c2另一端、三极管vt1集电极和电阻r2,电阻r2另一端分别连接电阻r3、电阻r4另一端、三极管vt4集电极、三极管vt5集电极和电源vcc,电阻r3另一端连接三极管vt2集电极。
作为本发明进一步的方案:所述微处理器采用单片机at89c51。
作为本发明进一步的方案:所述语音合成电路采用tts语音合成电路。
作为本发明进一步的方案:所述rfid识别电路采用芯片em4095控制。
作为本发明再进一步的方案:所述电源vcc电压为12v。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明电力智能语音系统结合rfid射频识别技术和语音合成技术,提出了一种可自动识别解说对象的语音导览器,并结合存储技术,实现各种导览信息的及时更新;另外采用多个三极管配个阻容元件设计的对讲机音频放大电路,相比采用运算放大器设计的放大电路,损耗低,稳定性高。
附图说明
图1为电力智能语音系统的结构示意图。
图2为电力智能语音系统中音频放大电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1~2,本发明实施例中,一种电力智能语音系统,包括微处理器、i/o扩展接口电路、数据存储器、显示屏、按键电路、rfid识别电路、语音合成电路和usb接口,所述i/o扩展接口电路分别连接数据存储器、显示屏、按键电路和微处理器,微处理器还分别连接rfid识别电路、语音合成电路和usb接口,语音合成电路还依次连接低通滤波电路、音频放大电路和喇叭。
本发明的工作原理是:rfid俗称电子标签,是一种非接触式的自动识别技术,它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据,识别工作无需人工干预,可工作于各种恶劣环境中,rfid技术可识别高速运动物体并可同时识别多个标签,操作快捷方便,最基本的rfid系统由三部分组成:标签(tag),由耦合元件及芯片组成,每个标签具有唯一的电子编码,附着在物体上标识目标对象;阅读器(reader),读取(有时还可以写入)标签信息的设备,可设计为手持式或固定式;天线(anten-na),在标签和读取器间传递射频信号。
请参阅图1,rfid识别电路将获得的标签信息送到微处理器,微处理器根据标签信息从数据存储器中读取相应的文本信息并通过i/o扩展接口电路送到语音合成电路,语音合成电路将文本信息转换为语音信息,然后经低通滤波电路滤波和音频放大电路放大后送到喇叭。同时,显示屏根据标签信息显示目前的游览路线,另外,通过usb接口可以外接设备可以查询一些服务信息,按键电路同于手动输入查询信息。
请参阅图2,所述音频放大电路包括电容c1、电阻r1、三极管vt1、二极管d1、三极管vt2和电容c2,所述电容c1一端连接输入信号vi,电容c1另一端分别连接接地电阻r1和三极管vt1基极,三极管vt1发射极分别连接三极管vt2发射极和电阻r4,电阻r4另一端分别连接电阻r8、三极管vt7集电极和三极管vt6集电极,电阻r8另一端分别连接二极管d1负极和三极管vt7基极,三极管vt7发射极分别连接三极管vt6基极和电阻r7,三极管vt6发射极分别连接电阻r5、三极管vt5发射极、电阻r9和输出端vo,电阻r9另一端连接接地电容c3,电阻r5另一端连接三极管vt2基极,三极管vt5基极分别连接电阻r7另一端和三极管vt4发射极,三极管vt4基极分别连接电阻r6、三极管vt3集电极和电容c2,电阻r6另一端连接二极管d1正极,三极管vt3发射极连接电阻r4,三极管vt3基极分别连接电容c2另一端、三极管vt1集电极和电阻r2,电阻r2另一端分别连接电阻r3、电阻r4另一端、三极管vt4集电极、三极管vt5集电极和电源vcc,电阻r3另一端连接三极管vt2集电极。所述微处理器采用单片机at89c51。所述语音合成电路采用tts语音合成电路。所述rfid识别电路采用芯片em4095控制。所述电源vcc电压为12v。
输入信号vi经c1到由vt1和vt2组成的差分输入放大器进行电压放大,放大后的信号从vt1的集电极取出,送激励三极管vt3进行激励放大,激励信号从vt3的集电极取出,分两路输出:一路经r6、d1送vt6和vt7组成的互补推挽放大电路的下臂pnp复合管基级(vt7基级),当信号为负半周时,复合管导通,信号从输出端vo输出,信号为正半周时复合管截止;另一路直接送vt4和vt5组成的npn复合管(vt4基级),当信号为正半周时,复合管导通,信号从输出端vo输出,信号负半周截止;放大后的音频信号由vt5、vt6的发射级输出。
c2为防振电容,用来抑制放大器可能出现的高频自激,c2又叫vt3的中和电容,或者负反馈电容,滞后补偿电容,可以降低vt3的高频增益,破坏自激的幅频特性,电阻r9、电容c/3组成一容性负载,成为输出端vo的阻抗补偿电路,用以抵偿输出端vo负载的感抗成分,使放大器工作稳定,不易自激,输出级晶体管不易出现过电压,运行比较安全。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。