本实用新型涉及一种中子管，尤其涉及一种金属膜绝缘隔离陶瓷中子管。
背景技术：
中子管是一种发射中子流的仪器，它是利用高能粒子（如电子）对靶原子核（氘和氚）撞击，或者激光产生的瞬间高温引起真空管内氢的同位素氘和氚发生聚变反应来产生瞬间中子流脉冲的，中子流具有比较强的穿透力特性。中子管已广泛应用于石油测井、辐照对虾、辐照养鱼、核物理科学研究和教学实验。
随着中字测井技术的发展与广泛应用，可靠安全、性能稳定的小直径中字测井仪器备受市场关注，这就对测井仪器的每个部件的可靠性提出了更高的要求。由于小直径中子管内部空间小，零件多而复杂，管内离子溅射问题严重。在中子管的离子源结构设计中，几乎都采用陶瓷环来固定阳极筒，并实现由此陶瓷环与阴极隔离绝缘。当中子管使用时间累积到一定程度，由于离子的溅射在陶瓷环内壁上形成了一层金属膜，导致阴极与阳极之间绝缘性变差，甚至短路，造成中子管性能劣化甚至失效。
技术实现要素：
本实用新型正是针对现有技术存在的不足，提供了一种金属膜绝缘隔离陶瓷中子管。
为解决上述问题，本实用新型所采取的技术方案如下：
一种金属膜绝缘隔离陶瓷中子管，包括陶瓷壳体、离子源、靶和加速电极，所述陶瓷壳体为圆柱桶形，离子源安装在陶瓷壳体的一端，靶安装在陶瓷壳体的另一端，加速电极安装在靶侧陶瓷壳体内，所述陶瓷壳体内腔上设有凹槽，所述凹槽为间断的环槽，均匀间隔布置在靶端与加速电极侧的陶瓷壳体内腔壁上。
进一步的，所述离子源的发射端与加速电极之间的陶瓷壳体内腔壁上设有斜槽，斜槽开口端指向离子源侧。
进一步的，所述凹槽的开口端两侧设有坡口。
进一步的，所述离子源侧的陶瓷壳体外壁上设有便于安装夹持的定位块，定位块位于陶瓷壳体的上下两侧，且与陶瓷壳体连接一体。
本实用新型与现有技术相比较，本实用新型的实施效果如下：
本实用新型所述的一种金属膜绝缘隔离陶瓷中子管，通过改变陶瓷壳体内壁结构，在靶端与加速电极之间的陶瓷壳体内腔制造一个或多个凹槽，降低因离子溅射而在陶瓷壳体内壁上形成的金属膜导致的陶瓷壳体绝缘性变差的现象，提高中子管的使用寿命和可靠性。
附图说明
图1为本实用新型所述的一种金属膜绝缘隔离陶瓷中子管的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来说明本实用新型的内容。
如图1所示为本实用新型所述的一种金属膜绝缘隔离陶瓷中子管的结构示意图，所述的一种金属膜绝缘隔离陶瓷中子管，包括陶瓷壳体1、离子源2、靶3和加速电极4，所述陶瓷壳体1为圆柱桶形，离子源2安装在陶瓷壳体1的一端，靶3安装在陶瓷壳体1的另一端，加速电极4安装在靶3侧陶瓷壳体1内，所述陶瓷壳体1内腔上设有凹槽5，所述凹槽5为间断的环槽，均匀间隔布置在靶3端与加速电极4侧的陶瓷壳体1内腔壁上。
所述的一种金属膜绝缘隔离陶瓷中子管，通过改变陶瓷壳体1内壁结构，在靶3端与加速电极4之间的陶瓷壳体1内腔制造一个或多个凹槽5，离子源2发射离子束经过加速电极4加速，撞击在靶3上，少量的离子发生溅射，溅射到降低因离子溅射而在陶瓷壳体1内壁上形成的金属膜导致的陶瓷壳体1绝缘性变差的现象，提高中子管的使用寿命和可靠性。
所述离子源2的发射端与加速电极4之间的陶瓷壳体1内腔壁上设有斜槽6，斜槽6开口端指向离子源2侧，防止加速过程中离子发生偏转撞击陶瓷壳体1内壁形成金属膜，影响陶瓷壳体1的绝缘性。
所述凹槽5的开口端两侧设有坡口7，便于撞击后的离子溅入凹槽5中。
所述离子源2侧的陶瓷壳体1外壁上设有便于安装夹持的定位块8，定位块8位于陶瓷壳体1的上下两侧，且与陶瓷壳体1连接一体。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。