技术特征：
技术总结
描述了用于保护诸如氮化镓(GaN)器件之类的器件的电路及其操作方法。这样的电路可以包括：温度传感器(104)，其配置成感测器件的至少一部分的温度；以及移相器(106)，其配置成当所感测的温度超出安全温度范围时，例如高于预定的温度阈值时，移动器件输出的信号的相位。相位可以离散地或连续地移动。这些电路可以保护器件免于破坏性操作条件的影响，以延长被保护器件的操作寿命。
技术研发人员：托马斯·凯利
受保护的技术使用者：麦克姆技术解决方案控股有限公司
技术研发日：2017.10.12
技术公布日：2019.06.04