技术特征：
技术总结
本发明属于CMOS数字电路领域，应用于CPU,SRAM，ASIC等电路的设计,具体涉及一种减少CMOS反向器短路电流的方法,所述方法是在反向器的衬底端施加源‑衬偏置电压，改变PMOS管和NMOS管的阈值电压，从而减少反相器状态翻转瞬间的短路电流，进而降低无效功耗。相比于现有技术，本发明通过在反向器的衬底端施加偏置电压来改变PMOS管和NMOS管的阈值电压，从而达到减小短路电流的目的，且多个反向器可共用一套阈值电压调制电路，面积和功耗较现有技术都有很大优势。
技术研发人员：程旭;王传政;喻明艳;韩晓磊
受保护的技术使用者：北京北大众志微系统科技有限责任公司
技术研发日：2018.04.04
技术公布日：2018.12.18