1.一种射频功率放大器的温度稳定电路，包括输出级晶体管阵列和输出级偏置电路；其特征在于：所述输出级晶体管阵列的晶体管基级按照1，21，22…2n…22，21，1的方式加权进行串联电阻，所述输出级晶体管阵列通过串联电阻与所述输出级偏置电路。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器的温度稳定电路，其特征在于：所述晶体管通过基级串联的电阻，增加晶体管的直流负反馈，减小晶体管的电流，并延迟显示出kirk效应。
3.根据权利要求1所述的射频功率放大器的温度稳定电路，其特征在于：所述串联电阻的电阻值通过将电路仿真和热仿真联合使用的方式确定。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大器的温度稳定电路，其特征在于：所述温度稳定电路的温度控制电路通过温度和电源电压补偿电路控制晶体管温度变化。
5.根据权利要求1所述的射频功率放大器的温度稳定电路，其特征在于：所述输出级晶体管阵列的晶体管基级串联电阻的方式可通过对晶体管的热效应和晶体管排列位置确定。