布线基板及其制造方法以及高导电布线基板的制造方法与流程

背景技术：

近年来，开发了将led等发光元件包含在装置内部而不需要背光源的自发光型显示装置。作为这种显示装置的基本构成，研究了下述构造：在基板表面具有led元件等发光元件和金属电极，在基板背面具有用于向发光元件发送信号的电源、驱动元件和金属电极，将基板表背两面的金属电极利用金属布线连接。

关于将基板表背的金属电极连接的金属布线的形成方法，为了小型化而提出了下述连接线的形成方法，其特征在于，具有：第1工序，在基板的缘部的至少一部分并在该基板的两面及端面的范围内形成导电层；以及第2工序，将所述导电层的一部分除去，分割为相互不导通的多个连接线(例如，参见专利文献1)。另外，提出了一种布线基板，其具有：基板，其具有第1主面及其相反侧的第2主面；和布线，其配置在所述第1主面侧，该布线基板中，从所述第1主面至所述第2主面所配置的导体线沿所述布线的宽度方向排列三根以上，所述布线以三根以上的导体线中的一部分与多根导体线连接，所述导体线为配置在基板的侧面的侧面导体线(例如，参见专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-247516号公报

专利文献2：日本特开2018-152565号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

随着近年来的电子设备的窄边框化、高分辨率化，取代上述led的μled兴起，因此要求电极进一步窄间距化。另外，与显示装置的小型化、薄型化及柔性化相伴，要求在曲面、弯曲部上形成布线、要求针对弯曲的导电性。在专利文献1～2中公开的技术应用于在薄膜基板上形成布线时，由于布线的弯曲变得显著而容易发生断线，另外，由于基板弯曲而导电性下降等情况，弯曲部处的导电性存在问题。

因而，本发明的目的在于提供抑制弯曲部的断线且弯曲部的导电性优异的布线基板。

用于解决课题的手段

本发明为布线基板，其具有布线和在两面具有电极的基材，所述布线将基材两面的所述电极连接且所述布线的一部分配置在基材端部，所述布线含有有机物及导电性粒子，布线中的导电性粒子的含量为60～90质量％。

发明效果

根据本发明，能够获得弯曲部的导电性优异的布线基板。

附图说明

图1是示出本发明的布线基板的截面构造的概略图。

图2是示出实施例的比电阻的评价、弯曲性的评价及转印性评价中所用的光掩模的透光图案的示意图。

图3是示出倒角角度的概略图。

具体实施方式

本发明的布线基板具有布线和在两面具有电极的基材，该布线连接基材两面的该电极且该布线的一部分配置在基材端部。通过采用这种方式，从而能够使显示装置更加小型化、窄边框化。此外，本发明的布线含有有机物及导电性粒子、布线中的导电性粒子的含量为60～90质量％是重要的。通过使布线含有有机物，从而能够在曲面、弯曲部抑制断线并提高导电性。若导电性粒子的含量低于60质量％，则导电性粒子彼此的接触概率降低，导电性下降。另外，在布线的弯曲部，导电性粒子彼此变得容易背离。优选导电性粒子的含量为70质量％以上。另一方面，若导电性粒子的含量超过90质量％，则将难以形成布线图案，并且，容易在弯曲部发生断线。优选导电性粒子的含量为80质量％以下。

作为有机物，例如能够举出环氧树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类共聚物、环氧羧酸酯化合物等。也可以含有2种以上上述有机物。另外，也可以含有具有聚氨酯键的有机物。通过含有具有聚氨酯键的有机物，从而能够提高布线的柔软性。另外，优选有机物显示出感光性，能够更加容易地通过光刻形成微细的布线图案。感光性通过含有例如光聚合引发剂、具有不饱和双键的成分来呈现。

本发明中的导电性粒子是指由电阻率为10^-5ω·m以下的物质构成的粒子。作为构成导电性粒子的材料，例如能够举出银、金、铜、铂、铅、锡、镍、铝、钨、钼、铬、钛、铟、锑、锆、钯、这些金属的合金或氧化物或者碳粒子。更具体来说，例如能够举出铟锡氧化物、氧化铟-氧化锌复合氧化物、铝锌氧化物、铟锌氧化物、氟锌氧化物、氟铟氧化物、锑锡氧化物或氟锡氧化物。

在本发明的布线基板中，优选布线含有2种以上的导电性粒子。通过含有2种以上的导电性粒子，从而在后述的热处理工序中，能够抑制同种的导电性粒子彼此烧结而体积收缩，作为结果，能够抑制布线整体上的体积收缩，提高弯曲性。在此，2种以上表示粒子的材料不同，在材料相同而粒径不同的情况下为1种。

优选2种以上导电性粒子中的粒径最大的导电性粒子(大径粒子)的平均粒径相对粒径最小的导电性粒子(小径粒子)的平均粒径之比(大径粒子/小径粒子)为5～400。若平均粒径之比(大径粒子/小径粒子)为5以上，则容易通过在大径粒子彼此之间配置小径粒子来形成导电通路，能够进一步抑制弯曲部的断线、进一步提高导电性。更加优选平均粒径之比(大径粒子/小径粒子)为15以上。另一方面，若平均粒径之比(大径粒子/小径粒子)为400以下，则能够更加容易地形成期望的形状的布线图案。更加优选平均粒径之比(大径粒子/小径粒子)为200以下。在此，“平均粒径”是指随机选择的40个导电性粒子的一次粒子的最大宽度的数平均值。布线中的导电性粒子的平均粒径能够通过以下的方法测定。首先将布线溶解在四氢呋喃(thf)中，回收沉降的导电性粒子，使用箱式烘箱于70℃干燥10分钟，然后使用电子显微镜(sem)以10000倍的倍率、12μm的视野宽度进行观察。通过测定随机选择的40个导电性粒子的一次粒子各自的最大宽度并计算其数平均值，从而求出布线中的导电性粒子的平均粒径。在含有2种以上的导电性粒子的情况下，同样地求出各导电性粒子的平均粒径。需要说明的是，作为构成布线的材料的导电性粒子的平均粒径与布线中的导电性粒子的平均粒径通常不发生变化，因此在作为构成各布线的材料的导电性粒子的平均粒径已知的情况下，能够将其平均粒径作为各布线中的导电性粒子的平均粒径。例如，在预先使用粒度分布计测定大径粒子及小径粒子的平均粒径并制备含有这些粒子的布线的情况下，能够将使用粒度分布计得到的各平均粒径作为布线中的各导电性粒子的平均粒径。

在2种以上的导电性粒子中，优选大径粒子的含量相对小径粒子的含量的质量比(大径粒子/小径粒子)为20～1500。若含量的质量比为20以上，则能够进一步提高大径粒子彼此的接触概率、进一步提高布线的导电性。更加优选含量的质量比(大径粒子/小径粒子)为30以上、进一步优选50以上。另一方面，若含量的质量比为1500以下，则小径粒子配置在大径粒子间的概率高、能够进一步抑制弯曲部的断线、进一步提高导电性。更加优选含量的质量比(大径粒子/小径粒子)为1000以下。

优选导电性粒子的平均粒径为0.005～2.0μm。对于此处的平均粒径而言，在含有2种以上导电性粒子的情况下为大径粒子的平均粒径。若导电性粒子的平均粒径为0.005μm以上，则能够适度抑制导电性粒子间的相互作用、更加稳定地保持导电性粒子的分散状态。更加优选导电性粒子的平均粒径为0.01μm以上。另一方面，若导电性粒子的平均粒径为2.0μm以下，则将变得容易形成期望的布线图案。更加优选导电性粒子的平均粒径为1.5μm以下。

优选布线的厚度为2.0～10.0μm。若布线的厚度为2.0μm以上，则能够进一步抑制弯曲部的断线、进一步提高导电性。更加优选布线的厚度为4.0μm以上。另一方面，若布线的厚度为10.0μm以下，则能够更加容易地在制造工序中形成布线图案。更加优选布线的厚度为8.0μm以下。在此，布线的厚度表示平均厚度。

基材为用于在其表面上形成布线等的支承体，例如优选以玻璃、玻璃环氧树脂、陶瓷等为材料。其中，从通用性、价格的方面考虑优选玻璃。另外，优选基材的厚度为0.3～2.0mm。若基材的厚度为0.3mm以上，则在基材端部形成布线时，能够进一步抑制断线。另一方面，若基材的厚度为2.0mm以下，则布线基板整体上的厚度薄，能够使显示器薄壁化。

优选基材的端部具有r倒角部。若基材端部进行了r倒角，则即使将布线沿着基材的端面形状配置，布线的弯曲的程度与未进行r倒角的情况比较也会减小，因此能够进一步抑制布线的断线，还能够进一步抑制电阻值的上升。需要说明的是，r倒角的形状及曲率半径能够考虑基材的厚度、布线的柔软性适当选择。

另外，进一步优选基材的端部具有倒角角度为1°～70°的角部倒角部，并在侧面具有0.1mm以上的平坦部。在这里，如图3所示，倒角角度表示主面5的延长与实施了角部倒角的面6所成的角8。平坦部7表示与主面5大致正交的部分。若倒角角度为1°以上，则即使将布线沿着基材的端面形状配置，布线弯曲的程度也比未进行倒角的情况小，因此能够进一步抑制布线的断线。另一方面，若倒角角度为70°以下，则不易在侧面部产生锐角的部分，能够进一步抑制断线。另外，通过在侧面具有0.1mm以上的平坦部，从而侧面部不具有锐角的部分，因此能够进一步抑制布线的断线。需要说明的是，倒角的角度、宽度能够考虑基材的厚度、尺寸、布线的柔软性而适当选择。

在本发明的布线基板中，如图1所示，电极2形成在基材1的两面，分别与配置在基材端部的布线3的一部分连接。电极能够使用公知的多种材料，例如能够举出铟、锡、锌、镓、锑、钼、钛、锆、镁、铝、金、银、铜、钯或者钨或以上金属的氧化物、2种以上材料的复合材料。其中，从高耐腐蚀性、高热传导性的观点出发优选使用mo/al/mo、ti/al/ti。

接下来，说明本发明的布线基板的制造方法。本发明的布线基板的制造方法依次具有：在膜上形成含有有机物及导电性粒子的感光性导电糊剂的涂膜的工序；对涂膜进行曝光、显影而获得具有图案的干膜的工序；将干膜的图案贴合于两面具有电极的基材并进行热处理，将膜剥离的工序。通过采用这种方式，从而能够在大面积的基材上形成具有期望图案的布线。另外，由于预先将具有期望图案的干膜贴合于基材，因此无需担心基材被曝光、显影工序中使用的药液侵蚀，能够制作高品位的显示器。

本发明的布线基板的制造方法包含在膜上形成含有有机物及导电性粒子的感光性导电糊剂的涂膜的工序。作为膜，能够使用涂布有脱模剂的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜等。感光性导电糊剂是指能够通过光刻形成导电图案并含有导电性粒子的糊剂。其中，优选含有光聚合引发剂、具有不饱和双键的成分。作为感光性导电糊剂的涂布方法，例如能够举出喷涂、辊涂、丝网印刷、使用涂布机(例如刮涂机、模涂机、压延涂布机、弯月面涂布机、棒涂机等)的涂布等。

也可以将所制得的涂膜通过例如加热干燥(使用烘箱、热板、红外线等的干燥等)、真空干燥进行干燥。优选干燥时间为1分钟～几个小时。在进行加热干燥的情况下，优选加热温度为50～180℃。

本发明的布线基板的制造方法包含对涂膜进行曝光、显影而获得具有图案的干膜的工序。作为曝光的光源，优选汞灯的i线(365nm)、h线(405nm)、g线(436nm)等。

作为显影方法，能够举出碱显影、有机显影等。

作为进行碱显影的情况下的显影液，例如能够举出氢氧化四甲基铵、二乙醇胺、二乙氨基乙醇、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、三乙基胺、二乙基胺、甲基胺、二甲基胺、乙酸二甲氨基乙酯、二甲氨基乙醇、甲基丙烯酸二甲氨基乙基酯、环己胺、乙二胺、六亚甲基二胺等的水溶液。也可以在这些水溶液中添加n-甲基-2-吡咯烷酮、n，n-二甲基甲酰胺、n，n-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯等极性溶剂；甲醇、乙醇、异丙醇等醇类；乳酸乙酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯等酯类；环戊酮、环己酮、异丁酮、甲基异丁酮等酮类；表面活性剂等。

作为在进行有机显影的情况下的显影液，例如能够举出前述的极性溶剂、这些极性溶剂与甲醇、乙醇、异丙醇、二甲苯、水、甲基卡必醇、乙基卡必醇的混合溶液等。

作为显影方法，例如能够举出一边使具有涂膜的膜静置或旋转一边向涂膜面喷雾显影液的方法、将具有涂膜的膜浸渍在显影液中的方法、一边将具有涂膜的膜浸渍在显影液中一边施加超声波的方法等。

也可以对通过显影得到的图案实施使用淋洗液的淋洗处理。作为淋洗液，例如能够举出水、水中添加有乙醇、异丙醇等醇类的水溶液；水中添加有乳酸乙酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯等酯类的水溶液等。

优选上述膜的厚度为10～80μm。若膜厚度为10μm以上，则图案加工时的处理性优异。另一方面，若膜厚度为80μm以下，则能够防止在向基材贴合时在基材与干膜之间产生间隙。

本发明的布线基板的制造方法包含将干膜的图案贴合于两面具有电极的基材并进行热处理、将膜剥离的工序。通过所述热处理，干膜的图案被转印到两面具有电极的基材上。也可以通过所述热处理，进一步使图案显示出导电性。具体来说，也可以将该图案以与电极连接的方式贴合于两面具有电极的基材并进行热处理，将图案转印到基材上。作为热处理的工序，也可以在对位于基材侧面的图案进行热处理后对余部进行热处理。通过采用这种方式，从而能够抑制在基材与干膜之间产生间隙。另外，也可以在对位于基材的一个面上的图案进行热处理后对位于基材侧面的图案进行热处理，然后对位于基材的另一面的图案进行热处理。通过采用这种方式，从而容易进行电极与干膜的定位，能够可靠地将它们粘接。另外，也可以对位于基材的两面及侧面的图案一并进行热处理。通过采用这种方式，从而能够在短时间内进行干膜转印，能够提高生产率。

作为对上述图案进行热处理的方法，能够举出使用热板、热辊层压机、模具进行的热压接等。

优选热处理时的温度为70℃～300℃。若热处理时的温度为70℃以上，则能够在短时间内将该图案转印到基材上。更加优选热处理时的温度为100℃以上。另一方面，若热处理时的温度为300℃以下，则能够抑制所转印的图案因热流动而变形。更加优选热处理时的温度为180℃以下。

本发明的布线基板的制造方法也可以具有在将膜剥离工序后进一步将图案设为导电性的布线的工序。作为对转印后的图案赋予导电性的方法，例如能够举出使用烘箱、惰性炉、热板的加热干燥；使用紫外线灯、红外线加热器、卤素加热器、氙闪光灯等的电磁波、微波的加热干燥；使用ir激光、uv激光、绿色激光等的激光处理等。在通过加热赋予导电性的情况下，优选加热温度为100～300℃。若加热温度为100℃以上，则图案的硬度提高，能够抑制由与其他构件的接触引起的缺失、剥落等。另外，能够提高与基板的密合性。更加优选加热温度为120℃以上。另一方面，若加热温度为300℃以下，则能够抑制所转印的图案因热流动而变形。更加优选加热温度为180℃以下。优选加热时间为1分钟～数小时。

在本发明的布线基板的制造方法中，也可以使得获得所述干膜的工序还具有在所形成的图案上的至少一部分形成树脂层的工序，在将干膜的图案贴合于所述两面具有电极的基材的工序中，以使树脂层配置在电极以外的部分的方式贴合。通过形成树脂层，从而该部分作为缓冲材料起作用，能够抑制具有图案形状的干膜的断线。

本发明的布线基板的制造方法中，也可以在将干膜的图案贴合于所述两面具有电极的基材的工序中，在所述两面具有电极的基材的电极以外的部分的至少一部分形成树脂层后，对所述干膜的图案进行热处理。通过形成树脂层，从而该部分作为缓冲材料起作用，能够抑制具有图案形状的干膜的断线。

接下来，说明本发明的高导电布线基板的制造方法。在此，本发明中的高导电布线基板是指针对本发明的布线基板提高布线中的导电性粒子的含量并减小布线电阻而得的布线基板。本发明的高导电布线基板的制造方法具有向前述的本发明的布线基板的布线照射激光的工序。优选通过前述的本发明的布线基板的制造方法制造布线基板，并向其布线照射激光。通过向布线照射激光，从而能够将有机物等导电性粒子以外的成分除去，提高布线中的导电性粒子含有率。因此，能够进一步减小布线的电阻、布线与电极的接触电阻、进一步提高弯曲部的导电性。在存在有一定量的有机物且具有柔软性的状态下将布线配置于基材端部后，由于通过激光照射来提高布线中的导电性粒子含有率，因此与将导电性粒子含有率超过90质量％的布线配置于基材端部的情况相比，能够抑制弯曲部的断线。需要说明的是，在本发明的高导电布线基板的制造方法中，对于激光照射后的布线的导电性粒子含有率而言，与激光照射前相比提高即可，其也可以超过90质量％。

作为激光，例如能够举出ir激光、uv激光、绿色激光等。也可以使用2种以上的上述激光。其中，优选使用能够有效地对树脂、金属进行加热的ir激光。

实施例

以下，举出实施例及比较例来详细说明本发明，但本发明的方式并非限定于这些例子。

＜合成例1：树脂(a)的合成＞

在氮气氛的反应容器中加入150g的二甲氨基甲醇(以下记为“dmea”；东京化成工业(株)制)，使用油浴升温至80℃。向该反应容器中经1小时滴加包含20g的丙烯酸乙酯(以下记为“ea”)、40g的甲基丙烯酸2-乙基己酯(以下记为“2-ehma”)、20g的苯乙烯(以下记为“st”)、15g的丙烯酸(以下记为“aa”)、0.8g的2，2’-偶氮二异丁腈及10g的dmea的混合物。在滴加结束后，进一步于80℃在氮气氛下进行6小时聚合反应。然后，添加1g的对苯二酚单甲醚而使聚合反应停止。接下来，经0.5小时滴加包含5g的甲基丙烯酸缩水甘油酯(以下记为“gma”)、1g的苄基三乙基氯化铵及10g的dmea的混合物。在滴加结束后，进一步于80℃在氮气氛下进行2小时加成反应。使用甲醇对所制得的反应溶液进行提纯以将未反应杂质除去，进一步进行24小时的真空干燥，制得共聚比(质量基准)：ea/2-ehma/st/gma/aa＝20/40/20/5/15的树脂(a)。所制得的树脂(a)的酸值为103mgkoh/g。

＜制备例1：感光性导电糊剂1的制备＞

在100ml清洁瓶中，作为树脂加入10.0g的树脂(a)、作为光聚合引发剂加入0.50g的“irgacure”(注册商标)oxe-01(日本汽巴(株)制)、作为溶剂加入5.0g的dmea及作为具有不饱和双键的化合物加入2.0g的“lightacrylate”(注册商标)bp-4ea(共荣社化学(株)制)，使用自转-公转真空混合器“awatorirentaroare-310”((株)thinky制)进行混合，制得17.5g的树脂溶液(固体成分71.4质量％)。

将所制得的17.50g的树脂溶液、44.02g的平均粒径为1.0μm的银粒子及0.28g的平均粒径为0.05μm的碳黑混合，使用3辊磨机“exaktm-50”(exakt社制)进行混炼，制得61.8g的感光性导电糊剂1。需要说明的是，银粒子、碳黑的平均粒径使用电子显微镜(sem)以10000倍的倍率、12μm的视野宽度观察各粒子，测定随机选择的40个银粒子及碳黑的一次粒子各自的最大宽度，计算该最大宽度的数平均值。

＜制备例2：感光性导电糊剂2的制备＞

除了使用23.03g的平均粒径为1.0μm的银粒子和0.179g的平均粒径为0.05μm的碳黑以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂2。

＜制备例3：感光性导电糊剂3的制备＞

除了使用70.39g的平均粒径为1.0μm的银粒子和0.417g的平均粒径为0.05μm的碳黑以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂3。

＜制备例4：感光性导电糊剂4的制备＞

除了代替平均粒径0.05μm的碳黑使用平均粒径为0.01μm的碳黑以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂4。

＜制备例5：感光性导电糊剂5的制备＞

除了代替平均粒径1.0μm的银粒子使用平均粒径为1.5μm的银粒子以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂5。

＜制备例6：感光性导电糊剂6的制备＞

除了代替平均粒径1.0μm的银粒子使用平均粒径为1.5μm的银粒子、以及代替平均粒径0.05μm的碳黑使用平均粒径为0.01μm的碳黑以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂6。

＜制备例7：感光性导电糊剂7的制备＞

除了使用43.45g的平均粒径为1.0μm的银粒子和0.850g的平均粒径为0.05μm的碳黑以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂7。

＜制备例8：感光性导电糊剂8的制备＞

除了使用44.24g的平均粒径为1.0μm的银粒子和0.057g的平均粒径为0.05μm的碳黑以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂8。

＜制备例9：感光性导电糊剂9的制备＞

除了使用44.26g的平均粒径为1.0μm的银粒子和0.040g的平均粒径为0.05μm的碳黑以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂9。

＜制备例10：感光性导电糊剂10的制备＞

除了使用44.02g的平均粒径为1.0μm的银粒子和0.280g的平均粒径为0.05μm的锑锡氧化物以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂10。需要说明的是，锑锡氧化物的平均粒径使用电子显微镜(sem)以10000倍的倍率、12μm的视野宽度观察各粒子，测定随机选择的40个银粒子及锑锡氧化物的一次粒子各自的最大宽度，并计算它们的数平均值。

＜制备例11：感光性导电糊剂11的制备＞

除了使用12.37g的平均粒径为1.0μm的银粒子和0.125g的平均粒径为0.05μm的碳黑以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂11。

＜制备例12：感光性导电糊剂12的制备＞

除了使用236.16g的平均粒径为1.0μm的银粒子和1.250g的平均粒径为0.05μm的碳黑以外，以与制备例1同样的方式制得感光性导电糊剂12。

各实施例及比较例中的评价方法如下。

＜转印前比电阻的评价＞

作为导电性的指标，使用测试器将通过各实施例及比较例得到的比电阻测定用(转印前初始电阻)试样的两端部连接，对电阻值进行测定，根据以下的式(1)计算比电阻。另外，使用该值作为求出转印后的电阻变化率时的初始值。

比电阻＝电阻值×膜厚×线宽/线长(1)。

＜转印部观察评价＞

作为弯曲部的断线抑制效果的指标，使用光学显微镜以1000倍的倍率、350μm的视野宽度观察通过各实施例及比较例得到的转印试样。将转印后的布线没有断线的试样判定为无断线、将转印后的布线出现断线、转印不良、开裂的试样判定为有断线。

＜转印后比电阻的评价＞

作为弯曲部的导电性的指标，使用测试器将通过各实施例及比较例得到的转印试样的布线两端部连接，对电阻值进行测定，并通过式(1)计算比电阻。另外，根据以下的式(2)计算电阻变化率。将所计算的电阻变化率为1.20以下的试样判定为a、将大于1.20且为2.00以下的试样判定为b、将大于2.00的试样及转印后的电阻值为绝缘的试样判定为c。

电阻变化率＝转印后比电阻/转印前初始比电阻(2)。

＜弯曲性评价＞

针对通过各实施例及比较例得到的弯曲性评价用试样，在厚度为0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.7mm、1.0mm、1.2mm、1.5mm、2.0mm的间隔件(sus制)上以布线位于外侧的方式卷绕弯曲性评价用试样的宽度为50μm的部分，将玻璃板载置于其上并固定，进行弯曲性评价。将这里的间隔件的厚度设为能够弯曲的弯曲直径(φ)。此外，对固定并静置10分钟后的电阻值进行测定，利用式(1)计算比电阻，根据以下的式(3)计算电阻变化率。将所算出的电阻变化率为1.10以下的试样判断为在所评价的弯曲直径下能够弯曲，将电阻变化率大于1.10的试样及弯曲后显示为绝缘的试样判断为在所评价的弯曲直径下无法弯曲。进行该测定，求出能够弯曲的最小弯曲直径。

电阻变化率＝弯曲后比电阻/弯曲前比电阻(3)。

(实施例1)

＜比电阻测定用(转印前初始电阻)及弯曲性评价用试样的制备＞

在厚度50μm的pet膜上，以干燥后的膜厚成为6.0μm的方式涂布通过制备例1得到的感光性导电糊剂1，将所制得的涂布膜在100℃的干燥烘箱内干燥10分钟。隔着具有图2所示的透光图案的光掩模，使用具有超高压汞灯的曝光机以350mj/cm²的曝光量曝光后，作为显影液使用0.1质量％的碳酸钠水溶液，以0.1mpa的压力进行30秒的喷雾显影，得到图案。然后，将所得到的图案在140℃的干燥烘箱内固化30分钟，制得比电阻测定用及弯曲性评价用试样。所得到的图案的线宽为50μm、线长为90mm。

＜转印试样的制备＞

在厚度为16μm的pet膜上涂布脱模剂而得的脱模pet膜上，通过与＜比电阻测定用及弯曲性评价用试样的制备＞相同的方法制作图案，制得转印用试样。将转印用试样以布线的一部分配置在具有r倒角部的玻璃端部的方式贴合于两面，将玻璃侧面部按压于130℃的热板30秒，然后使用热辊层压机在130℃、1.0m/分钟的条件下对余部进行转印，制得转印试样。

(实施例2～15、19、比较例1、2)

除了将感光性导电糊剂的种类、布线的厚度、玻璃端部的倒角部按照表1、2的记载进行变更以外，以与实施例1同样的方式制备比电阻测定用试样及转印试样。

(实施例16)

在(实施例1)的＜转印试样的制备＞中，除了按照前面、侧面、后面的顺序执行转印方法以外，以与实施例1同样的方式进行试样的制备/评价。具体来说，将转印用试样以布线的一部分配置于具有r面的玻璃端部的方式贴合于两面，在使用130℃的热板对基材的一个面的图案进行30秒的转印后，对基材侧面的图案进行30秒的转印，然后对基材的另一个面的图案进行转印以制备转印试样。

(实施例17)

在(实施例1)的＜转印试样的制备＞中，在将玻璃端部浸入树脂溶液中并拉出的试样在100℃的干燥烘箱内干燥10分钟后，制得转印试样，除此以外，以与实施例1同样的方式进行试样的制备/评价。

(实施例18)

在(实施例1)的＜转印试样的制备＞中，在转印试样的布线的一部分涂布树脂溶液并在100℃的干燥烘箱内干燥10分钟后，制得转印试样，除此以外，以与实施例1同样的方式进行试样的制备/评价。

将实施例1～19及比较例1、2的构成示于表1、2，将评价结果示于表3。

【表1】

【表2】

【表3】

(实施例20)

使用“烧成用半导体激光trm60tc-l-n”(tamari社制)向(实施例1)的＜转印试样的制备＞中所制得的转印试样的布线照射激光，制得高导电布线基板试样。所使用的激光的条件是中心波长为970nm、输出为140w，并向布线照射7秒。将所制得的试样的布线两端部使用测试器连接，对电阻值进行测定，通过式(1)进行计算，结果比电阻为9.8×10^-6(ω·cm)。

根据表3可知，在转印评价中，实施例1～19的试样在转印前后的电阻变化率小，为1.9以下。此外，在转印部观察评价中也未发现断线。另外，在弯曲性评价中，能够弯曲的最小弯曲直径也小，为0.5mm以下。另一方面，比较例1及2的试样在转印前或转印后发现断线，无法计算电阻变化率，在比较例2的弯曲性评价中，能够弯曲的最小弯曲直径也较大，为2.0mm。另外，根据实施例20，通过向转印后的试样的布线照射激光，从而得到比电阻更小的试样。

附图标记说明

1：基材

2：电极

3：布线

4：透光图案

5：主面

6：实施了角部倒角的面

7：侧面的平坦部

8：倒角角度