1.一种基于改进型tia的超宽带放大器单元电路，其特征在于，包括：第一部分电路(100)、第二部分电路(200)和第三部分电路(300)；第一部分电路(100)和第二部分电路(200)的差分输入端相连，并作为整个放大器的输入端；第二部分电路(200)的输出端与第三部分电路(300)的输入端直接相连；第一部分电路(100)是用于中和放大器输入电容的独立于主放大器之外的负电容发生器；第二部分电路(200)是将输入电压信号转换成电流信号的跨导级放大器；第三部分电路(300)是将电流信号转换成电压信号并输出的改进型跨阻放大器。
2.如权利要求1所述的基于改进型tia的超宽带放大器单元电路，其特征在于，第一部分电路(100)包括第一差分放大器、第一差分输入信号和中和电容；第一差分放大器包括第十一晶体管m11、第十二晶体管m12、第一电阻r1和第二电阻r2，其中第十一晶体管m11和第十二晶体管m12的源极连接后通过第二电流源i2接地，第十一晶体管m11和第十二晶体管m12的漏极分别通过第一电阻r1和第二电阻r2连接电源vcc；中和电容包括第一电容cn1和第二电容cn2，第十一晶体管m11的栅极通过第一电容cn1与第十二晶体管m12的漏极连接，第十二晶体管m12的栅极通过第二电容cn2与第十一晶体管m11的漏极连接，第十一晶体管m11和第十二m12的栅极分别连接差分输入信号vin和vip。
3.如权利要求2所述的基于改进型tia的超宽带放大器单元电路，其特征在于，第十一晶体管m11和第十二晶体管m12为n型晶体管。
4.如权利要求1所述的基于改进型tia的超宽带放大器单元电路，其特征在于，第二部分电路(200)包括第二差分放大器和第二差分输入信号，第二差分放大器包括第一晶体管m1、第二晶体管m2、第三晶体管m3和第四晶体管m4，第一晶体管m1和第二晶体管m2的源极连接后经第一电流源i1接地，第一晶体管m1和第二晶体管m2的栅极分别接差分输入电压vip和vin，第一晶体管m1和第二晶体管m2的漏极分别连接第三晶体管m3和第四晶体管m4的漏极，连接点分别为节点a和节点b；第三晶体管m3和第四晶体管m4的栅极均接电压vp，第三晶体管m3和第四晶体管m4的源极均接电源vcc。
5.如权利要求4所述的基于改进型tia的超宽带放大器单元电路，其特征在于，第一晶体管m1和第二晶体管m2为n型晶体管，第三晶体管m3和第四m4为p型晶体管。
6.如权利要求1所述的基于改进型tia的超宽带放大器单元电路，其特征在于，第三部分电路(300)包括两个反相器结构、两个反馈电阻、两个自偏置尾电流源和第三差分输出信号；第一反相器结构包括第五晶体管m5和第九晶体管m9，第二反相器结构包括第六晶体管m6和第十晶体管m10，第一自偏置尾电流源包括第七晶体管m7和第一偏置电阻rb1，第二自偏置尾电流源包括第八晶体管m8和第二偏置电阻rb2；第五晶体管m5和第九晶体管m9的栅极均连接节点a，第六晶体管m6和第十晶体管m10的栅极均连接节点b，第五晶体管m5的漏极和第六晶体管m6的漏极之间串联连接第一偏置电阻rb1和第二偏置电阻rb2，其连接点与第七晶体管m7和第八晶体管m8的栅极连接；第五晶体管m5和第六晶体管m6的源极连接，且同时与第七晶体管m7和第八晶体管m8的漏极连接；第七晶体管m7的源极和第八晶体管m8的源极均与地连接；第五晶体管m5和第九晶体管m9的漏极、第六晶体管m6和第十晶体管m10的漏极分别与差分输出端vop和von连接，第九晶体管m9和第十晶体管m10的源极接电源vcc，节点a和b分别通过第一反馈电阻rf1和第二反馈电阻rf2连接输出端vop和von。
7.如权利要求6所述的基于改进型tia的超宽带放大器单元电路，其特征在于，第五晶体管m5、第六晶体管m6、第七晶体管m7和第八晶体管m8为n型晶体管，第九晶体管m9和第十晶体管m10为p型晶体管。