技术特征：
1.一种电流复用低噪声混频器，其特征在于，包括：低噪声混频级、增益放大级、多相滤波器和求和电路；所述低噪声混频级的输入端与射频输入信号连接，所述低噪声混频级的输出端与所述增益放大级的输入端连接，所述增益放大级的输出端与所述多相滤波器的输入端连接，所述多相滤波器的输出端与所述求和电路的输入端连接；所述射频输入信号通过所述低噪声混频级进入所述增益放大级，经过所述增益放大级增益放大的i/q两路信号输入到所述多相滤波器，经过所述多相滤波器的镜像抑制后产生的i/q两路信号经过求和电路相加后输出。2.根据权利要求1所述的电流复用低噪声混频器，其特征在于，所述低噪声混频级包括：第一nmos管～第八nmos管、第一电容～第二电容、第一电阻～第十一电阻；视频输入信号通过第二电容接第一nmos管的栅极，第一nmos管的栅极通过第十一电阻接第八nmos管的栅极，第一nmos管的源极接地，第一nmos管的漏极接第二nmos管的源极和第三nmos管的源极；第八nmos管的栅极接第八nmos管的漏极，第八nmos管的源极接地，第八nmos管的漏极接第一偏置电压；第一nmos管的基极和第八nmos管的基极接地；第一电容的一端接第一nmos管的栅极，第一电容的另一端接地；第二nmos管的栅极接第二偏置电压，第二nmos管的源极接第三nmos管的源极，第二nmos管的漏极接第四nmos管的源极和所述第五nmos管的源极；第三nmos管的栅极通过第十电阻、第九电阻接第二偏置电压，第三nmos管的源极接第一nmos管的漏极，第三nmos管的漏极接第六nmos管的源极和第七nmos管的源极，第二nmos管和第三nmos管的基极接地；第四nmos管的栅极通过第四电容接正交本振信号，第四nmos管的源极第五nmos管的源极，第四nmos管的漏极通过第一电阻接电源电压；第五nmos管的栅极通过第三电容接正交本振信号，第五nmos管的源极接第二nmos管的漏极，第五nmos管的漏极通过第二电阻接电源电压；第四nmos管的基极和第五nmos管的基极接电源电压；第五电阻的一端接第四nmos管的栅极，第五电阻的另一端接第三偏置电压；第六电阻的一端接第五nmos管的栅极，第六电阻的另一端接第三偏置电压；第六nmos管的栅极通过第五电容接正交本振信号，第六nmos管的源极接第七nmos管的源极，第六nmos管的漏极通过第三电阻接电源电压；第七nmos管的栅极通过第六电容接正交本振信号，第七nmos管的源极接第三nmos管的漏极，第七nmos管的漏极通过第四电阻接电源电压；第六nmos管的基极和第七nmos管的基极接电源电压；第七电阻的一端接第六nmos管的栅极，第七电阻的另一端接第三偏置电压；第八电阻的一端接第七nmos管的栅极，第八电阻的另一端接第三偏置电压；第七电容的一端接作为低噪声混频级的输出端，第七电容的另一端接第八电容的一端；第八电容的一端接第一电阻的一端，第八电容的另一端接第九电容的一端；第九电容的一端接第二电阻的一端，第九电容的另一端作为低噪声混频级的输出端；第十电容的一端作为低噪声混频级的输出端，第十电容的另一端接第十一电容的一端；第十一电容的一端接第三电阻的一端，第十一电容的另一端接第十二电容的一端，第十二电容的另一端作为低噪声混频级的输出端。3.根据权利要求1所述的电流复用低噪声混频器，其特征在于，所述增益放大级包括：第九nmos管～第十五nmos管、第十二电阻～第十九电阻、以及，第十二电容～第二十二电
容；第九nmos管的栅极接第九nmos管的漏极，第九nmos管的源极接地，第九nmos管的漏极接第一偏置电压；第十nmos管的栅极接第九nmos管的栅极，第十nmos管的源极接地，第十nmos管的漏极接第十二nmos管的源极和第十三nmos管的源极；第十一nmos管的栅极接第十nmos管的栅极，第十一nmos管的源极接地，第十一nmos管的漏极接第十四nmos管的源极和第十五nmos管的源极；第九nmos管的基极、第十nmos管的基极和第十一nmos管的基极接地；第十二nmos管的栅极通过第十三电容接低噪声混频级的输出端，第十二nmos管的源极接第十三nmos管的源极，第十二nmos管的漏极通过第十二电阻接电源电压；第十三nmos管的栅极通过第十四电容接低噪声混频级的输出端，第十三nmos管的源极接第十nmos管的漏极，第十三nmos管的漏极通过第十三电阻接电源电压；第十二nmos管的基极和第十三nmos管的基极接电源电压；第十六电阻的一端与第十二nmos管的栅极连接，第十六电阻的另一端接第四偏置电压；第十八电阻的一端接第十三nmos管的栅极，第十八电阻的另一端接第四偏置电压；第十四nmos管的栅极通过第十六电容接低噪声混频级的输出端，第十四nmos管的源极接第十五nmos管的源极，第十四nmos管的漏极通过第十四电阻接电源电压；第十五nmos管的栅极通过第十五电容接低噪声混频级的输出端，第十五nmos管的源极接第十一nmos管的漏极，第十五nmos管的漏极通过第十五电阻接电源电压；第十四nmos管的基极和第十五nmos管的基极接电源电压；第十七电阻的一端接第十五nmos管的栅极，第十七电阻的另一端接第四偏置电压；第十九电阻的一端接第十四nmos管的栅极，第十九电阻的另一端接第四偏置电压；第十七电容的一端作为增益放大级的输出端，第十七电容的另一端接第十八电容的一端；第十八电容的一端接第十二电阻的一端，第十八电容的另一端接第十九电容的一端；第十九电容的一端接第十三电阻的一端，第十九电容的另一端作为增益放大级的输出端；第二十电容的一端作为增益放大级的输出端，第二十电容的另一端接第二十一电容的一端；第二十一电容的一端接第十四电阻的一端，第二十一电容的另一端接第二十二电容的一端，第二十二电容的一端接第十五电阻的一端，第二十二电容的另一端作为增益放大级的输出端。4.根据权利要求1所述的电流复用低噪声混频器，其特征在于，所述多相滤波器包括：第二十电阻～第三十五电阻，以及，第二十三电容～第三十八电容；第二十电阻的一端接增益放大级的输出端，第二十电阻的另一端接第二十一电阻的一端，第二十一电阻的另一端接第二十二电阻的一端，第二十二电阻的另一端接第二十三电阻的一端，第二十三电阻的另一端作为多相滤波器的输出端，第二十三电容与第二十电阻并联，第二十四电容与第二十一电阻并联，第二十五电容与第二十二电阻并联，第二十六电容与第二十三电阻并联；第二十四电阻的一端接增益放大级的输出端，第二十四电阻的另一端接第二十电阻的另一端和第二十五电阻的一端，第二十五电阻的另一端接第二十一电阻的另一端和第二十六电阻的一端，第二十六电阻的另一端接第二十二电阻的另一端和第二十七电阻的一端，第二十七电阻的另一端作为多相滤波器的输出端；第二十七电容与第二十四电阻并联，第二十八电容与第二十五电阻并联，第二十九电容与第二十六电阻并联，第三十电容与第二
十七电阻并联；第二十八电阻的一端接增益放大级的输出端，第二十八电阻的另一端接第二十四电阻的另一端和第二十九电阻的一端，第二十九电阻的另一端接第二十五电阻的另一端和第三十电阻的一端，第三十电阻的另一端接第二十六电阻的另一端和第三十一电阻的一端，第三十一电阻的另一端作为多相滤波器的输出端；第三十一电容与第二十八电阻并联，第三十二电容与第二十九电阻并联，第三十三电容与第三十电阻并联，第三十四电容与第三十一电阻并联；第三十二电阻的一端接增益放大级的输出端，第三十二电阻的另一端接第二十八电阻的另一端和第三十三电阻的一端，第三十三电阻的另一端接第二十九电阻的另一端和第三十四电阻的一端，第三十四电阻的另一端接第三十电阻的另一端和第三十五电阻的一端，第三十五电阻的另一端作为多相滤波器的输出端；第三十五电容与第三十二电阻并联，第三十六电容与第三十三电阻并联，第三十七电容与第三十四电阻并联，第三十八电容与第三十五电阻并联。5.根据权利要求1所述的电流复用低噪声混频器，其特征在于，所述求和电路包括：第十六nmos管～第二十二nmos管、第一pmos管～第二pmos管、第三十六电阻～第四十四电阻、第三十九电容～第四十二电容；第十六nmos管的栅极接第十六nmos管的漏极，第十六nmos管的源极接地，第十六nmos管的漏极接第一偏置电压；第十七nmos管的栅极接第十六nmos管的栅极，第十七nmos管的源极接地，第十七nmos管的漏极接第十九nmos管的源极和第二十nmos管的源极；第十八nmos管的栅极接第十七nmos管的栅极，第十八nmos管的源极接地，第十八nmos管的漏极接第二十一nmos管的源极和第二十二nmos管的源极；第十六nmos管的基极、第十七nmos管的基极和第十八nmos管的基极接地；第十九nmos管的栅极通过第三十九电容接多相滤波器的输出端，第十九nmos管的源极接第二十nmos管的源极，第十九nmos管漏极接第四十三电阻的一端；第二十nmos管的栅极通过四十电容接多相滤波器的输出端，第二十nmos管的源极接第十七nmos管的漏极，第二十nmos管的漏极接第二十二nmos管的漏极；第三十六电阻的一端接第十九nmos管的栅极，第三十六电阻的另一端接第四偏置电压；第三十七电阻的一端接第二十nmos管的栅极，第三十七电阻的另一端接第四偏置电压；第二十一nmos管的栅极通过第四十二电容接多相滤波器的输出端，第二十一nmos管的源极接第二十二nmos管的源极，第二十一nmos管的漏极接第十九nmos管的漏极；第二十二nmos管的栅极通过第四十一电容接多相滤波器的输出端，第二十二nmos管的源极接第十八nmos管的漏极，第二十二nmos管的漏极接第四十四电阻的一端；第三十八电阻的一端接第二十一nmos管的栅极，第三十八电阻的另一端接第四偏置电压；第三十九电阻的一端接第二十二nmos管的栅极，第三十九电阻的另一端接第四偏置电压；第一pmos管的栅极接第二pmos管的栅极，第一pmos管的源极接电源电压，第一pmos管的漏极接第四十电阻的一端，第四十电阻的另一端接电源电压；第四十二电阻的一端接第十九nmos管的漏极并作为求和电路的输出端，第四十二电阻的另一端接第四十电阻的一端；第二pmos管的栅极接增益控制信号，第二pmos管的源极接电源电压，第二pmos管的漏
极接第四十一电阻的一端，第四十一电阻的另一端接电源电压，第四十三电阻的一端接第二十二nmos管的漏极并作为求和电路的输出端，第四十三电阻的另一端接第四十一电阻的一端。
技术总结
本公开提供一种电流复用低噪声混频器，涉及无线收发技术领域，能够在单个功能模块中实现低噪声放大和混频功能。具体技术方案为：射频输入信号通过低噪声混频级进入增益放大级，经过增益放大级增益放大的I/Q两路信号输入到多相滤波器，经过多相滤波器的镜像抑制后产生的I/Q两路信号经过求和电路相加后输出。的I/Q两路信号经过求和电路相加后输出。的I/Q两路信号经过求和电路相加后输出。
技术研发人员：周伟
受保护的技术使用者：北斗天地股份有限公司
技术研发日：2020.12.14
技术公布日：2021/9/3