1.一种场效应晶体管电路，其特征在于，包括：
场效应晶体管，所述场效应晶体管包括栅极、源极、漏极、衬底、第一寄生二极管和第二寄生二极管，其中所述第一寄生二极管和第二寄生二极管反向串联，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路的一端连接所述源极，并且所述串联电路的另一端连接所述漏极，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的连接点与所述衬底连接；以及
开关，所述开关的一端与所述连接点连接，所述开关的另一端与所述源极连接，
所述场效应晶体管导通且所述开关导通从而所述源极与所述衬底连通，所述场效应晶体管断开且所述开关断开从而所述源极与所述衬底断开，所述衬底处于浮空状态。
2.如权利要求1所述的场效应晶体管电路，其特征在于，所述场效应晶体管导通且所述开关导通从而所述源极与所述衬底连通时，，所述场效应晶体管的导电沟道形成，所述场效应晶体管断开且所述开关断开从而所述源极与所述衬底断开时，所述场效应晶体管的导电沟道不形成并且所述衬底处于浮空状态。
3.如权利要求2所述的场效应晶体管电路，其特征在于，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路设置成，在所述源极和所述漏极之间不会通过所述串联电路形成导电通路。
4.如权利要求3所述的场效应晶体管电路，其特征在于，
所述场效应晶体管为nmos晶体管，当所述栅极与所述源极之间的栅源电压大于所述场效应晶体管的导通阈值电压时所述场效应晶体管导通，当所述栅源电压小于所述导通阈值电压时所述场效应晶体管断开；或者，
所述场效应晶体管为pmos晶体管，当所述栅极与所述源极之间的栅源电压小于所述场效应晶体管的导通阈值电压时所述场效应晶体管导通，当所述栅源电压大于所述导通阈值电压时所述场效应晶体管断开；
或者，
所述场效应晶体管为nmos晶体管时，所述第一寄生二极管的阳极与所述第二寄生二极管的阳极连接，所述第一寄生二极管的阴极与所述漏极连接，所述第二寄生二极管的阴极与所述源极连接；或者
所述场效应晶体管为pmos晶体管时，所述第一寄生二极管的阴极与所述第二寄生二极管的阴极连接，所述第一寄生二极管的阳极与所述漏极连接，所述第二寄生二极管的阳极与所述源极连接；
或者，
所述开关为nmos型和/或pmos型晶体管开关，所述晶体管开关的栅极与所述场效应晶体管的栅极连接，所述晶体管开关的源极与所述连接点连接，所述晶体管开关的漏极与所述场效应晶体管的源极连接
或者，
所述开关为三极管，所述三极管的基极经由第一电阻连接至场效应晶体管的所述栅极，所述三极管的发射极/集电极连接所述连接点，所述三极管的集电极/发射极连接所述场效应集体管的源极
或者，
所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有第二开关，
所述第二开关设置为：当所述场效应晶体管断开时，所述第二开关确保所述场效应管的栅极氧化层不会被击穿和/或所述场效应晶体管不形成导电沟道
或者，
所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有第二开关，所述第二开关为耐压二极管，
当所述场效应晶体管为nmos晶体管时，所述耐压二极管的阳极与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述耐压二极管的阴极与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接；或者当所述场效应晶体管为pmos晶体管时，所述耐压二极管的阴极与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述耐压二极管的阳极与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接
或者，
所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有三极管，所述三极管的发射极/集电极连接所述场效应晶体管的栅极，所述三极管的集电极/发射极连接所述场效应晶体管的漏极
或者，
所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有第二开关，
当所述场效应晶体管为nmos晶体管时，所述第二开关为第二nmos晶体管开关，所述第二nmos开关晶体管具有第三寄生二极管，所述第二nmos晶体管的源极与第三寄生二极管的一端、与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述第二nmos晶体管的漏极与第三寄生二极管的另一端、与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接；或者
当所述场效应晶体管为pmos晶体管时，所述第二开关为第二pmos晶体管开关，所述第二pmos晶体管开关具有第三寄生二极管，所述第二pmos晶体管开关的源极和第三寄生二极管的一端、与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述第二pmos晶体管的漏极和第三寄生二极管的另一端、与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接
或者，
通过第一肖特基二极管与第二肖特基二极管来替代所述开关，
当所述场效应晶体管为nmos晶体管时，所述第一肖特基二极管的阴极与所述第二肖特基二极管的阴极连接并且与所述衬底连接，所述第一肖特基二极管的阳极与所述漏极连接，所述第二肖特基二极管的阳极与所述源极连接；或者，
当所述场效应晶体管为pmos晶体管时，所述第一肖特基二极管的阳极与所述第二肖特基二极管的阳极连接并且与所述衬底连接，所述第一肖特基二极管的阴极与所述漏极连接，所述第二肖特基二极管的阴极与所述源极连接
或者，
所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有第二开关，
所述第二开关设置为：当所述场效应晶体管断开时，所述第二开关确保所述场效应管的栅极氧化层不会被击穿和/或所述场效应晶体管不形成导电沟道
或者，
所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有第二开关，所述第二开关为耐压二极管，
当所述场效应晶体管为nmos晶体管时，所述耐压二极管的阳极与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述耐压二极管的阴极与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接；或者当所述场效应晶体管为pmos晶体管时，所述耐压二极管的阴极与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述耐压二极管的阳极与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接
或者，
所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有第二开关，
当所述场效应晶体管为nmos晶体管时，所述第二开关为第二nmos晶体管开关，所述第二nmos开关晶体管具有第三寄生二极管，所述第二nmos晶体管的源极与第三寄生二极管的一端、与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述第二nmos晶体管的漏极与第三寄生二极管的另一端、与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接；或者
当所述场效应晶体管为pmos晶体管时，所述第二开关为第二pmos晶体管开关，所述第二pmos晶体管开关具有第三寄生二极管，所述第二pmos晶体管开关的源极和第三寄生二极管的一端、与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述第二pmos晶体管的漏极和第三寄生二极管的另一端、与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接。
5.一种如权利要求1至4中任一项所述的场效应晶体管电路的控制方法，其特征在于，所述方法包括：
所述场效应晶体管被控制为导通，并且所述开关被控制为导通，以使得所述源极与所述衬底连通；以及
所述场效应晶体管被控制为断开，并且所述开关被控制为断开以使得所述源极与所述衬底断开，所述衬底处于浮空状态。
6.一种充放电控制装置，所述充放电控制装置用于对电池/电池组的充电电流和/或放电电流进行控制，其特征在于，包括：
如权利要求1至4中任一项所述的场效应晶体管电路；以及
驱动电路，所述驱动电路为所述场效应晶体管电路的所述场效应晶体管的栅极提供驱动信号，以便当充电电流和/或放电电流正常时，所述场效应晶体管导通，当充电电流和/或放电电流异常时，所述场效应晶体管断开。
7.如权利要求6所述的充放电控制装置，其特征在于，所述场效应管电路设置在所述电池/电池组的正极侧或者负极侧
或者，
还包括：
检测电路，所述检测电路用于对所述充电电流和/或放电电流进行检测；以及
控制逻辑电路，所述控制逻辑电路基于所述检测电路的检测信号来向所述驱动电路提供开关控制信号。
8.一种芯片，其特征在于，所述芯片集成有如权利要求1至4中任一项所述的场效应晶体管电路，或者集成有如权利要求6至7中任一项所述的充放电控制装置。
9.一种电池管理系统，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一项所述的场效应晶体管电路，或者包括如权利要求6至7中任一项所述的充放电控制装置。
10.一种电设备，其特征在于，包括：
电池/电池组，所述电池/电池组用于为所述电设备中的其他部件供电；以及
如权利要求1至4中任一项所述的场效应晶体管电路，所述场效应晶体管电路用于对所述电池/电池组的充电电流或放电电流进行控制；或者如权利要求6至7所述的充放电控制装置，所述充放电控制装置用于对所述电池/电池组的充电电流或放电电流进行控制；或者如权利要求8所述的芯片，所述芯片用于对所述电池/电池组的充电电流或放电电流进行控制。