一种实现多维度套铜的加工方法
1.技术领域
2.本发明属于pcb加工技术领域，具体涉及一种实现多维度套铜的加工方法。
3.
背景技术：
4.现有技术中，对线路套铜的流程如下：第一步：打开工作层gtl(线路层名)过滤出除铜皮以外的焊盘、移动到element（层名）层；第二步：打开element作为工作层disjoint工作层gtl,然后将选出的内容，copy到一个辅助层element++；第三步：将element++的焊盘负性加大移动到gtl层，掏开与铜的距离；第四步：将gtl转铜后，再将element层的资料移动回去。
5.但是，这种方法往往会造成焊盘补偿后、或涨pad后， smd\pad凸出铜皮然后距其他任意网络铜皮距离不足后网络导通造成的短路情况。
6.另外，在现在的cam处理资料中，还存在手动作业等、容易造成失误风险，重复的操作造成效率低、时间成本的浪费。
7.
技术实现要素：
8.有鉴于此，本发明提供一种实现多维度套铜的加工方法。
9.本发明的技术方案为：一种实现多维度套铜的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：s1.将除铜皮外的资料移动得到element层；s2.利用element层disjoint gtl工作层，将资料过滤出来，根据设置参数加大参数负性copy到gtl工作层中；s3.将gtl工作层转铜处理，备份得到新的gtl
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cu铜皮层；s4.将element作为工作层touch gtl原始层，将过滤出的焊盘copy到gtl
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tmp辅助层；s5.打开gtl
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tmp辅助层cover gtl原始层，过滤除完全在铜皮内部的焊盘删除；s6.将gtl
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tmp辅助层copy到gtl原始层；s7. gtl原始层转铜后copy到备份的gtl
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cu铜皮层；s8. gtl
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cu铜皮层转铜，将负性大小先减小再增大，去除残铜，再将其copy到gtl原始层；s9. gtl原始层转铜，将element层的资料再move回去。
10.进一步的，步骤s2中，所述设置参数包括line、sdm、bga、viapad等。
11.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法包括：设置sdm到surface的距离，单位为mil；设置viapad到surface的距离，单位为mil；设置line到surface的距离，单位为mil；设置bga到surface的距离，单位为mil。
12.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：根据line、viapad、smd、bga定义的参数对其分类设置，层别需先定义好smd属性、bga的属性。
13.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：不定义line、viapad、smd、bga参数，处理维度则统一按viapad来优化间距。
14.本发明中，通过交互界面按照需求填入line、viapad、smd、bga参数，即可运行方便程序与人的交互，简单易懂，使用方便。
15.进一步的，所述步骤s6中，根据设置参数加大负性copy到gtl原始层。
16.进一步的，所述步骤s8中，负性大小先减小1
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15，再加大1
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15。
17.进一步的，所述步骤s8中，负性大小先减小5
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11，再加大5
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11。
18.进一步的，所述步骤s8中，负性大小的减小值和加大值相同。
19.进一步的，所述步骤s8中，负性大小先减小8，再加大8。
20.本发明的有益效果在于：通过本发明方法，针对此类板，避免了人为查找、二次套铜修补时间，生产效率提高了40%；避免了人为修改，提高了一次良率通过；同时可以更精细化的处理不同元件的套除安全距离。
21.具体实施方式
22.为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本发明，并不限定本发明的保护范围。
23.实施例1一种实现多维度套铜的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：s1.将除铜皮外的资料移动得到element层；s2.利用element层disjoint gtl工作层，将资料过滤出来，根据设置参数加大参数负性copy到gtl工作层中；s3.将gtl工作层转铜处理，备份得到新的gtl
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cu铜皮层；s4.将element作为工作层touch gtl原始层，将过滤出的焊盘copy到gtl
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tmp辅助层；s5.打开gtl
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tmp辅助层cover gtl原始层，过滤除完全在铜皮内部的焊盘删除；s6.将gtl
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tmp辅助层copy到gtl原始层；s7. gtl原始层转铜后copy到备份的gtl
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cu铜皮层；s8. gtl
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cu铜皮层转铜，将负性大小先减小再增大，去除残铜，再将其copy到gtl原始层；s9. gtl原始层转铜，将element层的资料再move回去。
24.进一步的，步骤s2中，所述设置参数包括line、sdm、bga、viapad等。
25.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法包括：设置sdm到surface的距离，单位为mil；设置viapad到surface的距离，单位为mil；设置line到surface的距离，单位为mil；设置bga到surface的距离，单位为mil。
26.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：根据line、viapad、smd、bga定义的参数对其分类设置，层别需先定义好smd属性、bga的属性。
27.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：不定义line、viapad、smd、bga参数，处理维度则统一按viapad来优化间距。
28.本发明中，通过交互界面按照需求填入line、viapad、smd、bga参数，即可运行方便程序与人的交互，简单易懂，使用方便。
29.进一步的，所述步骤s6中，根据设置参数加大负性copy到gtl原始层。
30.进一步的，所述步骤s8中，负性大小先减小8，再加大8。
31.实施例2一种实现多维度套铜的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：s1.将除铜皮外的资料移动得到element层；s2.利用element层disjoint gtl工作层，将资料过滤出来，根据设置参数加大参数负性copy到gtl工作层中；s3.将gtl工作层转铜处理，备份得到新的gtl
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cu铜皮层；s4.将element作为工作层touch gtl原始层，将过滤出的焊盘copy到gtl
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tmp辅助层；s5.打开gtl
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tmp辅助层cover gtl原始层，过滤除完全在铜皮内部的焊盘删除；s6.将gtl
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tmp辅助层copy到gtl原始层；s7. gtl原始层转铜后copy到备份的gtl
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cu铜皮层；s8. gtl
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cu铜皮层转铜，将负性大小先减小再增大，去除残铜，再将其copy到gtl原始层；s9. gtl原始层转铜，将element层的资料再move回去。
32.进一步的，步骤s2中，所述设置参数包括line、sdm、bga、viapad等。
33.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法包括：设置sdm到surface的距离，单位为mil；设置viapad到surface的距离，单位为mil；设置line到surface的距离，单位为mil；设置bga到surface的距离，单位为mil。
34.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：根据line、viapad、smd、bga定义的参数对其分类设置，层别需先定义好smd属性、bga的属性。
35.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：不定义line、viapad、smd、bga参数，处理维度则统一按viapad来优化间距。
36.本发明中，通过交互界面按照需求填入line、viapad、smd、bga参数，即可运行方便程序与人的交互，简单易懂，使用方便。
37.进一步的，所述步骤s6中，根据设置参数加大负性copy到gtl原始层。
38.进一步的，所述步骤s8中，负性大小先减小5，再加大5。
39.实施例3一种实现多维度套铜的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1.将除铜皮外的资料移动得到element层；s2.利用element层disjoint gtl工作层，将资料过滤出来，根据设置参数加大参数负性copy到gtl工作层中；s3.将gtl工作层转铜处理，备份得到新的gtl
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cu铜皮层；s4.将element作为工作层touch gtl原始层，将过滤出的焊盘copy到gtl
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tmp辅助层；s5.打开gtl
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tmp辅助层cover gtl原始层，过滤除完全在铜皮内部的焊盘删除；s6.将gtl
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tmp辅助层copy到gtl原始层；s7. gtl原始层转铜后copy到备份的gtl
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cu铜皮层；s8. gtl
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cu铜皮层转铜，将负性大小先减小再增大，去除残铜，再将其copy到gtl原始层；s9. gtl原始层转铜，将element层的资料再move回去。
40.进一步的，步骤s2中，所述设置参数包括line、sdm、bga、viapad等。
41.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法包括：设置sdm到surface的距离，单位为mil；设置viapad到surface的距离，单位为mil；设置line到surface的距离，单位为mil；设置bga到surface的距离，单位为mil。
42.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：根据line、viapad、smd、bga定义的参数对其分类设置，层别需先定义好smd属性、bga的属性。
43.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：不定义line、viapad、smd、bga参数，处理维度则统一按viapad来优化间距。
44.本发明中，通过交互界面按照需求填入line、viapad、smd、bga参数，即可运行方便程序与人的交互，简单易懂，使用方便。
45.进一步的，所述步骤s6中，根据设置参数加大负性copy到gtl原始层。
46.进一步的，所述步骤s8中，负性大小先减小11，再加大11。
47.实施例4一种实现多维度套铜的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：s1.将除铜皮外的资料移动得到element层；s2.利用element层disjoint gtl工作层，将资料过滤出来，根据设置参数加大参数负性copy到gtl工作层中；s3.将gtl工作层转铜处理，备份得到新的gtl
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cu铜皮层；s4.将element作为工作层touch gtl原始层，将过滤出的焊盘copy到gtl
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tmp辅助层；s5.打开gtl
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tmp辅助层cover gtl原始层，过滤除完全在铜皮内部的焊盘删除；s6.将gtl
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tmp辅助层copy到gtl原始层；s7. gtl原始层转铜后copy到备份的gtl
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cu铜皮层；s8. gtl
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cu铜皮层转铜，将负性大小先减小再增大，去除残铜，再将其copy到gtl原始层；s9. gtl原始层转铜，将element层的资料再move回去。
48.进一步的，步骤s2中，所述设置参数包括line、sdm、bga、viapad等。
49.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法包括：设置sdm到surface的距离，单位为mil；设置viapad到surface的距离，单位为mil；设置line到surface的距离，单位为mil；设置bga到surface的距离，单位为mil。
50.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：根据line、viapad、smd、bga定义的参数对其分类设置，层别需先定义好smd属性、bga的属性。
51.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：不定义line、viapad、smd、bga参数，处理维度则统一按viapad来优化间距。
52.本发明中，通过交互界面按照需求填入line、viapad、smd、bga参数，即可运行方便程序与人的交互，简单易懂，使用方便。
53.进一步的，所述步骤s6中，根据设置参数加大负性copy到gtl原始层。
54.进一步的，所述步骤s8中，负性大小先减小2，再加大2。
55.实施例5一种实现多维度套铜的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：s1.将除铜皮外的资料移动得到element层；s2.利用element层disjoint gtl工作层，将资料过滤出来，根据设置参数加大参数负性copy到gtl工作层中；s3.将gtl工作层转铜处理，备份得到新的gtl
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cu铜皮层；s4.将element作为工作层touch gtl原始层，将过滤出的焊盘copy到gtl
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tmp辅助层；s5.打开gtl
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tmp辅助层cover gtl原始层，过滤除完全在铜皮内部的焊盘删除；s6.将gtl
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tmp辅助层copy到gtl原始层；s7. gtl原始层转铜后copy到备份的gtl
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cu铜皮层；s8. gtl
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cu铜皮层转铜，将负性大小先减小再增大，去除残铜，再将其copy到gtl原始层；s9. gtl原始层转铜，将element层的资料再move回去。
56.进一步的，步骤s2中，所述设置参数包括line、sdm、bga、viapad等。
57.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法包括：设置sdm到surface的距离，单位为mil；设置viapad到surface的距离，单位为mil；设置line到surface的距离，单位为mil；设置bga到surface的距离，单位为mil。
58.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：根据line、viapad、smd、bga定义的参数对其分类设置，层别需先定义好smd属性、bga的属性。
59.进一步的，步骤s2中，设置参数的方法为：不定义line、viapad、smd、bga参数，处理维度则统一按viapad来优化间距。
60.本发明中，通过交互界面按照需求填入line、viapad、smd、bga参数，即可运行方便程序与人的交互，简单易懂，使用方便。
61.进一步的，所述步骤s6中，根据设置参数加大负性copy到gtl原始层。
62.进一步的，所述步骤s8中，负性大小先减小13，再加大13。
63.对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论
从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
64.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。需注意的是，本发明中所未详细描述的技术特征，均可以通过本领域任一现有技术实现。