1.一种适用于gan半桥栅驱动的电平位移电路，其特征在于，包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第六pmos管、第七pmos管、第八pmos管、第九pmos管、第十pmos管、第一noms管、第二noms管、第三noms管、第四noms管、第五noms管、第六noms管、第七noms管、第八noms管、第九noms管、第十noms管、第十一noms管、第十二noms管、第十三noms管、第十四noms管、第十五nmos管、第十六nmos管、第一pldmos管、第二pldmos管、第一nldmos管、第二nldmos管、第三nldmos管、第四nldmos管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一短脉冲产生电路、第二短脉冲产生电路和非门；其中，
第一pmos管的源极接电源，其栅极接第一输入端；第一nmos管的漏极接第一pmos管的漏极，第一nmos管的栅极接第一输入端，第一nmos管的源极接地；
第二pmos管的源极接电源、其栅极接第二输入端；第二nmos管的漏极接第二pmos管的漏极，第二nmos管的栅极接第二输入端，第二nmos管的源极接地；
第一pmos管栅极和第一nmos管栅极的连接点接非门的输入端，非门的输出端接第二pmos管栅极和第二nmos管栅极的连接点；
第三pmos管的源极接高侧浮动电源，其栅极通过第四电阻后接第四pmos管的漏极；第四pmos管的源极接高侧浮动电源，其栅极通过第三电阻后接第三pmos管的漏极；
第三nmos管的漏极通过第三电阻后接第三pmos管的漏极，第三nmos管的栅极通过第四电阻后接第四pmos管的漏极，第三nmos管的源极接高侧浮动地；第四nmos管的漏极通过第四电阻后接第四pmos管的漏极，第四nmos管的栅极通过第三电阻后接第三pmos管的漏极，第四nmos管的源极接高侧浮动地；
第五nmos管的漏极接第三pmos管的漏极，第五nmos管的栅极通过第四电阻后接第四pmos管的漏极，第五nmos管的源极接高侧浮动地；第六nmos管的漏极接第四pmos管的漏极，第六nmos管的栅极通过第三电阻后接第三pmos管的漏极，第六nmos管的源极接高侧浮动地；
第七nmos管的漏极通过第三电阻后接第三pmos管的漏极，第七nmos管的栅极和漏极均接高侧浮动地；第八nmos管的漏极通过第四电阻后接第四pmos管的漏极，第八nmos管的栅极和漏极均接高侧浮动地；
第一电阻的一端接第七nmos管的漏极，第一电阻的另一端接高侧浮动地；第一pldmos管的源极接第一电阻的一端，第一pldmos管的栅极接高侧浮动地；第一nldmos管的漏极接第一pldmos管的漏极，第一nldmos管的栅极接电源，第一nldmos管的源极和第九nmos管的源极接第一nmos管的漏极；第九nmos管的漏极接电源，其栅极和源极互连；
第二电阻的一端接高侧浮动电源，第二电阻的另一端接第八nmos管的漏极；
第二pldmos管的源极接第八nmos管的漏极，第二pldmos管的栅极接高侧浮动地；第二nldmos管的漏极接第二pldmos管的漏极，第二nldmos管的栅极接电源，第二nldmos管的源极和第十nmos管的源极接第二nmos管的漏极；第十nmos管的漏极接电源，其栅极和源极互连；
第五pmos管的源极接高侧浮动电源，其栅极与漏极互连；第六pmos管的源极接高侧浮动电源，其栅极接第五pmos管的漏极，第六pmos管的漏极接第一pldmos管的源极；第七pmos管的源极接高侧浮动电源，其栅极接第五pmos管的漏极，第七pmos管的漏极接第三pmos管的漏极；
第十一nmos管的漏极接第五pmos管的漏极，第十一nmos管的栅极和源极均接高侧浮动地；
第三nldmos管的漏极接第五pmos管的漏极，第三nldmos管栅极接电源，第三nldmos管的源极和第十二nmos管的源极接第十三nmos管的漏极；第十二nmos管的漏极接电源，其栅极和源极互连；第十三nmos管的栅极接第一短脉冲产生电路的输出，第十三nmos管的源极接地；
第八pmos管的源极接高侧浮动电源，其栅极与漏极互连；第九pmos管的源极接高侧浮动电源，其栅极接第八pmos管的漏极，第九pmos管的漏极接第二pldmos管的源极；第十pmos管的源极接高侧浮动电源，其栅极接第八pmos管的漏极，第十pmos管的漏极接第四pmos管的漏极；
第十四nmos管的漏极接第八pmos管的漏极，第十四nmos管的栅极和源极均接高侧浮动地；
第四nldmos管的漏极接第八pmos管的漏极，第四nldmos管栅极接电源，第四nldmos管的源极和第十五nmos管的源极接第十六nmos管的漏极；第十五nmos管的漏极接电源，其栅极和源极互连；第十六nmos管的栅极接第二短脉冲产生电路的输出，第十六nmos管的源极接地；
第三pmos管漏极、第五nmos管漏极和第七pmos管漏极的连接点为第一输出端；第四pmos管漏极、第十pmos管漏极和第六nmos管漏极的连接点为第二输出端。
2.根据权利要求1所述的一种适用于gan半桥栅驱动的电平位移电路，其特征在于，所述第一短脉冲产生电路包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、与门和电容，其中，第一反相器、第二反相器和第三反相器依次串接，第一反相器的输入端接第二输入端，第二反相器和第三反相器的连接点通过电容后接地，与门的一个输入端接第二输入端，与门的另一个输入端接第三反相器的输出端，与门的输出端为第一短脉冲产生电路的输出端；第二短脉冲产生电路的结构与第一短脉冲产生电路的结构相同，不同在于第二短脉冲产生电路的输入为第一输入端。