1.一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，其特征在于，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；
所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号clka和输出时钟信号clkb进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；
所述斜坡发生器，包括：基准电流源i_ref、电压跟随器buffer、第一电容cap、基准电压源v_ref、第一pmos晶体管mp1、第二pmos晶体管mp2、第三pmos晶体管mp3、第四pmos晶体管mp4、第五pmos晶体管mp5、第六pmos晶体管mp6、第七pmos晶体管mp7、第八pmos晶体管mp8、第九pmos晶体管mp9、第一nmos晶体管mn1和第二nmos晶体管mn2；
所述第一pmos晶体管mp1的源极接电源，第一pmos晶体管mp1的漏极和栅极与基准电流源i_ref相连；所述基准电流源i_ref相连接地；
所述第二pmos晶体管mp2、第三pmos晶体管mp3、第四pmos晶体管mp4的源级与电源相连，所述第二pmos晶体管mp2、第三pmos晶体管mp3、第四pmos晶体管mp4的栅极与第一pmos晶体管mp1的栅极相连；所述第二pmos晶体管mp2的漏极与第五pmos晶体管mp5的源极相连，所述第三pmos晶体管mp3的漏极与第六pmos晶体管mp6的源极相连，所述第四pmos晶体管mp4的漏极与第七pmos晶体管mp7的源极相连；
所述第五pmos晶体管mp5的栅极连接第一控制信号en1，所述第六pmos晶体管mp6的栅极连接第二控制信息en2，所述第七pmos晶体管mp7的栅极连接第三控制信号en3；所述第五pmos晶体管mp5、第六pmos晶体管mp6、第七pmos晶体管mp7的漏极与第八pmos晶体管mp8和第一nmos晶体管mn1的漏极相连；
所述第八pmos晶体管mp8和第一nmos晶体管mn1的源极与第九pmos晶体管mp9的漏极、第二nmos晶体管mn2的漏极以及第一电容cap的上极板相连；所述第八pmos晶体管mp8和第一nmos晶体管mn1形成第一传输门tg1；所述第九pmos晶体管mp9的漏极和第二nmos晶体管mn2形成第二传输门tg2；
所述第九pmos晶体管mp9和第二nmos晶体管mn2的源极与基准电压源v_ref的正极相连；
所述第八pmos晶体管mp8的栅极连接控制信号生成电路的第一输出信号clkab，所述第一nmos晶体管mn1的栅极连接输入参考时钟信号clka；
所述第九pmos晶体管mp9的栅极连接控制信号生成电路的第二输出信号clk2，第二nmos晶体管mn2的栅极连接第三输出信号clk2b；所述第三输出信号clk2b为第二输出信号clk2的反相信号；
所述第一电容cap的上极板与电压跟随器buffer的正输入端相连；所述电压跟随器buffer的输出端和负输入端相连；
所述第一电容cap的下极板与基准电压源v_ref的正极相连，所述基准电压源v_ref的负极接地。
2.根据权利要求1所述的应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，其特征在于，所述控制信号生成电路，包括：两输入的与门、两输入的或门、d触发器、第一开关s1、第二开关s2、第一反相器和第二反相器；
所述或门的第一输入端连接输入参考时钟信号clka，所述或门的第二输入端连接输出时钟信号clkb，所述或门的输出端与第一开关s1相连；所述第一开关s1连接第一反相器；所述第一反相器输入第二输出信号clk2，输出第三输出信号clk2b；
所述与门的第一输入端连接输入参考时钟信号clka，所述与门的第二输入端连接输出时钟信号clkb，所述与门的输出端与第二开关s2相连；所述第二开关s2连接第一反相器；
所述d触发器的输入端与输出时钟信号clkb相连，所述d触发器的时钟信号与输入参考时钟信号clka相连，所述d触发器的输出q端与第二开关时钟信号clk1相连，所述d触发器的输出
所述第二反相器的输入端与输入参考时钟信号clka相连、所述第二反相器的输出端输出第一输出信号clkab。
3.根据权利要求1或2所述的应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，其特征在于，还包括：开关电容阵列倍压电路；
所述开关电容阵列倍压电路，包括：第三传输门、第四传输门、第五传输门、第六传输门和第二电容；
所述第三传输门、第四传输门的输入端与电源相连；
所述第三传输门的输出端与第六传输门的输入端和第二电容的上极板相连；
所述第四传输门和第五传输门的输出端与第二电容的下极板相连；
所述第五传输门的输入端与地相连；
所述第六传输门的输出端输出倍增电压信号。
4.根据权利要求3所述的应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，其特征在于，所述第二pmos晶体管mp2、第三pmos晶体管mp3、第四pmos晶体管mp4的宽长比参数相同；
所述第五pmos晶体管mp5、第六pmos晶体管mp6、第七pmos晶体管mp7的宽长比参数相同。