技术特征：
1.一种内匹配电路，其特征在于，用于与gan功率管连接，所述内匹配电路包括内匹配电容、第一电感、第二电感及电阻，所述内匹配电容包括第一匹配电容；所述第一电感通过所述第一匹配电容与所述第二电感连接，所述第一电感、第二电感及第一匹配电容构成谐振电路，所述第二电感用于与所述gan功率管连接，所述谐振电路用于对所述gan功率管进行超宽带匹配；所述电阻与所述第一匹配电容并联构成稳定电路，所述稳定电路用于避免所述gan功率管发生自激，所述内匹配电容接地端接地。2.根据权利要求1所述的内匹配电路，其特征在于，所述第一匹配电容包括第一电容及第二电容；所述第一电感依次通过所述第一电容、所述第二电容与所述第二电感连接；所述第一电感与所述第一电容连接，所述第一电感与所述第一电容构成第一谐振器；所述第二电感与所述第二电容连接，所述第二电感与所述第二电容构成第二谐振器；所述第一谐振器及所述第二谐振器用于产生谐振频率。3.根据权利要求2所述的内匹配电路，其特征在于，所述电阻的一端连接至所述第一电容与第一电感之间的第一节点，所述电阻的另一端连接至所述第二电容与第二电感之间的第二节点，所述第一电容、所述第二电容及所述电阻构成稳定电路。4.根据权利要求2所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容包括第二匹配电容，所述第二匹配电容的一端接地，所述第二匹配电容的另一端连接至所述第一电容、所述第二电容之间的第三节点。5.根据权利要求1所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容包括第一电极层、第二电极层及金属层，所述第一电极层、所述第二电极层设置于所述金属层的一侧，所述第一电极层、所述第二电极层及所述金属层构成第一匹配电容，所述第一电极层与所述金属层构成第一电容，所述第二电极层与所述金属层构成第二电容；所述电阻设置于所述第一电极层、所述第二电极层之间，所述第一电极层与所述第一电感连接，所述第二电极层与所述第二电感连接，所述金属层接地。6.根据权利要求5所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容还包括第一填充介质，所述第一填充介质设置于所述第一电极层与所述金属层之间，且所述第一填充介质还设置于所述第二电极层与所述金属层之间。7.根据权利要求5所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容还包括接地层，所述接地层与所述金属层构成第二匹配电容；所述接地层设置于所述金属层的另一侧，所述金属层通过所述接地层接地。8.根据权利要求7所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容还包括第二填充介质，所述第二填充介质设置于所述接地层与所述金属层之间。9.根据权利要求7所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容还包括外壳，所述第一电极层、所述第二电极层、所述金属层及所述接地层均设置于所述外壳内。10.一种功率放大器，其特征在于，包括输入端、输出端、gan功率管及如权利要求1至9中任意一项所述的内匹配电路，所述输入端依次通过所述内匹配电路、所述gan功率管连接所述输出端。
技术总结
本实用新型实施例公开了一种内匹配电路及功率放大器，内匹配电路用于与GaN功率管连接，内匹配电路包括内匹配电容、第一电感、第二电感及电阻，内匹配电容包括第一匹配电容；第一电感通过第一匹配电容与第二电感连接，第一电感、第二电感及第一匹配电容构成谐振电路，第二电感用于与GaN功率管连接，谐振电路用于对GaN功率管进行超宽带匹配；电阻与第一匹配电容并联构成稳定电路，稳定电路用于避免GaN功率管发生自激，内匹配电容接地端接地。本申请的内匹配电路提高了GaN功率管的稳定性，并实现了对GaN功率管的超宽带匹配。谐振电路与稳定电路共用内匹配电容，提高了电容器件的利用率，实现了内匹配电路的小型化。实现了内匹配电路的小型化。实现了内匹配电路的小型化。
技术研发人员：刘石头 杨天应 付永佩
受保护的技术使用者：深圳市时代速信科技有限公司
技术研发日：2021.12.06
技术公布日：2022/4/13