叉指换能结构、谐振器、谐振器制作方法及滤波器与流程

文档序号:30268838发布日期:2022-06-02 06:35阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种叉指换能结构,所述叉指换能结构包括:平行设置的第一汇流排和第二汇流排,所述第一汇流排上设置有多个第一电极、所述第二汇流排上设置有多个第二电极,其特征在于,所述多个第一电极和所述多个第二电极相对间隔设置在所述第一汇流排和第二汇流排之间的中间区域;所述中间区域包含叉指区和不属于所述叉指区的单极区,所述叉指区为所述多个第一电极远离所述第一汇流排的端部边缘和所述多个第二电极远离所述第二汇流排的端部边缘之间形成的区域;单极区中各第一电极之间和各第二电极之间通过多个金属条连接;在所述叉指区内,各第一电极的电极端以及与所述第一电极相邻的第二电极的横向对应位置处设置金属加厚层;各第二电极的电极端以及与所述第二电极相邻的第一电极的横向对应位置处设置金属加厚层。2.如权利要求1所述叉指换能结构,其特征在于,所述单极区包括第一单极区和第二单极区,在所述第一单极区内各相邻第一电极之间通过多个金属条连接,在所述第二单极区内各相邻第二电极之间通过多个金属条连接。3.如权利要求2所述叉指换能结构,其特征在于,所述各相邻第一电极之间和/或各相邻第二电极之间设置的金属条数目相同。4.如权利要求3所述叉指换能结构,其特征在于,所述金属条为平行设置的矩形状金属条,或倾斜预设角度设置的矩形状金属条。5.如权利要求4所述叉指换能结构,其特征在于,在切斜预设角度设置的矩形状金属条中,所述第一电极和/或所述第二电极两侧的金属条与对应的所述第一电极和/或第二电极上相同的位置连接。6.如权利要求3所述叉指换能结构,其特征在于,所述金属条为梯形状金属条时,第一电极两侧或第二电极两侧连接的金属条的下底边指向上底边的方向相同或相反。7.如权利要求2所述叉指换能结构,其特征在于,所述第一电极和/或所述第二电极两侧的金属条间隔相同距离交错设置在对应的所述第一电极两侧和/或第二电极两侧。8.如权利要求1所述叉指换能结构,其特征在于,所述第一电极之间或所述第二电极之间通过多个金属条贯穿连接;其中各金属条均贯穿各第一电极或各第二电极。9.如权利要求1所述叉指换能结构,其特征在于,所述金属加厚层设置在所述第一电极和所述第二电极的上表面或下表面。10.如权利要求1所述叉指换能结构,其特征在于,相邻的各第一电极之间的电极间隙和相邻的各第二电极之间的电极间隙之间设有假指条,所述假指条与第一电极或第二电极对应设置。11.如权利要求10所述叉指换能结构,其特征在于,所述假指条与所述第一汇流排或所述第二汇流排连接,所述假指条与电极之间设置的所述多个金属条连接。12.一种谐振器,其特征在于,所述谐振器包括:硅衬底和以此设置在所述硅衬底上的能量陷阱层、二氧化硅层、压电单晶层、权利要求1-11任一项所述的叉指换能结构以及设置在所述叉指换能结构上的钝化层。13.一种基于权利要求12所述谐振器的谐振器制作方法,其特征在于,所述谐振器制作
方法包括:利用高阻硅构建谐振器衬底;利用多晶硅在所述谐振器衬底上构建能量陷阱层;在所述能量陷阱层上构建低声速的二氧化硅层;通过键合方式在所述二氧化硅层上构建压电单晶层;在所述压电单晶层上设置叉指换能结构,所述叉指换能结构的各第一电极之间和各第二电极之间通过多个金属条连接;在各第一电极的电极端以及与所述第一电极相邻的第二电极的横向对应位置处设置金属加厚层;在各第二电极的电极端以及与所述第二电极相邻的第一电极的横向对应位置处设置金属加厚层;在所述叉指换能结构上设置钝化层。14.如权利要求13所述的谐振器制作方法,其特征在于,所述在所述能量陷阱层上构建低声速的二氧化硅层的步骤包括:通过气相沉积或热氧化方式在所述能量陷阱层上构建初始二氧化硅层;对所述初始二氧化硅层进行机械平坦化处理获得低声速的二氧化硅层。15.如权利要求14所述的谐振器制作方法,其特征在于,所述在所述压电单晶层上设置叉指换能结构,所述叉指换能结构的各第一电极之间和各第二电极之间通过多个金属条连接的步骤包括:在所述压电单晶层上根据预设位置关系设置第一汇流排和第二汇流排;在所述第一汇流排和所述第二汇流排之间依次间隔设置多个第一电极和第二电极;分别在各第一电极之间和各第二电极之间设置多个金属条。16.如权利要求13所述的谐振器制作方法,其特征在于,所述在所述压电单晶层上设置叉指换能结构的步骤还包括:在所述压电单晶层上设置金属加厚层;根据所述金属加厚层的位置信息设置第一电极和第二电极;根据所述第一电极和所述第二电极设置第一汇流排和第二汇流排;分别在各第一电极之间和各第二电极之间设置多个金属条。17.一种滤波器,其特征在于,所述滤波器包括权利要求12所述的谐振器。

技术总结
本发明公开了一种叉指换能结构、谐振器、谐振器制作方法及滤波器,涉及谐振器领域,该叉指换能结构包括:平行设置的第一汇流排和第二汇流排,第一汇流排上设置有多个第一电极、第二汇流排上设置有多个第二电极,多个第一电极和多个第二电极相对间隔设置在第一汇流排和第二汇流排之间的中间区域;中间区域包含叉指区和不属于所述叉指区的单极区;单极区中各第一电极之间和各第二电极之间通过多个金属条连接,并在各电极的电极端以及对应电极处设置金属加厚层。在本发明中通过将单极区中各第一电极之间和各第二电极之间通过多个金属条连接,并设置金属加厚层,利用上述结构使单极区和叉指区声速不同,从而对横向模式波纹进行有效抑制。有效抑制。有效抑制。


技术研发人员:宋崇希 王放 姚艳龙
受保护的技术使用者:江苏卓胜微电子股份有限公司
技术研发日:2022.01.28
技术公布日:2022/6/1
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