一种方波削角电路及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种方波削角电路及显示面板。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，显示面板采用栅极驱动电路完成逐行扫描的功能，降低了显示面板的生产成本，也满足了显示面板窄边框的要求。然而栅极驱动电路输出的方波驱动信号存在高低电平切换的过程，在栅极扫描信号由高电平变为低电平时，栅极驱动电路输出的方波驱动信号也会由高电平瞬间大幅度下降为低电平，此时显示面板的驱动电压也由高电平瞬间大幅度下降为低电平，上述情况会使得显示面板驱动电压的压降较大，从而会导致显示面板出现闪烁和残像等不良现象，严重影响显示面板所显示画面的质量。


技术实现要素：

3.本技术提供一种方波削角电路及显示面板，以解决显示面板驱动电压的压降值较大的问题。
4.本技术提供一种方波削角电路，其包括：
5.第一电源信号接入端；
6.第二电源信号接入端；
7.驱动模块，所述驱动模块分别与所述第一电源信号接入端、第一节点、输出节点、第一控制信号接入端和第二控制信号接入端连接；以及
8.控制模块，所述控制模块分别与所述第一节点、所述第二电源信号接入端连接；
9.其中，所述驱动模块用于在所述第一控制信号接入端的信号控制下向所述输出节点输出所述第一电源信号接入端的信号，所述驱动模块用于在所述第二控制信号接入端的信号控制下将所述输出节点与所述第一节点相连通，所述控制模块用于基于所述控制模块与所述第二电源信号接入端之间的电流，控制所述输出节点输出削角信号。
10.可选的，在本技术一些实施例中，所述驱动模块包括：
11.第一晶体管，所述第一晶体管的栅极与第一控制信号接入端连接，所述第一晶体管的漏极与所述第一电源信号接入端连接，所述第一晶体管的源极与输出节点连接；
12.第二晶体管，所述第二晶体管的栅极与第二控制信号接入端连接，所述第二晶体管的漏极与所述输出节点连接，所述第二晶体管的源极与所述第一节点连接。
13.可选的，在本技术一些实施例中，所述控制模块包括：
14.开关单元，所述开关单元串接于所述第一节点与第二节点之间；
15.电流采样单元，所述电流采样单元串接于所述第二节点与所述第二电源信号接入端之间；
16.电压比较单元，所述电压比较单元分别与所述开关单元、所述第二节点连接，所述电压比较单元用于基于所述第二节点的电压与设定的阈值电压的比较结果而控制所述开关单元的导通状态，从而控制所述输出节点输出削角信号。
17.可选的，在本技术一些实施例中，所述电流采样单元包括第一电阻，所述第一电阻串接于所述第二节点与所述第二电源信号接入端之间。
18.可选的，在本技术一些实施例中，所述开关单元包括第一三极管，所述第一三极管的基极与所述电压比较单元连接，所述第一三极管的发射极与所述第一节点连接，所述第一三极管的集电极与所述第二节点连接。
19.可选的，在本技术一些实施例中，所述电压比较单元包括第二三极管和第二电阻，所述第二三极管的基极与所述第二节点连接，所述第二三极管的发射极与第三节点连接，所述第二三极管的集电极与第一低电平信号接入端连接，所述第三节点与所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端与第一高电平信号接入端连接，所述第三节点与所述第一三极管的基极连接。
20.可选的，在本技术一些实施例中，所述开关单元包括场效应晶体管，所述场效应晶体管的栅极与所述电压比较单元连接，所述场效应晶体管的漏极与所述第一节点连接，所述场效应晶体管的源极与所述第二节点连接。
21.可选的，在本技术一些实施例中，所述电压比较单元包括电压比较器，所述电压比较器的正电源端与第二高电平信号接入端连接，所述电压比较器的负电源端与第二低电平信号接入端连接，所述电压比较器的正相接入端与第三低电平信号接入端连接，所述电压比较器的负相接入端与所述第二节点连接，所述电压比较器的输出端与所述场效应晶体管的栅极连接，所述第三低电平信号接入端的电位比所述第二电源信号接入端的电位高。
22.可选的，在本技术一些实施例中，所述第一晶体管为n型晶体管或p型晶体管，所述第二晶体管为p型晶体管或n型晶体管，第一控制信号接入端和所述第二控制信号接入端为同一控制信号接入端。
23.相对应地，本技术还提供一种显示面板，包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括级联的多个移位寄存器，各所述移位寄存器的驱动信号输出端分别与一一对应的栅线相连；所述显示面板还包括与各所述移位寄存器一一对应的如上述所述的方波削角电路，所述方波削角电路的第一电源信号接入端与所述移位寄存器的驱动信号输出端连接，所述方波削角电路的输出节点与所述栅线连接。
24.本技术提供一种方波削角电路及显示面板，其中方波削角电路包括：第一电源信号接入端；第二电源信号接入端；驱动模块，所述驱动模块分别与所述第一电源信号接入端、第一节点、输出节点、第一控制信号接入端和第二控制信号接入端连接；以及控制模块，所述控制模块分别与所述第一节点、所述第二电源信号接入端连接；其中，所述驱动模块用于在所述第一控制信号接入端的信号控制下向所述输出节点输出所述第一电源信号接入端的信号，所述驱动模块用于在所述第二控制信号接入端的信号控制下将所述输出节点与所述第一节点相连通，所述控制模块用于基于所述控制模块与所述第二电源信号接入端之间的电流，控制所述输出节点输出削角信号。本技术通过控制模块基于所述控制模块与所述第二电源信号接入端之间的电流控制所述输出节点输出削角信号，从而使得输出节点输出的电压存在缓慢下降的坡度，而解决显示面板驱动电压的压降值较大的问题。
附图说明
25.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使
用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。
26.图1为本技术提供的方波削角电路的第一结构示意图；
27.图2为本技术提供的方波削角电路的第二结构示意图；
28.图3为本技术提供的方波削角电路的第三结构示意图；
29.图4为本技术提供的方波削角电路的输出节点的电压、电流与控制信号时序相对应的状态示意图；
30.图5为本技术提供的方波削角电路的第四结构示意图；
31.图6为本技术提供的方波削角电路的第五结构示意图。
具体实施方式
32.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所得到的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
33.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
34.本技术所有实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本技术实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。此外本技术实施例所采用的晶体管可以包括p型晶体管和/或n型晶体管两种，其中，p型晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，n型晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。
35.本技术提供一种方波削角电路及显示面板，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本技术实施例优选顺序的限定。
36.请参阅图1，图1为本技术提供的方波削角电路100的第一结构示意图。本技术提供一种方波削角电路100，其包括第一电源信号接入端vgh、第二电源信号接入端vgl、驱动模块10和控制模块20。
37.其中，所述驱动模块10分别与所述第一电源信号接入端vgh、第一节点1、输出节点p、第一控制信号接入端s1和第二控制信号接入端s2连接；所述控制模块20分别与所述第一节点1、所述第二电源信号接入端vgl连接；其中，所述驱动模块10用于在所述第一控制信号接入端s1的信号控制下向所述输出节点p输出所述第一电源信号接入端vgh的信号，所述驱动模块10用于在所述第二控制信号接入端s2的信号控制下将所述输出节点p与所述第一节点1相连通，所述控制模块20用于基于所述控制模块20与所述第二电源信号接入端vgl之间的电流，控制所述输出节点p输出削角信号。
38.本技术通过以所述控制模块20与所述第二电源信号接入端vgl之间的电流作为反
馈信号，然后利用控制模块20基于所述控制模块20与所述第二电源信号接入端vgl之间的电流控制输出节点p输出削角信号，从而使得输出节点p输出的电压存在缓慢下降的坡度，而解决显示面板驱动电压的压降值较大的问题。另外，本技术通过基于所述控制模块20与所述第二电源信号接入端vgl之间的电流控制输出节点p输出削角信号，不需要额外的时序信号即可实现方波信号的削角。
39.请参阅图2，图2为本技术提供的方波削角电路100的第二结构示意图。在该实施例中，所述控制模块20包括：开关单元21、电流采样单元22和电压比较单元23。
40.其中，所述开关单元21串接于所述第一节点1与第二节点2之间；
41.所述电流采样单元22串接于所述第二节点2与所述第二电源信号接入端vgl之间；
42.所述电压比较单元23分别与所述开关单元21、所述第二节点2连接，所述电压比较单元23用于基于所述第二节点2的电压与设定的阈值电压的比较结果而控制所述开关单元21的导通状态，从而控制所述输出节点p输出削角信号。
43.也即是，通过所述电流采样单元22采集所述控制模块20与所述第二电源信号接入端vgl之间的电流，再从所述电流采样单元22的一端引出采样电压信号输给所述电压比较单元23，所述电压比较单元23用于基于所述第二节点2的电压与设定的阈值电压的比较结果而控制所述开关单元21的导通状态，具体地，当所述第二节点2的电压小于设定的阈值电压，所述开关单元21处于完全导通状态，当所述第二节点2的电压大于设定的阈值电压，所述开关单元21处于非完全导通状态，从而控制所述输出节点p输出削角信号。
44.请参考图3，图3为本技术提供的方波削角电路100的第三结构示意图。在该实施例中，所述驱动模块10包括第一晶体管q1和第二晶体管q2，所述第一晶体管q1的栅极与第一控制信号接入端s1连接，所述第一晶体管q1的源极与所述第一电源信号接入端vgh连接，所述第一晶体管q1的漏极与所述输出节点p连接。所述第二晶体管q2的栅极与所述第二控制信号接入端s2连接，所述第二晶体管q2的漏极与所述输出节点p连接，所述第二晶体管q2的源极与所述第一节点1连接。
45.在上述实施例，通过第一控制信号接入端s1控制第一晶体管q1，通过第二控制信号接入端s2控制第二晶体管q2，第一晶体管q1和第二晶体管q2分别由不同的控制信号进行独立控制。
46.此外，所述驱动模块10还包括存储电容c，所述存储电容c的一端与所述输出节点p连接，所述存储电容c的另一端接地。存储电容c存储输出节点1的电压，可以稳定显示面板的子像素的晶体管的栅极的电压，同时使得显示面板的驱动电压不会突变，保证显示面板的显示效果。
47.在一些实施例中，所述驱动模块10包括调节电阻rp，所述调节电阻rp串接于所述存储电容c的一端与所述输出节点p之间。通过调节电阻rp可以减小存储电容c的充放电流。
48.在一些实施例中，所述电流采样单元22包括第一电阻r1，所述第一电阻r1串接于所述第二节点2与所述第二电源信号接入端vgl之间。
49.在一些实施例中，所述开关单元21包括开关管，所述开关管包括控制端、第一电极和第二电极，所述开关管的第一电极和第二电极串接于所述第一节点1与第二节点2之间；所述电流采样单元22串接于所述第二节点2与所述第二电源信号接入端vgl之间；所述电压比较单元23分别与所述第二节点2、所述开关管的控制端连接。具体地，所述开关管的第一
电极和第二电极串接于所述第二晶体管q2的源极与第二节点2之间。
50.在一些实施例中，所述开关单元21包括第一三极管q3，所述第一三极管q3的基极与所述电压比较单元23连接，所述第一三极管q3的发射极与所述第一节点1连接，具体地，所述第一三极管q3的发射极所述第二晶体管q2的源极连接；所述第一三极管q3的集电极与所述第二节点2连接。此时，所述电压比较单元23用于基于所述第二节点2的电压与设定的阈值电压的比较结果而控制所述第一三极管q3的导通状态，具体地，当所述第二节点2的电压小于设定的阈值电压，所述第一三极管q3处于完全导通状态，当所述第二节点2的电压大于设定的阈值电压，所述第一三极管q3处于非完全导通状态，从而控制所述输出节点p输出削角信号。
51.在第一控制信号接入端s1和第二控制信号接入端s2的控制下，所述第一晶体管q1导通，所述第二晶体管q2关闭，此时所述第一晶体管q1向所述输出节点p输出所述第一电源信号接入端vgh的信号，所述第一电源信号接入端vgh为高电平，由于所述第二晶体管q2关闭，第一三极管q3与所述第二电源信号接入端vgl之间的电流为零，也即是第二节点2的电压为零，第二节点2的电压小于设定的阈值电压，所述电压比较单元23使得所述第一三极管q3处于完全导通状态。在第一控制信号接入端s1和第二控制信号接入端s2的控制下，所述第一晶体管q1关闭，所述第二晶体管q2导通，此时，在输出节点p的电压作用下，在第一三极管q3与所述第二电源信号接入端vgl之间产生电流，所述第二节点2的电压大于设定的阈值电压，所述电压比较单元23使得所述第一三极管q3处于非完全导通状态，从而控制所述输出节点p输出削角信号。
52.在一些实施例中，所述电压比较单元23包括第二三极管q5和第二电阻r2，所述第二三极管q5的基极与所述第二节点2连接，所述第二三极管q5的发射极与第三节点3连接，所述第二三极管q5的集电极与第一低电平信号接入端d1连接，所述第三节点3与所述第二电阻r2的一端，所述第二电阻r2的另一端与第一高电平信号接入端g1连接，所述第三节点3与所述第一三极管q3的基极连接。
53.也即是，当所述第一晶体管q1导通，所述第二晶体管q2关闭，所述第二节点2的电压小于所述第二三极管q5的截止电压时，阈值电压为所述第二三极管q5的截止电压，所述第二三极管q5关闭，所述第一三极管q3的基极的电压为第一高电平信号接入端g1的高电平电压，所述第一三极管q3处于完全导通状态。当所述第一晶体管q1关闭，所述第二晶体管q2导通，所述第二节点2的电压大于设定的阈值电压，所述第二三极管q5导通，所述第三节点3的电压被拉低，此时所述第一三极管q3处于非完全导通状态，从而控制所述输出节点p输出削角信号。
54.进一步地，所述电压比较单元23还包括第三电阻r3，所述第三电阻r3串接于所述第二三极管q5的基极与所述第二节点2之间。所述开关单元21还包括第四电阻r4，所述第四电阻r4接于所述第三节点3与所述第一三极管q3的基极之间。
55.请参考图4，图4为本技术提供的方波削角电路100的输出节点p的电压、电流与控制信号时序相对应的状态示意图。第一控制信号接入端s1为高电平时，第二控制信号接入端s2为低电平，此时，第一晶体管q1在第一控制信号接入端s1控制下向输出节点p输出第一电源信号接入端vgh的高电平信号，输出节点p的电压为高电平，此时输出节点p的电流在瞬间突变先从零达到突变最高值再降低至零；第一控制信号接入端s1为低电平时，第二控制
信号接入端s2为高电平，此时，第一晶体管q1关闭，输出节点p处于放电状态，输出节点p的电流先从零达到限定电流值，限定电流值小于突变最高值很多，输出节点p的电流再从限定电流值降低至零。因此本技术可以控制所述输出节点p的放电电流，从而使得输出节点p的电压缓慢下降，而解决显示面板驱动电压的压降值较大的问题。
56.另外，限定电流值的大小与第二节点2的电压以及电压比较单元23设定的阈值电压有关，通过调节电流采样单元22的电阻以及电压比较单元23设定的阈值电压有光可以调整限定电流值的大小，从而调整输出节点p电压的下降斜坡缓降的幅度。
57.本技术实施例还提供一种显示面板，包括栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括级联的多个移位寄存器，各所述移位寄存器的驱动信号输出端分别与一一对应的栅线相连；所述显示面板还包括与各所述移位寄存器一一对应的如上述所述的方波削角电路100，所述方波削角电路100的第一电源信号接入端vgh与所述移位寄存器的驱动信号输出端连接，所述方波削角电路100的输出节点p与所述栅线连接。
58.各移位寄存器的驱动信号输出端通过对应的方波削角电路100与对应的栅线相连。该显示面板解决问题的原理与前述方波削角电路100相似，因此该显示面板的实施和有益效果可以参见前述方波削角电路100的描述，重复之处在此不再赘述。
59.请参阅图5，图5为本技术提供的方波削角电路100的第四结构示意图，该实施例与图3所述提供的方波削角电路100的结构不同的是：所述第一晶体管q1为n型晶体管，所述第二晶体管q2为p型晶体管，第一控制信号接入端s1和所述第二控制信号接入端s2为同一控制信号接入端。也就是说，在该实施例中，第一晶体管q1和第二晶体管q2采用同一个控制信号，当控制信号为高电平时，第一晶体管q1导通并向输出节点p输出第一电源信号接入端vgh的信号，存储电容c存储输出节点p的电压，此时第二晶体管q2关闭；当控制信号为低电平时，第一晶体管q1关闭，此时第二晶体管q2导通并对输出节点p进行放电。从上可知，第一晶体管q1和第二晶体管q2采用同一个控制信号，一方面可以减少信号线的设置，另一方面可以使得第一晶体管q1和第二晶体管q2两者每次只有一个导通，避免出现第一晶体管q1和第二晶体管q2同时导通或关闭的情况。
60.请参阅图6，图6为本技术提供的方波削角电路100的第五结构示意图，该实施例与图3所述提供的方波削角电路100的结构不同的是：所述开关单元21包括场效应晶体管q4，所述场效应晶体管q4的栅极与所述电压比较单元23连接，所述场效应晶体管q4的漏极与所述第一节点1连接，具体地，所述场效应晶体管q4的漏极与所述第二晶体管q2的源极连接，所述场效应晶体管q4的源极与所述第二节点2连接。
61.此时，所述电压比较单元23用于基于所述第二节点2的电压与设定的阈值电压的比较结果而控制所述场效应晶体管q4的导通状态，具体地，当所述第二节点2的电压小于设定的阈值电压，所述场效应晶体管q4处于完全导通状态，当所述第二节点2的电压大于设定的阈值电压，所述场效应晶体管q4处于非完全导通状态，从而控制所述输出节点p输出削角信号。
62.在第一控制信号接入端s1和第二控制信号接入端s2的控制下，所述第一晶体管q1导通，所述第二晶体管q2关闭，此时所述第一晶体管q1向所述输出节点p输出所述第一电源信号接入端vgh的信号，所述第一电源信号接入端vgh为高电平，由于所述第二晶体管q2关闭，所述场效应晶体管q4与所述第二电源信号接入端vgl之间的电流为零，也即是第二节点
2的电压为零，第二节点2的电压小于设定的阈值电压，所述电压比较单元23使得所述场效应晶体管q4处于完全导通状态。在第一控制信号接入端s1和第二控制信号接入端s2的控制下，所述第一晶体管q1关闭，所述第二晶体管q2导通，此时，在输出节点p的电压作用下，在所述场效应晶体管q4与所述第二电源信号接入端vgl之间产生电流，所述第二节点2的电压大于设定的阈值电压，所述电压比较单元23使得所述场效应晶体管q4处于非完全导通状态，从而控制所述输出节点p输出削角信号。
63.在一些实施例中，所述电压比较单元23包括电压比较器op，所述电压比较器op的正电源端与第二高电平信号接入端g2连接，所述电压比较器op的负电源端与第二低电平信号接入端d2连接，所述电压比较器op的正相接入端与第三低电平信号接入端d3连接，所述电压比较器op的负相接入端与所述第二节点2连接，所述电压比较器op的输出端与所述场效应晶体管q4的栅极连接，所述第三低电平信号接入端d3的电位比所述第二电源信号接入端vgl的电位高。
64.也即是，当所述第一晶体管q1导通，所述第二晶体管q2关闭，此时所述第二节点2的电压为所述第二电源信号接入端vgl的电位，第三低电平信号接入端d3的电压为设定的阈值电压，所述电压比较器op的负相接入端的电压小于所述电压比较器op的正相接入端的电压，所述电压比较器op的输出端输出第二高电平信号接入端g2的高电平，所述电压比较器op使得所述场效应晶体管q4处于完全导通状态。当所述第一晶体管q1关闭，所述第二晶体管q2导通，所述第二节点2的电压大于第三低电平信号接入端d3的电压，所述电压比较器op的输出端输出第二低电平信号接入端d2，此时场效应晶体管q4处于非完全导通状态，从而控制所述输出节点p输出削角信号。
65.进一步地，所述电压比较单元23还包括第五电阻r5、第六电阻和第七电阻，所述第五电阻r5的一端接地，所述第五电阻r5的另一端与所述第六电阻r6的一端连接，所述第六电阻r6的另一端与所述第三低电平信号接入端d3连接，所述电压比较器op的正相接入端与所述第五电阻r5的另一端连接；所述第七电阻r7串接于所述电压比较器op的负相接入端与所述第二节点2之间。通过设置第五电阻r5和第六电阻r6可以防止所述电压比较器op的正相接入端的电流过大，通过设置第七电阻r7可以防止所述电压比较器op的负相接入端的电流过大。
66.所述开关单元21还包括第八电阻，所述第八电阻r8串接于所述电压比较器op的输出端与所述场效应晶体管q4的栅极之间。通过设置第七电阻可以防止所述电压比较器op的输出端的电流过大。
67.以上对本技术实施例所提供的一种方波削角电路及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。