技术特征：
1.一种混合叠放式滤波器芯片，其特征在于，所述混合叠放式滤波器芯片包括依次设置的衬底、saw谐振层、baw谐振层和高阻片；所述baw谐振层通过支撑柱设置在所述衬底和所述高阻片之间，且所述baw谐振层与所述衬底之间设置有第一空腔，所述baw谐振层与所述高阻片之间设置有第二空腔；所述saw谐振层设置在所述第一空腔内，通过第一导线与所述baw谐振层连接。2.根据权利要求1所述的混合叠放式滤波器芯片，其特征在于，所述baw谐振层包括第一电极层、介质层和第二电极层；所述第一电极层、所述介质层和所述第二电极层依次层叠设置；所述saw谐振层通过第一导线分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接；所述第一导线设置在所述支撑柱内。3.根据权利要求2所述的混合叠放式滤波器芯片，其特征在于，所述第一电极层上分离设置有电极层子块，所述第一导线串联连接所述saw谐振层的一端、所述电极层子块和所述第二电极层，且所述第一导线还连接所述saw谐振层的另一端和所述第一电极层。4.根据权利要求1所述的混合叠放式滤波器芯片，其特征在于，所述高阻片上或所述衬底上设置铜柱，所述铜柱上设置有锡银球体，所述铜柱通过第二导线连接所述第一导线。
技术总结
本实用新型适用于MEMS芯片制造技术领域，提供了一种混合叠放式滤波器芯片。所述混合叠放式滤波器芯片包括依次设置的衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片；所述BAW谐振层通过支撑柱设置在所述衬底和所述高阻片之间，且所述BAW谐振层与所述衬底之间设置有第一空腔，所述BAW谐振层与所述高阻片之间设置有第二空腔；所述SAW谐振层设置在所述第一空腔内，通过第一导线与所述BAW谐振层连接。通过将衬底、SAW谐振层、BAW谐振层和高阻片纵向叠放，构成叠层模块结构，在符合不同滤波频段需求的同时，还拥有相对较高的Q值设计和更小的尺寸设计。计。计。
技术研发人员：胡孝伟 代文亮 张竞颢 崔云辉 黄志远
受保护的技术使用者：上海芯波电子科技有限公司
技术研发日：2022.05.09
技术公布日：2022/8/15