含第二电极C2的导体图案。第二电极C2形成为在俯视(即，从与基板10的表面垂直的方向观察的状态)时与第一电极C1重复的形状以及位置。由图3可知，由第一电极C1以及第二电极C2和两者间的绝缘层Lc构成电容元件C。如图8所例示，电容元件C(第一电极C1、第二电极C2)以在俯视时与驱动晶体管Tdk以及发光控制晶体管Ta重叠的方式设置。
[0059]如图3以及图4所示，绝缘层Ld形成在形成有布线层W。的绝缘层L。的面上。对绝缘层Ld的表面执行平坦化处理。在平坦化处理中，任意地采用化学机械研磨(CMP =ChemicalMechanical Polishing)等公知的表面处理技术。如图3以及图4所例示,在被平坦化处理高度地平坦化的绝缘层Ld的表面，由同层(布线层Wd)形成包含第一电源导电体41、第二电源导电体42、以及中继电极Qdi的导体图案。如图3所示，第一电源导电体41与第二电源导电体42相互分离地形成而电绝缘。第一电源导电体41经由多层布线层内的布线(省略图示)，与供给高位侧的电源电位Va的安装端子36导通。同样，第二电源导电体42经由多层布线层内的布线(省略图示)，与供给低位侧的电源电位Vct的安装端子36导通。第一实施方式的第一电源导电体41以及第二电源导电体42由例如含有银、铝的光反射性的导电材料形成为例如10nm左右的膜厚。
[0060]图10是第一电源导电体41和第二电源导电体42的俯视图。第一电源导电体41如上所述是供给高位侧的电源电位Va的电源布线，如图10所示，是遍及显示区域12的大致整个区域形成为面状的大致矩形状的实心图案。所谓的实心图案，不是线状或者带状的图案、或其组合(例如格子状)的图案，而是意味着以对显示区域12的大致整个面进行涂覆的方式实际没有缝隙地均匀地连续的面状(即实心状)的图案。此外，也可以以像素P为单位分别独立地形成第一电源导电体41。
[0061]由图4以及图9可知，形成在显示区域12内的第一电源导电体41按照每个像素P经由贯通绝缘层Ld和绝缘层Lc的导通孔Hdi与中继电极Qa3导通。即，由图4可知，作为驱动晶体管Tdk的源极发挥作用的能动区域1a经由中继电极Qa3以及中继电极Qbi与第一电源导电体41连接。另外，如图9所例示，第一电源导电体41经由绝缘层Ld的导通孔Hd2与电容元件C的第二电极C2连接。即，在驱动晶体管Tdk的栅极Gdk和源极(第一电源导电体41)之间夹有电容元件C。此外，也可以在绝缘层Ld形成多个导通孔Hd2，在多个位置上第一电源导电体41和电容元件C的第二电极C2连接。
[0062]如图9所例示，在第一电源导电体41以像素P为单位形成开口部41a。在各开口部41A的内侧，由与第一电源导电体41以及第二电源导电体42同层形成中继电极QD1。中继电极Qdi与第一电源导电体41相互分离地形成而电绝缘。由图4以及图9可知，中继电极Qdi经由贯通绝缘层Ld和绝缘层Lc的导通孔Hd3与中继电极Qb2导通。
[0063]第二电源导电体42形成在周边区域14内，如上所述是供给低位侧的电源电位Vct的电源布线。如图10所例示，本实施方式的第二电源导电体42在俯视时形成为包围第一电源导电体41(显示区域12)的矩形框状(封闭图形)。第二电源导电体42的宽度(从内周缘到外周缘的距离)例如是1.5mm。图11是形成在绝缘层Ld的面上的各要素的位置关系的说明图。图10中的区域α的放大图与图11的各部分((A)?(D))对应。如从图10和图11的部分(A)可知，在俯视时显示区域12和周边区域14的边界位于由第一电源导电体41的周缘和第二电源导电体42的内周缘围起的区域。
[0064]如图3以及图4所示，绝缘层Le形成在形成有布线层Wd的绝缘层Ld的面上。在绝缘层Le的面上，由同层(布线层^)形成包含图3所示的第二导电体58和图4所示的中继电极Qei的导体图案。布线层We例如由遮光性的导电材料(例如氮化钛)形成。
[0065]中继电极Qei经由贯通绝缘层Le的导通孔与中继电极Qdi导通。由图4可知，中继电极Qei以在俯视时与第一电源导电体41的开口部41Α重复的方式形成。即，中继电极Qm的外周缘在俯视时位于开口部41α的内周缘的外侧。中继电极Qei由遮光性的导电材料形成，所以通过中继电极Qei防止针对多层布线层的来自开口部414的外光的侵入。因此，具有能够防止由光照射引起的各晶体管T的电流泄漏的优点。
[0066]如图10以及图11的部分⑶所示，第二导电体58形成在第一电源导电体41以及第二电源导电体42的面上。在图10中第二导电体58的一部分用实线图示，另一部分的外形用点划线来表现。由图10可知，第二导电体58形成为与第二电源导电体42类似的环状(矩形框状)，在俯视时形成为与第一电源导电体41以及第二电源导电体42双方重叠的带状。具体而言，第二导电体58的内周缘在俯视时位于第一电源导电体41的周缘的内侦U。即，第二导电体58与第一电源导电体41中的周缘的附近的区域重叠。另外，第二导电体58的外周缘在俯视时位于第二电源导电体42的外周缘的外侧。即，第二导电体58在俯视时与第二电源导电体42的整个区域重叠。由以上的说明可知，第二导电体58在俯视时与第一电源导电体41和第二电源导电体42的间隙的区域(即显示区域12与周边区域14的边界的附近的区域)重叠。
[0067]将未形成第二导电体58的结构假定为对比例(以下称为“对比例I”)。图12是对比例I中的第一电源导电体41以及第二电源导电体42的剖视图(显示区域12与周边区域14的边界的附近的剖视图)。如图12所例示，在对比例I中，在形成覆盖第一电源导电体41以及第二电源导电体42的绝缘层1^后，第一电源导电体41以及第二电源导电体42的缘端部(角部)e从绝缘层Le露出，存在对第一电源导电体41、第二电源导电体42产生损伤、腐蚀的可能性。另一方面，在第一实施方式中，以与第一电源导电体41以及第二电源导电体42的间隙重叠(覆盖第一电源导电体41、第二电源导电体42的缘端部e)的方式形成第二导电体58，所以具有能够防止由从绝缘层Le的露出引起的第一电源导电体41以及第二电源导电体42的损伤、腐蚀的优点。
[0068]如图3以及图11的部分⑶所示，第二导电体58经由贯通绝缘层Le的导通孔!^与第二电源导电体42导通。图13是形成于周边区域14的各导通孔(HE1、Hf1、Hgi)的俯视图。如图13所示，导通孔Hei是除去了绝缘层Le中在俯视时包围显示区域12的矩形框状的区域的贯通孔。导通孔Hei形成在俯视时与第二电源导电体42重叠的区域中的第一区域S1内。如图13所示，第一区域S1在俯视时是矩形框状的区域，如图11的部分(D)所示，在周边区域14位于第二电源导电体42的内周缘与外周缘之间。第一区域S1的宽度(从内周缘到外周缘的距离)例如为0.3mm。第二导电体58经由导通孔Hei遍及周边区域14的全周与第二电源导电体42导通。
[0069]如图3以及图4所例示，在形成有布线层We的绝缘层Le的面上形成有光路调整层60。光路调整层60是用于按照像素P的显示颜色分别独立地设定共振结构的共振波长(即显示颜色)的要素，由硅化合物(典型的是氮化硅、氧化硅)等透光性的绝缘材料形成。具体而言，通过根据光路调整层60的膜厚适当地调整构成共振结构的第一电源导电体41与第二电极E2之间的光路长(光学距离)来按照显示颜色设定各像素P的射出光的共振波长。
[0070]如图3所例示，在光路调整层60的面上，由同层形成有显示区域12内的每个像素P的第一电极E1和周边区域14内的第一导电体63。第一电极E1和第一导电体63例如由ITOdndium Tin Oxide:铟锡氧化物)等透光性的导电材料形成。如参照图2所说明的那样，第一电极E1是作为发光元件45的阳极发挥作用的大致矩形形状的电极(像素电极)，如图4所示，经由贯通光路调整层60的导通孔与中继电极Qei导通。即，第一电极E1经由多层布线层的各中继电极(QE1、Qdi> Qb2> Qa4)与发光控制晶体管Ta的能动区域10A(漏极)导通。
[0071]第一导电体63形成为与第二导电体58类似的环状(矩形框状)。如图11的部分(C)所示，第一导电体63的内周缘位于第二导电体58的内周缘的内侧(基板10的周缘侧)，且第一导电体63的外周缘位于第二导电体58的外周缘的内侧。如图3以及图11的部分(C)所示，第一导电体63经由贯通光路调整层60的导通孔Hfi与第二导电体58导通。如图13所示，导通孔Hfi是除去了光路调整层60中在俯视时包围显示区域12的矩形框状的区域的贯通孔。导通孔Hfi与导通孔Hei相比位于显示区域12侧。第一导电体63经由导通孔Hfi遍及周边区域14的全周与第二导电体58导通。
[0072]如图3所例不,在形成有第一电极E1和第一导电体63的光路调整层60的面上遍及基板10的整个区域形成有像素定义层65。像素定义层65例如由硅化合物(典型的为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。由图3可知，在像素定义层65形成有与显示区域12内的各第一电极E1对应的开口部65a。
[0073]如图3以及图4所例不,在形成有第一电极E1、第一导电体63以及像素定义层65的光路调整层60的面上形成有发光功能层46。发光功能层46包含由有机EL材料形成的发光层而构成，且通过电流的供给放射白色光。发光层利用印刷技术、蒸镀技术等公知的成膜技术形成。白色光是具有遍及蓝色的波长范围、绿色的波长范围以及红色的波长范围的光谱的光，在可见光的波长范围内至少观测到两个峰值。此外，也能够使向发光层供给的电子、空穴的输送层或者注入层包含于发光功能层46。
[0074]如图3所示，发光功能层46遍及显示区域12内的多个像素P连续，且周缘48在俯视时位于周边区域14。具体而言，如图11的部分(D)所示，发光功能层46的周缘48位于第二区域S2内。第二区域S2是俯视时位于第一区域S1的显示区域12侧的矩形框状的区域。在发光功能层46的周缘48的位置可能产生制造上的误差。在发光功能层46的形成采用了制造精度比较低的印刷技术等成膜技术的情况下，周缘48的位置的误差特别显著。第二区域S2是以包含周缘48的位置的误差范围的方式确保的区域(制造差值(margin))。具体而言，第二区域S2的宽度设定为第一区域S1的两倍左右的宽度(例如0.6_)，优选为第一区域S1的一倍以上三倍以下。
[0075]如图11的部分⑶?部分⑶所示，发光功能层46的周缘48与第二导电体58重叠。具体而言，周缘48的全周俯视时与矩形框状的第二导电体58重叠。在发光功能层46的周缘48的一部分与第二导电体58重叠，另外的一部分不与第二导电体58重叠的构成中，存在反映了第二导电体58的膜厚的阶梯差出现在发光功能层46的表面的可能性。在本实施方式中，周缘48的全周与单一的部件(第二导电体58)重叠，所以存在降低发光功能层46的表面的阶梯差这样的优点。
[0076]在形成有发光功能层46的光路调整层60的面上遍及显示区域12的整个区域形成有第二电极E2。如图11的部分⑶所示，第二电极E2经由像素