源及第二福射源的相对位置示 意图。
[0037] 图3是本发明实施例提供的应用Effl控制方法的进行仿真的极坐标方向图；
[0038] 图4是本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
[0039] 图5是本发明实施例提供的Effl控制装置的结构示意图；
[0040] 图6是本发明实施例提供的另一Effl控制装置的结构示意图；
[0041] 图7是本发明实施例提供的又一Effl控制装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0042] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0043]请参阅图1，本发明实施例提供一种EMI(electroma即eticinterference,电磁 干扰)控制方法，用于控制电子设备的EMI。其中，所述电子设备包括单板、至少两个福射源 及可调相位时钟驱动器，所述至少两个福射源及所述可调相位时钟驱动器设置于所述单板 上。所述EMI控制方法包括：
[0044] 101，确定所述至少两个福射源在所述单板上的位置。
[0045]其中，所述至少两个福射源可W为中央处理器等福射器件。所述至少两个福射源 设置于所述单板上。在所述单板平面上建立一个X-Y轴坐标系。所述至少两个福射源在所 述坐标系中具有相应的坐标，从而可W确定所述至少两个福射源相对于X-Y轴坐标系的原 点的位置。
[0046] 102,确定所述至少两个的福射源的预设角度。
[0047]其中，在本实施方式中，所述电子设备包括吸波材料及壳体，所述单板设置于所述 壳体内。所述吸波材料设置于所述单板的第一侧。所述壳体上设置有散热孔，用于实现所 述壳体内外的空气对流，W对所述电子设备进行散热。所述预设角度可W为相对于所述吸 波材料方向的角度。即所述预设角度为所述X-Y轴的法线方向与所述吸波材料方向之间的 夹角。所述预设角度也可W为相对于所述散热孔方向的角度。即所述预设角度为所述X-Y 轴的法线方向与所述散热孔方向之间的夹角。
[0048] 103,根据所述至少两个福射源在所述单板上的位置及所述至少两个福射源的预 设角度，计算所述至少两个福射源的位置初始相位差。
[0049] 具体地，根据所述至少两个福射源在所述单板上的位置、所述至少两个福射源的 预设角度及位置初始相位差公式计算所述至少两个福射源的位置初始相位差。
[0050] 其中，所述位置初始相位差公式为口 = 2；^^/8^谬7〇，其中(1为福射源在所述单板 上的位置之差；C为光速；f为超标频率；0为所述预设角度；9为位置初始相位差。通常， 每个福射源会福射出不同频率的电磁波，透过所述电子设备的壳体可W福射出若干不同频 率的电磁波，其中，超过国家或者国际上规定的标准的频率即为超标频率。
[0051]根据所述至少两个福射源在所述单板上的位置可W确定所述至少两个福射源的 位置之差。所述位置初始相位差公式是用于计算两个福射源之间的位置初始相位差。其中， 确定所述至少两个福射源的位置之差的具体方式如下：
[0052]W其中一个福射源作为基础福射源，所述至少两个福射源的位置之差为其他各个 福射源分别与所述基础福射源的距离之差。例如，如图2所示，所述单板上设置有第一福射 源及第二福射源。W所述第一福射源作为基础福射源，根据所述第一福射源及所述第二福 射源在所述单板上的坐标即可确定所述第二福射源与所述基础福射源之间的位置之差d,。 所述预设角度为0。具体地，所述箭头所指示的方向可W为吸波材料的方向，所述预设角 度0为所述坐标系的法线方向与所述吸波材料方向之间的夹角。则所述第二福射源相对 于所述基础福射源的位置初始相位差为& = sin场7c。
[0053] 同理，当所述单板上还设置有第H福射源时，则根据所述第一福射源及所述第H 福射源在所述单板上的坐标即可确定所述第H福射源与所述基础福射源之间的位置之差ds。则所述第；福射源相对于所述基础福射源的位置初始相位差为巧=2却sin6T/'(:。由于 所述第一福射源是作为基础福射源，故所述第一福射源相对于所述基础福射源的位置初始 相位差为巧=0。
[0054] W此类推，所述第n个福射源与所述基础福射源之间的位置之差为屯，则所述第n 个福射源相对于所述基础福射源的位置初始相位差为巧<-2;r式sin劈7c。
[0055] 104,根据所述至少两个福射源的位置初始相位差，计算所述至少两个福射源在远 场的叠加场强处于极限值时的确定时钟初始相位。
[0056] 具体地，根据所述至少两个福射源的位置初始相位差和远场叠加场强公式，计算 所述至少两个福射源在远场的叠加场强处于极限值时的确定时钟初始相位。
[0057] 通常，远场叠加场强与福射源的位置初始相位差及福射源的确定时钟初始相位之 间具有函数关系。所述远场叠加场强公式为^ = ^1>'""^'""| ;其中，11为福射源的数量击 /=1 为各个福射源在远场的叠加场强；4i为第i个福射源的确定时钟初始相位；巧为第i个福 射源相对于基础福射源的位置初始相位差啡为第i个福射源在远场的场强强度；K为常数 系数。
[0058] 具体的，首先确定所述单板上的各个福射源在远场的场强ai，可W采用通用方法 来确定，然后将确定的各个福射源在远场的场强及确定的各个福射源相对于基础福射源 的位置初始相位差巧，如步骤103中所述，带入所述远场叠加场强公式，即可确定所述各个 福射源在远场的叠加场强处于极限值时，所述各个福射源的确定时钟初始相位
[0059] 例如，所述单板上设置有H个福射源，分别为第一福射源、第二福射源及第H福射 源。其中，W第一福射源为基础福射源。则所述第一福射源至第H福射源在远场的叠加 场强为￡=口,。其中，如上所述，确定所述第一福射源至第立福射源的远场的场 f=l 强ai、32、33,并根据步骤103中所述确定所述第一福射源至第H福射源的位置初始相位差 約、界2、A。因此，当所述第一福射源至第H福射源在远场的叠加场强处于极限值时，可 W得到所述第一福射源至第H福射源的确定时钟初始相位42、43。
[0060] 具体地，当所述预设角度为相对于所述吸波材料方向的角度时，计算所述叠加场 强处于最大值时的确定时钟初始相位，从而可W使得所述至少两个福射源的超标频率的电 磁波朝向所述吸波材料方向福射，从而被所述吸波材料吸收。其中，此时的确定时钟初始相 位为第一确定时钟初始相位。
[0061] 当所述预设角度为对应所述散热孔方向的角度时，计算所述叠加场强处于最小值 时的确定时钟初始相位，从而可W避免所述至少两个福射源的超标频率的电磁波从所述散 热孔福射出去。其中，此时的确定时钟初始相位为第二确定时钟初始相位。
[0062] 进一步地，所述预设角度可W包括第一角度及第二角度。所述散热孔包括第一侧 壁散热孔及第二侧壁散热孔。其中，所述壳体包括第一侧壁及第二侧壁。所述第一侧壁对应 所述单板的第二侧。所述第二侧壁对应所述单板的第H侧。所述第一侧壁散热孔为开设于 所述第一侧壁上的散热孔。所述第二侧壁散热孔为开设于所述第二侧壁上的散热孔。即所 述第一侧壁散热孔对应所述单板的第二侧。所述第二侧壁散热孔对应所述单板的第H侧。 所述第一角度为相对于所述第一侧壁散热孔方向的角度。所述第二角度为相对于所述第二 侧壁散热孔方向的角度。所述远场叠加场强公式中还包括第一权值及第二权值。所述第一 权值对应所述第一角度，所述第二权值对应所述第二角度。其中，所述第一权值及所述第二 权值为常量，可W根据实际需要进行调整。
[006引具体地，由于散热孔的孔径大小和散热孔的数量均会对EMI控制产生影响。当散 热孔的孔径与福射波长属于同一数量级时，散热孔越多越会将福射源的超标频率的电磁波 福射出去。因此，当所述第一侧壁散热孔的数量大于所述第二侧壁散热孔的数量时，设置所 述第一权值大于所述第二权值，从而尽可能地避免所述福射源的超标频率的电磁波从所述 第一侧壁撒热孔福射出去。当散热孔的孔径与福射波长不属于同一数量级时，散热孔的孔 径越大，电磁波越容易从该散热孔福射出。因此，当所述第一侧壁散热孔的孔径大于所述第 二侧板散热孔的孔径时，设定所述第一