振动器件的频率调整方法和振动器件的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及振动器件的频率调整方法和振动器件的制造方法。
【背景技术】
[0002]作为在通信设备或者测定器等的基准频率信号源中使用的振动器件，已知有石英振荡器。一般要求石英振荡器高精度且输出频率稳定。石英振荡器是例如在容器内配置石英振动片和用于使石英振动片振荡的电路的结构，为了实现高精度并且使输出频率稳定，需要进行石英振动片的频率调整。
[0003]例如，在专利文献I中公开了在形成有IC电路的芯片基板上配置压电振动元件(压电振动片)并进行压电振动元件的频率调整的方法。
[0004]并且，在专利文献2中公开了在使温度补偿电路正常工作的状态下进行温度补偿石英振荡器(TCXO:Temperature-Compensated Crystal Oscillators)所使用的振动片的频率调整的方法。在专利文献2所公开的方法中，能够在使温度补偿电路以与实际的工作时相同的方式工作的状态下，进行振动片的频率调整。
[0005]作为石英振荡器，除了上述示例以外，作为得到极高的频率稳定性的石英振荡器，还已知恒温槽型石英振荡器(OCXO:0ven Controlled Crystal Oscillator)。OCXO—般具有恒温槽，并在该恒温槽内收纳石英振动片，所述恒温槽借助发热体等进行温度控制，以保持在比常温(例如25°C)高的恒定温度(例如85°C)。并且，关于石英振动片的频率调整，一般在暴露于常温环境、或者保持在常温的壳体中的状态下进行频率调整。
[0006]然而，在0CX0这样的振动器件的情况下，在频率调整时和驱动发热体的状态(使发热体工作、作为振荡器使用的状态、即实际使用状态)下，存在振动器件的电路工作状态有差异、或者石英振动片的温度有差异等在环境状态上有差异的情况。由此，存在石英振动片的频率在频率调整时和驱动发热体的状态之间产生差异的情况，因此在0CX0个体之间，也有可能在频率温度特性为极大值和极小值时的频率上产生大的差异。因此，即使根据石英振动片的频率调整结果设定发热体的加热温度以得到期望的频率精度，也有可能无法得到要求的频率精度。
[0007]在该情况下，需要例如针对各0CX0个体调整发热体的发热条件，然而在各0CX0个体的频率温度特性偏差大的情况下，必须进行针对各0CX0个体变更发热条件这样的设定等作业，有可能降低生产效率。
[0008]专利文献1:日本特开2008 - 91970号公报
[0009]专利文献2:日本特表平9 - 503361号公报
【发明内容】
[0010]本发明的若干方式涉及的目的之一是提供能够使振动片与实际使用状态下要求的频率高精度一致的振动器件的频率调整方法。并且，本发明的若干方式涉及的目的之一是提供能够使振动片与实际使用状态下要求的频率高精度一致的振动器件的制造方法。
[0011]本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式或应用例来实现。
[0012][应用例I]
[0013]本应用例的振动器件的频率调整方法是包括振动片和发热体的振动器件的频率调整方法，其中，
[0014]一边利用所述发热体加热所述振动片，一边进行所述振动片的频率调整。
[0015]在本应用例的振动器件的频率调整方法中，能够使频率调整时的振动片的温度与实际使用状态的振动片的温度相同，或者使频率调整时的振动片的温度接近实际使用状态的振动片的温度。由此，能够减小通过频率调整所调整的振动片的频率与实际使用状态的振动片的频率的差。因此，在本应用例的振动器件的频率调整方法中，能够使振动片与实际使用状态下要求的频率高精度地一致。而且，在本应用例的振动器件的制造方法中，无需执行针对多个振动器件分别进行变更发热条件这样的设定等作业，能够具有高生产效率。
[0016][应用例2]
[0017]在上述应用例的振动器件的频率调整方法中，也可以是，
[0018]所述振动片配置在所述发热体处。
[0019]在本应用例的振动器件的频率调整方法中，能够利用发热体高效地(短时间)加热振动片，因此能够进一步高精度地控制振动片的温度。
[0020][应用例3]
[0021]在上述应用例的振动器件的频率调整方法中，也可以是，
[0022]具有温感元件，一边根据所述温感元件的温度检测结果控制所述发热体的温度一边进行所述振动片的频率调整。
[0023]在本应用例的振动器件的频率调整方法中，能够高精度地测定发热体的温度，因此能够高精度地控制发热体的温度，因此能够高精度地控制振动片的温度。
[0024][应用例4]
[0025]在上述应用例的振动器件的频率调整方法中，也可以是，
[0026]所述振动片的频率调整在比大气压低压的环境中进行。
[0027]在本应用例的振动器件的频率调整方法中，在实际使用状态的环境中进行振动片的频率调整，因此能够减小通过频率调整所调整的振动片的频率与实际使用状态的振动片的频率的差。
[0028][应用例5]
[0029]在上述应用例的振动器件的频率调整方法中，也可以是，
[0030]所述振动器件具备搭载所述振动片和所述发热体的基板。
[0031]在本应用例的振动器件的频率调整方法中，发热体和振动片搭载在基板、例如封装内，因此能够使频率调整时的振动片的温度更进一步与实际使用状态的振动片的温度相同，或者接近实际使用状态的振动片的温度。由此，能够减小通过频率调整所调整的振动片的频率与实际使用状态的振动片的频率的差。因此，在本应用例的振动器件的频率调整方法中，能够使振动片与实际使用状态下要求的频率高精度地一致。
[0032][应用例6]
[0033]在上述应用例的振动器件的频率调整方法中，也可以是，
[0034]所述振动器件还包括用于使所述振动片振荡的振荡用电路，
[0035]所述振荡用电路与所述发热体隔开地配置于所述基板上，一边使所述振荡用电路工作来使所述振动片振荡，一边进行所述振动片的频率调整。
[0036]在本应用例的振动器件的频率调整方法中，能够防止由于发热体而使电子元件的温度上升。这样的方式在要避免电子元件变成高温的情况下特别有效。
[0037][应用例7]
[0038]在上述应用例的振动器件的频率调整方法中，也可以是，
[0039]所述振荡用电路在俯视观察时被所述振动片覆盖。
[0040]在本应用例的振动器件的频率调整方法中，例如，在利用激光或离子射束对设置在振动片上的激励电极进行蚀刻来进行振动片的频率调整的情况下，能够降低电子元件因被激光或离子射束照射而性能劣化的可能性。
[0041][应用例8]
[0042]在上述应用例的振动器件的频率调整方法中，也可以是，
[0043]所述振动片的频率调整进一步是在利用来自所述振动器件的外部的热加热所述振动片的同时进行的。
[0044]在本应用例的振动器件的频率调整方法中，振动片通过发热体的加热和来自振动器件外部的加热这双方进行温度控制，因此能够更可靠地加热振动片。
[0045][应用例9]
[0046]本应用例的振动器件的制造方法是包括振动片、发热体、以及搭载有所述振动片和所述发热体的基板的振动器件的制造方法，其包括:
[0047]将所述振动片和所述发热体搭载到所述基板上的工序；和
[0048]在使所述发热体发热而控制所述振动片的温度的状态下进行所述振动片的频率调整的工序。
[0049]在本应用例的振动器件的制造方法中，能够使频率调整时的振动片的温度与实际使用状态的振动片的温度相同，或者使频率调整时的振动片的温度接近实际使用状态的振动片的温度。由此，能够减小通过频率调整所调整的振动片的频率与实际使用状态的振动片的频率的差。因此，在本应用例的振动器件的制造方法中，能够使振动片与实际使用状态下要求的频率高精度地一致。而且，在本应用例的振动器件的制造方法中，无需执行针对多个振动器件分别进行变更发热条件这样的设定等作业，能够具有高生产效率。
[0050][应用例10]
[0051]在上述应用例的振动器件的制造方法中，也可以是，
[0052]进行所述振动片的频率调整的工序进一步是在利用来自所述振动器件的外部的热加热所述振动片的同时进行的。
[0053]在本应用例的振动器件的制造方法中，振动片通过发热体的加热和来自振动器件外部的加热这双方进行温度控制，因此能够更可靠地加热振动片而进行温度控制。
[0054][应用例11]
[0055]在上述应用例的振动器件的制造方法中，也可以是，
[0056]调整所述振动片的频率的工序在比大气压低压的环境中进行。
[0057]在本应用例的振动器件的制造方法中，在实际使用状态的环境中进行振动片的频率调整，因此能够减小通过频率调整所调整的振动片的频率与实际使用状态的振动片的频率的差。
【附图说明】
[0058]图1是示意地示出本实施方式的振动器件的剖视图。
[0059]图2是示意地示出本实施方式的振动器件的俯视图。
[0060]图3是用于说明本实施方式的振动器件的制造方法的流程图。
[0061]图4是示意地示出本实施方式的振动器件的制造工序的剖视图。
[0062]图5是示意地示出本实施方式的第I变形例的振动器件的剖视图。
[0063]图6是示意地示出本实施方式的第2变形例的振动器件的剖