一种电路板和电路板上芯片去耦的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种电路板和电路板上芯片去耦的方法。
【背景技术】
[0002]电路板是所有电子设备中不可或缺的物理载体，早期的电路板，功能简单，器件密度小，信号速率很低，电路板能完成联通就可以实现。而随着人们对电子设备需求的变化，电子产品向着功能更加丰富，性能更加完美等方面发展，电路板上芯片去耦是保证电路板正常工作的关键之一。目前，对电路板上芯片的去耦主要是芯片引脚与去耦电容的引脚连接或者芯片引脚与去耦电容的引脚通过过孔分别与对应的电源层或地层连接，使得电路板中电路具有较高的寄生效应。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种电路板和电路板上芯片去耦的方法，以降低电路板中电路的寄生效应。
[0004]—种电路板，包括:芯片、去耦电容、地层和电源层，其中，
[0005]所述芯片中的第一引脚连接到所述去耦电容中的第二引脚，形成第一连接；
[0006]所述芯片中的第三引脚与所述去耦电容中的第四引脚互联，形成第二连接；
[0007]所述芯片中的第一引脚、所述去耦电容中的第二引脚还分别连接到与该第一引脚极性相同的地层和电源层中的第一方，以形成所述第一引脚和第二引脚在所述第一方中的第三连接；
[0008]以形成所述第一连接与所述第三连接并联连接到第二连接的并联回路。
[0009]优选地，所述芯片中的第一引脚为距离所述去耦电容最近的引脚；
[0010]所述去耦电容中的第二引脚为距离所述芯片最近的引脚。
[0011]优选地，所述芯片中的第一引脚具体通过连接线或预先铺设的导通介质连接到所述去耦电容中的第二引脚。
[0012]优选地，所述芯片中的第一引脚连接到所述第一方中的第一过孔；
[0013]所述去耦电容中的第二引脚连接到所述第一方中的第二过孔。
[0014]优选地，所述芯片中的第三引脚具体通过连接线或预先铺设的导通介质与所述去耦电容中的第四引脚互联；
[0015]或者，
[0016]所述芯片中的第三引脚、所述去耦电容中的第四引脚分别具体通过过孔与该第三引脚极性相同的地层和电源层中的第二方连接，以形成所述芯片中的第三引脚与所述去耦电容中的第四引脚互联。
[0017]优选地，所述第一引脚和所述第二引脚为地引脚；所述第三引脚和所述第四引脚为电源引脚；
[0018]所述第一方为地层。
[0019]优选地，所述第一引脚和所述第二引脚为电源引脚；所述第三引脚和所述第四引脚为地引脚；
[0020]所述第一方为电源层。
[0021]—种电路板上芯片去耦的方法，包括:
[0022]将所述芯片中的第一引脚连接到所述去耦电容中的第二引脚，以形成第一连接；
[0023]将所述芯片中的第三引脚连接到所述去耦电容中的第四引脚，以形成第二连接；
[0024]将所述芯片中的第一引脚、所述去耦电容中的第二引脚分别连接到与该第一引脚极性相同的地层和电源层中的第一方，以形成所述第一引脚和第二引脚在所述第一方中的第三连接；
[0025]以形成所述第一连接与所述第三连接并联连接到第二连接的并联回路。
[0026]优选地，所述芯片中的第一引脚为距离所述去耦电容最近的引脚；
[0027]所述去耦电容中的第二引脚为距离所述芯片最近的引脚。
[0028]优选地，所述芯片中的第一引脚连接到所述第一方中的第一过孔；
[0029]所述去耦电容中的第二引脚连接到所述第一方中的第二过孔。
[0030]本发明实施例提供了一种电路板和电路板上芯片去耦的方法，该电路板包括:芯片、去耦电容、地层和电源层，其中，所述芯片中的第一引脚连接到所述去耦电容中的第二引脚，形成第一连接；所述芯片中的第三引脚与所述去耦电容中的第四引脚互联，形成第二连接；所述芯片中的第一引脚、所述去耦电容中的第二引脚还分别连接到与该第一引脚极性相同的地层和电源层中的第一方，以形成所述第一引脚和第二引脚在所述第一方中的第三连接；以形成所述第一连接与所述第三连接并联连接到第二连接的并联回路，该并联回路有效地降低电路板中电路的寄生效应。
【附图说明】
[0031]图1为本发明实施例提供的一种电路板的结构示意图；
[0032]图2为本发明另一实施例提供的一种电路板的结构示意图；
[0033]图3为本发明又一实施例提供的一种电路板的结构示意图；
[0034]图4为本发明实施例提供的一种电路板上芯片去耦的方法流程图。
【具体实施方式】
[0035]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036]如图1所示，本发明实施例提供的一种电路板，包括:芯片、去耦电容、地层和电源层，其中，
[0037]所述芯片101中的第一引脚1011连接到所述去耦电容102中的第二引脚1021，形成第一连接；
[0038]所述芯片101中的第三引脚1012与所述去耦电容102中的第四引脚1022互联，形成第二连接；
[0039]所述芯片101中的第一引脚1011、所述去耦电容102中的第二引脚1021还分别连接到与该第一引脚极性相同的地层和电源层中的第一方103，以形成所述第一引脚和第二引脚在所述第一方中的第三连接；
[0040]以形成所述第一连接与所述第三连接并联连接到第二连接的并联回路。
[0041]由于减少回路的面积，也可以有效地使寄生效应导致的影响降低，上述实施例中所述芯片101中的第一引脚1011为距离所述去耦电容最近的引脚，所述去耦电容102中的第二引脚1021，为距离所述芯片最近的引脚；另外，由于第一引脚可以为芯片的地引脚，也可以为芯片的电源引脚，在本发明又一实施例中，按照第一引脚类型的不同，将电路板分为两类:
[0042]在第一类电路板中，如图2所示，芯片101中第一引脚为芯片的地引脚2011，第三引脚为芯片的电源引脚2012，该芯片101中地引脚2011为距离去耦电容最近的引脚，且去耦电容102的第二引脚为去耦电容的地引脚2021，也为距离该芯片最近的引脚，去耦电容102的第四引脚为去耦电容的电源引脚2022 ;
[0043]芯片101中芯片地引脚2011通过连接线或预先铺设的导通介质连接到所述去耦电容102中去耦电容地引脚2021 ；
[0044]芯片地引脚2011和去耦电容地引脚2021还分别通过过孔连接到所述地层203 ;
[0045]芯片电源引脚2012与去耦电容电源引脚2022分别具体通过过孔连接到电源层204。
[0046]在第二类电路板中，如图3所示，芯片101中第一引脚为芯片的电源引脚3011，第三引脚为芯片的地引脚3012，该芯片101中电源引脚3011为距离去耦电容最近的引脚，且去耦电容102的第二引脚为去耦电容的电源引脚3021，也为距离该芯片最近的引脚，去耦电容102的第四引脚为去耦电容的地引脚3022 ;
[0047]芯片101中芯片电源引脚3011通过连接线或预先铺设的导通介质连接到所述去耦电容102中去耦电容电源引脚3021 ;
[0048]芯片电源引脚3011和去耦电容电源引脚3021还分别通过过孔连接到所述电源层303 ；
[0049]芯片地引脚2012与去耦电容地引脚2022分别具体通过过孔连接到地层304。
[0050]在本发明又一实施例中，在第一类电路板中，芯片电源引脚2012与去耦电容电源引脚2022互联的方式为:
[0051]芯片电源引脚具体通过连接线或预先铺设的导通介质与去耦电容电源引脚互联。
[0052]在本发明又一实施例中，在第二类电路板中，芯片地引脚2012与去耦电容的地引脚2022互联的方式为:
[0053]芯片地引脚具体通过连接线或预先铺设的导通介质与去耦电容地引脚互联。
[0054]在本发明又一实施例中，在第二类电路板中，芯片地引脚2012与去耦电容的地引脚2022互联的方式为:
[0055]芯片地引脚、去耦电容地引脚分别具体通过过孔连接到地层。
[0056]如图4所示，本发明实施例提供一种电路板上芯片去耦的方法，该方法可以包括如下步骤:
[0057]步骤401:将所述芯片中的第一引脚连接到所述去耦电容中的第二引脚，以