高频封装基板用覆铜箔层压板的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及覆铜箱层压板技术领域，具体涉及一种高频封装基板用覆铜箱层压板 的制备方法。
【背景技术】
[0002] 随着电子信息技术的高速发展，电子产品越来越轻薄化、微型化，其结构骨架的 PCB板，装载密度越来越高，诸多方面用到封装IC，IC载板简称封装基板。封装基板所用的 覆铜箱层压板的基板材料，是当前十分重要的课题。随着IC封装的高频化，高频封装基板 所用的覆铜板必须具有高频性能，即不但具有更低膨胀数性能，还必须具有低介电常数、低 损耗常数、高热传导率性能。
[0003] 现有通用耐热型高频覆铜板，是通过提高树脂的交联密度、增加芳香结构的含量 来达到耐热性能，其Tg最高为180°C，X、Y膨胀系数数最低为12~16ppm/°C，Z轴膨胀系 数数最低为50ppm/°C (Tg前），介电常数Dk最低为3. 8,介质损耗最低为0. 008。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是提供一种高频封装基板用覆铜箱层压板的制备方法，制备的覆铜 箱层压板具有耐高热性能及低介电、低介电损耗常数性能、高热传导率性能。本发明的目的 由以下技术方案实现：
[0005] -种高频封装基板用覆铜箱层压板的制备方法，其特征在于，包括：
[0006] (1)提供下表组分的原材料：
[0008] (2)聚酰亚胺树脂溶解：加入上表剂量的二甲基甲酰胺溶剂，加热到50~60°C，搅 拌状态下加入双马亚酰亚胺，溶解至透明；
[0009] (3)再加入上表剂量的双酚A型二氰酸酯树脂，加热至温度为70~90°C，反应预 聚 60 ~IOOmin ;
[0010] (4)加入上表剂量的双环戊二烯环氧树脂，搅拌至溶解，维持温度50~70°C，反应 预聚60~IOOmin ;
[0011] (5)加入上表剂量的乙酰丙酮合钴，调节胶液的胶化时间为200~260s，胶化温度 为 170 ~171。。；
[0012] (6)加入上表剂量的硅烷偶联剂KH560,搅拌30~60min ;
[0013] (7)加入上表剂量的2 μπι粒径空心玻璃微球，高速搅拌30~60min，然后再加入 上表剂量的8 μ m粒径空心玻璃微球，高速搅拌60~120min ;
[0014] (8)半固化片制备；
[0015] (9)叠片、配板、压合；
[0016] (10)高温后固化，生产出成品。
[0017] 本发明的有益效果在于：通过引入三嗪环结构，交联密度高而且树脂结构的对称 性极好，因此，基板的介电常数Dk小于3. 6,介质损耗常数小于0. 005 ;Tg大于220°C，X、Y 膨胀系数为6~10ppm/°C，Z轴膨胀系数小于35ppm/°C (Tg前）。
【附图说明】
[0018] 图1为本发明提供的高频封装基板用覆铜箱层压板的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0019] 本申请将通过多个实施例阐述高频封装基板用覆铜箱层压板的制备方法，以下各 实施例均将用到的主要原材料如下：
[0020] 空心玻璃微球粒径：2μπι;
[0021] 空心玻璃微球粒径：8 μ m ;
[0022] 双环戊二烯环氧树脂：
[0026] 双酚A型二氰酸酯：
[0030] 有机溶剂：二甲基甲酰胺（DMF)、丙酮；
[0031] 2116玻璃开纤纤维布；
[0032] 电解铜箱：18 μ m 35 μ m ;
[0033] 偶联剂：硅烷偶联剂KH560。
[0034] 实例一：
[0035] 结合图1所示，本实施例提供的高频封装基板用覆铜箱层压板的制备方法包括以 下步骤：
[0036] (1)提供下表组分的原材料：
[0038] (2)聚酰亚胺树脂溶解：加入上表剂量的二甲基甲酰胺溶剂，加热到50~60°C，搅 拌状态下加入双马亚酰亚胺，溶解至透明；
[0039] (3)再加入上表剂量的双酚A型二氰酸酯树脂，加热至温度为70~90°C，反应预 聚 60 ~IOOmin ;
[0040] (4)加入上表剂量的双环戊二烯环氧树脂，搅拌至溶解，维持温度50~70°C，反应 预聚60~IOOmin ;
[0041] (5)加入上表剂量的乙酰丙酮合钴，调节胶液的胶化时间为200~260s，胶化温度 为 170 ~171。。；
[0042] (6)加入上表剂量的硅烷偶联剂KH560,搅拌30~60min ;
[0043] (7)加入上表剂量的空心玻璃微球（2 μ m)，高速搅拌30~60min，然后再加入上表 剂量的空心玻璃微球（8 μ m)，高速搅拌60~120min ;
[0044] (8)半固化片制备：采用立式涂胶机对2116玻璃布涂胶，通过烘箱对涂胶的2116 玻璃布进行烘干，烘箱温度：180~200°C，烘焙时间：1~3min。
[0045] 半固化片胶化时间控制：60~100s/170~171°C
[0046] 半固化片树脂含量RC :为56±2%，（具体根据制作板材的厚度而调整）
[0047] (9)叠片、配板、压合：
[0048] 按工艺厚度要求叠合相应张数的半固化片，如1.6mm需15张，I. 2mm需11张， 1.0 mm 需 9 张。
[0049] 覆上电解铜箱，于压机中压制，压制温度：190~200°C /lh，压力：真空压机30~ 40kg/cm2〇
[0050] (10)高温后固化：220~230°C /2h，生产出成品。
[0051] 按照上述胶液制备方法、玻璃布涂胶工艺、覆铜板压制工艺制作，覆铜板特性性能 指标如下：
[0053] 实例二：
[0054] 结合图1所示，本实施例提供的高频封装基板用覆铜箱层压板的制备方法包括以 下步骤：
[0055] (1)提供下表组分的原材料：
[0057] (2)聚酰亚胺树脂溶解：加入上表剂量的二甲基甲酰胺溶剂，加热到50~60°C，搅 拌状态下加入双马亚酰亚胺，溶解至透明；
[0058] (3)再加入上表剂量的双酚A型二氰酸酯树脂，加热至温度为70~90°C，反应预 聚 60 ~IOOmin ;
[0059] (4)加入上表剂量的双环戊二烯环氧树脂，搅拌至溶解，维持温度50~70°C，反应 预聚60~IOOmin ;
[0060] (5)加入上表剂量的乙酰丙酮合钴，调节胶液的胶化时间为200~260s，胶化温度 为 170 ~171。。；
[0061] (6)加入上表剂量的硅烷偶联剂KH560,搅拌30~60min ;
[0062] (7)加入上表剂量的空心玻璃微球（2 μ m)，高速搅拌30~60min，然后再加入上表 剂量的空心玻璃微球（8 μ m)，高速搅拌60~120min ;
[0063] (8)半固化片制备：采用立式涂胶机对2116玻璃布涂胶，通过烘箱对涂胶的2116 玻璃布进行烘干，烘箱温度：180~200°C，烘焙时间：1~3