接触区域31间的区域)形成导电性薄膜。藉此形成第2电极10、连接部23以及接触导体22。
[0142]本实施方式中，由于在接触区域31使间隔壁3形成顺锥形形状，因此即便在连接部23以及接触导体22的厚度薄的时候，亦可防止这些在间隔壁3的端部断线。
[0143]此外，于显示区域30，间隔壁3形成倒锥形形状，但间隔壁3所包围的区域的基板2侧的端部(前端尖细状的部位7a附近)由有机EL层7、9的材料所填充，故即便第2电极10的厚度薄时，亦可防止第2电极10在间隔壁3的端部断线。
[0144]如此，通过于接触区域31使间隔壁3形成顺锥形形状，于显示区域30使间隔壁3形成倒锥形形状，可薄化第2电极10、连接部23以及接触导体22的厚度，与现有技术相比，可缩短形成这些元件所需的时间。
[0145]第2电极10、连接部23以及接触导体22的厚度考虑需要的电阻以及成膜时间而设定，如10nm至1 μπι、优选为50nm至500nm、更优选为lOOnm至200nm。
[0146]此外如所述般第2电极10的基板2侧的表面，以随着自有机EL元件4的俯视观察的中央部C到靠近间隔壁3从基板2远离的方式所形成。换言之，由与第2电极10相接的有机EL层9以及间隔壁3所构成的面(有机EL层9的表面)，以随着自有机EL元件4的俯视观察的中央部C到靠近间隔壁3从基板2远离的方式所形成。通过使由与第2电极10相接的有机EL层9以及间隔壁3所构成的面以如此方式构成，可防止第2电极10在有机EL层9与间隔壁3的边界区域断线。
[0147]〈有机EL元件的构成〉
[0148]以下，进一步就本实施方式的有机EL元件的构成详细说明。有机EL元件具有作为有机EL层的至少1层发光层，但如上述般，有机EL层例如亦可含有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、以及电子注入层等。
[0149]本实施方式的有机EL元件所具备的层构成的例如以下所示。
[0150]a)阳极/发光层/阴极
[0151]b)阳极/空穴注入层/发光层/阴极
[0152]c)阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极
[0153]d)阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
[0154]e)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极
[0155]f)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极
[0156]g)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
[0157]h)阳极/发光层/电子注入层/阴极
[0158]i)阳极/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
[0159]此处，记号「/」表示夹住记号「/」的各层相互接合。
[0160]此外，于上述实施方式，就发挥阳极功能的第1电极6相对于第2电极10为配置于基板2附近的形态的有机EL元件说明，但本发明亦可适用于发挥阴极功能的第1电极6相对于第2电极10为配置于基板2附近的形态的有机EL元件。此外，有机EL元件例如于上述a)至i)的层构成中，可为于基板2从阳极开始依次设置将阴极设于最上层的形态，或于基板2从阴极开始依次设置将阳极设于最上层的形态。以下，说明有关于上述层构成的各构成要素。
[0161]〈基板〉
[0162]基板2宜使用在制造有机EL元件的步骤中无化学变化者，基板2例如可使用玻璃基板、塑料基板、高分子薄膜基板及硅基板、以及层叠这些而成的基板。
[0163]〈阳极〉
[0164]从发光层所放射的光经过阳极而射出至外界的构成的有机EL元件的情况下，于阳极使用显示透光性的电极。显示透光性的电极可使用金属氧化物、金属硫化物及金属等的薄膜，可适宜使用导电率及透光率高者。具体而言可使用由氧化铟、氧化锌、氧化锡、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，以下称为ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide，以下称为ΙΖ0)、金、铂、银及铜等所构成的薄膜，这些中亦可适宜使用由ΙΤΟ、ΙΖ0或氧化锡所构成的薄膜。阳极的制作方法可举例如真空蒸镀法、溅射法、离子镀覆法、镀敷法等。此外，就阳极而言，可使用含有聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等有机材料的透明导电膜。
[0165]〈阴极〉
[0166]阴极的材料宜为功函数小，且电子容易注入发光层，导电率高的材料。此外在从阳极侧取出光的构成的有机EL元件中，为了使从发光层所放射的光以阴极反射至阳极侧，就阴极的材料而言宜为对于可见光的反射率高的材料。阴极可使用例如碱金属、碱土金属、过渡金属及元素周期表第13族金属等。阴极的材料例如可使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属，所述金属中的2种以上的合金，所述金属中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上的合金，或石墨或者是石墨层间化合物等。合金的例可举镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。此外阴极可使用由导电性金属氧化物及导电性有机物等所构成的透明导电性电极。具体而言，导电性金属氧化物可举例如氧化铟、氧化锌、氧化锡、ΙΤ0、及ΙΖ0，导电性有机材料可举例如聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。此外，阴极可由2层以上的层叠体构成。另外，电子注入层亦有兼作为阴极的情形。
[0167]阴极的制作方法例如可举真空蒸镀法、离子镀覆法等。
[0168]阳极或阴极的厚度可考虑所要求的特性、制作步骤的简易性等而适当设定。阳极或阴极的厚度例如为10nm至10 μπι，优选为20nm至1 μ m，更优选为50nm至500nm。此外阳极及阴极中设置作为第2电极的电极如上所述，其厚度考虑需要的电阻以及制作时间而设定，如10nm至1 μ m，优选为50nm至500nm，更优选为lOOnm至200nm。
[0169]此外，电极布线20、连接部23以及接触导体22可使用作为阴极以及阳极的材料所例示的材料而制作。进一步地，连接部23以及接触导体22，优选使用与第2电极10相同的材料以相同步骤形成。此外电极布线20虽无使用与第1电极6或第2电极10相同的材料的必要，但优选为比第1电极6或第2电极10的电阻小，此外优选与接触导体22的接触电阻小。
[0170]〈空穴注入层〉
[0171 ] 构成空穴注入层的空穴注入材料的例可举例如氧化钒、氧化钼、氧化钌、及氧化铝等氧化物、苯基胺化合物、星爆(starburst)型胺化合物、酞菁化合物、非晶碳、聚苯胺以及聚噻吩衍生物等。
[0172]空穴注入层的制作方法可举例如使用含有空穴注入材料的溶液的涂布步骤。空穴注入层的制作方法例如通过预定的涂布法而涂布含有空穴注入材料的溶液，进一步通过将其固化而形成空穴注入层。
[0173]空穴注入层的厚度考虑所要求的特性及步骤的简易性等而适当设定。空穴注入层的厚度例如为lnm至1 μ m，优选为2nm至500nm，更优选为5nm至200nmo
[0174]〈空穴传输层〉
[0175]构成空穴传输层的空穴传输材料可举例如聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、于侧链或主链具有芳香族胺结构的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、或聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等。
[0176]空穴传输层的厚度考虑所要求的特性、制作步骤的简易性等而设定。空穴传输层的厚度例如为lnm至1 μ m，优选为2nm至500nm，更优选为5nm至200nmo
[0177]〈发光层〉
[0178]发光层一般主要含有发出焚光及/或磷光的有机材料(发光材料)、或者该有机材料与辅助其的掺杂材料。掺杂材料例如用以提升发光效率、改变发光波长而加入。另外，构成发光层的有机材料可为低分子化合物亦可为高分子化合物，通过涂布法而形成发光层时，发光层的材料优选含有高分子化合物。构成发光层的高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量例如为103至10s左右。构成发光层的发光材料可举例如以下的色素材料、金属络合物材料、高分子材料、掺杂材料。
[0179](色素材料)
[0180]色素材料可举例如环戊胺(cyclopentamine)衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、吡咯衍生物、含噻吩环结构的化合物、含吡啶环结构的化合物、紫环酮(perinone)衍生物、茈衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物等。
[0181](金属络合物材料)
[0182]金属络合物材料可举例如于中心金属具有Tb、Eu、Dy等稀土族金属、或Al、Zn、Be、Ir、Pt等，且于配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物，可举例如铱络合物、铂络合物等具有自三重态激发状态的发光的金属络合物、铝喹啉酚络合物、苯并喹啉酚铍络合物、苯并噁唑基锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、扑啉锌络合物、邻菲罗啉铕络合物等。
[0183](高分子材料)
[0184]高分子材料可举例如聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、将上述色素材料或金属络合物材料高分子化而成者等。
[0185]发光层的厚度通常约为2nm至200nm。
[0186]<电子传输层>
[0187]构成电子传输层的电子传输材料可使用公知的材料。构成电子传输层的电子传输材料可举例如噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰乙烯或其衍生物、联苯醌(diphenoquinone)衍生物、或8_轻喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。
[0188]电子传输层的厚度考虑所要求的特性、制作步骤的简易性等而适当设定。电子传输层的厚度例如为lnm至1 μ m，优选为2nm至500nm，更优选为5nm至200nmo
[0189]〈电子注入层〉
[0190]构成电子注入层的材料依发光层的种类而适当选择最佳的材料，可举例如碱金属、碱土金属、含有碱金属及碱土金属中的1种以上的合金、碱金属或碱土金属的氧化物、卤化物、碳酸盐、及这些物质的混合物等。碱金属、碱金属的氧化物、卤化物及碳酸盐的例可举例如锂、钠、钾、铷、铯、氧化锂、氟化锂、氧化钠、氟化钠、氧化钾、氟化钾、氧化铷、氟化铷、氧化铯、氟