高频模块的制作方法_2

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39]滤波部20具有第1串联连接端子P21、第2串联连接端子P22、第1并联连接端子P23UP232、以及第2并联连接端子P24。第1串联连接端子P21经由后述的串联连接型的匹配电路或并联连接型的匹配电路与第1外部连接端子P1相连接。第2串联连接端子P22经由后述的串联连接型的匹配电路或并联连接型的匹配电路与第2外部连接端子P2相连接。
[0040]第1并联连接端子P231经由电感器50与接地相连接。第1并联连接端子P232经由电感器51与接地相连接。第2并联连接端子P24经由电感器60与接地相连接。电感器60相当于本发明的“电感器”。
[0041 ]滤波部20 具有多个 SAW 谐振器 201、202、203、204、205、206、207、208 (以下,在一并说明多个SAW谐振器的情况下简单地称为多个SAW谐振器201?208)。这些SAW谐振器相当于本发明的“串联连接型滤波元件”。此外,还具备多个SAW谐振器211、212、213、214。SAW谐振器212相当于本发明的“第1并联连接型滤波元件” AAW谐振器213相当于本发明的“第2并联连接型滤波元件”。
[0042]多个SAW谐振器201?208、211、212、213、214分别具有谐振频率,起到分别具有各自的带通特性的带通滤波器(BPF)的作用。多个SAW谐振器201?208利用多个连接线串联连接在第1串联连接端子P21和第2串联连接端子P22之间。
[0043]SAW谐振器211连接在用于连接SAW谐振器202和SAW谐振器203的连接线和第1并联连接端子P231之间。SAW谐振器214连接在用于连接SAW谐振器204和SAW谐振器205的连接线和第1并联连接端子P232之间。
[0044]SAW谐振器212连接在用于连接SAW谐振器206和SAW谐振器207的连接线和第2并联连接端子P24之间。SAW谐振器213连接在用于连接SAW谐振器208和第2串联连接端子P22的连接线与第2并联连接端子P24之间。即,第2并联连接端子P24对SAW谐振器212、213而言是共通的端子,将这些SAW谐振器212、213的一端一并连接到接地。
[0045]将SAW谐振器206与SAW谐振器207连接的连接线相当于本发明的“第1连接线”。将SAW谐振器208与第2串联连接端子P22连接的连接线相当于本发明的“第2连接线”。
[0046]通过上述结构,滤波部20构成所谓阶梯形连接型滤波器,通过组合SAW谐振器201?208、211、212、213、214的带通特性及衰减特性,来实现作为滤波部20所希望实现的带通特性及通频带以外的衰减特性。另外,SAW谐振器的数量或配置可以适当地进行变更,以获得想要通过的信号的频带及在通频带以外的所希望的衰减特性。
[0047]对于上述这种高频模块11、12、13、14的共通电路结构,各高频模块具体由下述电路结构构成。
[0048](第1电路例)
图1所示的高频模块11包括串联连接型的匹配电路41、42。另外,也可以省略匹配电路41、42的其中一方。
[0049]匹配电路41连接在滤波部20的第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间。匹配电路41具体而言是图5(A)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电感器41L,或者是图5 (B)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电容器41C。匹配电路41的元件值(电感或电容)被设定为实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
[0050]匹配电路42连接在滤波部20的第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间。匹配电路42具体而言是图5(E)所示的串联连接在第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间的电感器42L,或者是图5 (F)所示的串联连接在第2串联连接端子P22与第2外部连接端子P2之间的电容器42C。匹配电路42的元件值(电感或电容)被设定为实现第2外部连接端子P2侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
[0051 ]另外,匹配电路41、42的至少一方与电感器60电感耦合,或与构成电感器60的导体的至少一部分电容耦合。若进行耦合的匹配电路是电感器,则该匹配电路与电感器60电感親合、或与构成电感器60的导体的至少一部分电容親合。若进行親合的匹配电路是电容器,则该匹配电路与构成电感器60的导体的至少一部分电容親合。
[0052]例如,若匹配电路41是电感器41L,则电感器41L与电感器60电感耦合,或与构成电感器60的导体的至少一部分电容親合。若匹配电路41是电容器41C,则电容器41C与构成电感器60的导体的至少一部分电容耦合。
[0053]此外,例如若匹配电路42是电感器42L,则电感器42L与电感器60电感耦合,或与构成电感器60的导体的至少一部分电容親合。若匹配电路42是电容器42C,则电容器42C与构成电感器60的导体的至少一部分电容耦合。
[0054]通过构成上述结构,进行耦合的电感和匹配电路进行高频连接。例如在匹配电路41是电感器41L、且电感器41L和电感器60电感耦合的情况下(参照图1),在电感器41L(匹配电路41)和电感器60之间构成具有互感的电感耦合电路。由此,在第1外部连接端子P1和第2外部连接端子P2之间,不会仅在将滤波部20作为传输路径的主传输路径中传输高频信号,高频信号的一部分也会在将电感器41L(匹配电路41)、电感耦合电路及电感器60作为传输路径的副传输路径中进行传输。
[0055]由此,作为高频模块11,就具有了由主传输路径的传输特性和副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。
[0056]这里,通过调整进行耦合的匹配电路与电感器的耦合方式及耦合度,能够调整在副传输路径中传输的高频信号的振幅和相位。换言之,能够调整副传输路径的传输特性。传输特性是指例如衰减特性(振幅特性)、相位特性。
[0057]并且,通过调整该耦合方式及耦合度,能够获得下述效果:能够仅由通频带以外的衰减特性受到因设置了副传输路径而产生的影响,而几乎不会给高频模块11的想要通过的高频信号(所希望的高频信号)的频带的传输特性带来影响。
[0058]于是,通过如上述那样调整副传输路径的传输特性,能够调整高频模块11的传输特性。例如,如后述那样,能够调整通频带以外的衰减特性。
[0059]此时,无需另外设置现有结构那样的用于调整高频滤波器的传输特性的电感器、电容器,因此能够以简单的结构实现具有所希望的衰减特性的高频滤波器。由此,能够使高频滤波器小型化。
[0060]另外,上述耦合所产生的互感分量能够使电感器41L(匹配电路41)及电感器60的有效电感值相应地增大。由此,能够进一步缩短电感器41L及电感器60的线路长度。
[0061](第2电路例)
图2所示的高频模块12包括并联连接型的匹配电路43、44。另外,也可以省略匹配电路43、44的其中一方。
[0062]匹配电路43连接在对滤波部20的第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401与接地之间。匹配电路43具体而言是图5 (C)所示的连接在对第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401与接地之间的电感器43L,或者是图5(D)所示的连接在对第1串联连接端子P21和第1外部连接端子P1进行连接的连接线401与接地之间的电容器43C。匹配电路43的元件值(电感或电容)被设定为实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
[0063]匹配电路44连接在对滤波部20的第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402与接地之间。匹配电路44具体而言是图5 (G)所示的连接在对第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402与接地之间的电感器44L,或者是图5(H)所示的连接在对第2串联连接端子P22和第2外部连接端子P2进行连接的连接线402与接地之间的电容器44C。匹配电路44的元件值(电感或电容)被设定为实现第2外部连接端子P2侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配的元件值。
[0064]另外,匹配电路43、44的至少一方与电感器60电感耦合,或与构成电感器60的导体的至少一部分电容耦合。若进行耦合的匹配电路是电感器,则该匹配电路与电感器60电感親合、或与构成电感器60的导体的至少一部分电容親合。若进行親合的匹配电路是电容器,则该匹配电路与构成电感器60的导体的至少一部分电容親合。
[0065]例如,若匹配电路43是电感器43L,则电感器43L与电感器60电感耦合,或与构成电感器60的导体的至少一部分电容親合。若匹配电路43是电容器43C,则电容器43C与构成电感器60的导体的至少一部分电容耦合。
[0066]此外,例如若匹配电路44是电感器44L,则电感器44L与电感器60电感耦合,或与构成电感器60的导体的至少一部分电容親合。若匹配电路44是电容器44C,则电容器44C与构成电感器60的导体的至少一部分电容耦合。
[0067]通过构成上述结构,进行耦合的电感和匹配电路进行高频连接。例如,在匹配电路44是电容44C、且电容44C和构成电感60的导体电容耦合的情况下(参照图2),在电容44C(匹配电路44)和构成电感60的导体之间构成具有耦合电容的电容耦合电路。由此,在第1外部连接端子P1和第2外部连接端子P2之间,不会仅在将滤波部20作为传输路径的主传输路径中传输高频信号,高频信号的一部分也会在将电感60、电容耦合电路及电容44C(匹配电路44)作为传输路径的副传输路径中进行传输。
[0068]由此,作为高频模块12,就具有了由主传输路径的传输特性和副传输路径的传输特性合成而得到的合成传输特性。
[0069]在采用这种结构的高频模块12中,也与上述高频模块11同样地能够以比现有结构简单的结构来实现所希望的衰减特性。
[0070](第3电路例)
图3所示的高频模块13具有串联连接型的匹配电路41和并联连接型的匹配电路44。
[0071]匹配电路41连接在滤波部20的第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间。匹配电路41具体而言是图5(A)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电感器41L,或者是图5 (B)所示的串联连接在第1串联连接端子P21与第1外部连接端子P1之间的电容器41C。匹配电路41的元件值(电感或电容)被设定为实现第1外部连接端子P1侧所连接的电路与滤波部20之间的阻抗匹配
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