一种加密防拆设备及其光检测电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及光晶体管领域，尤其涉及一种加密防拆设备及其光检测电路。
【背景技术】
[0002]光晶体管是由双极性晶体管或者场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区被吸收，就产生了光生载流子，通过内部的电放大单元，从而产生了光电流增益，也就是光照强度可以控制光晶体管通过的电流。但是光晶体管的灵敏度易受温度影响，稳定性较差。对于一般使用光晶体管设计的光检测电路，会有随温度变化而稳定性也发生变化的缺点，特别是在极限温度情况下，容易出现检测错误等的严重问题。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述稳定性差的缺陷，提供一种稳定性好的加密防拆设备及其光检测电路。
[0004]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种光检测电路，包括光晶体管，还包括:
[0005]分压电阻；
[0006]串联在分压电阻与光晶体管之间且用于对光晶体管在温度变化时的内阻进行补偿的热敏电阻；
[0007]用于对内阻得到补偿后的光晶体管的电压进行采样的采样单元；
[0008]连接于所述采样单元，且用于判断采样电压是否达到预设值，并在达到预设值时进行相应触发的控制单元。
[0009]进一步地，所述热敏电阻为负温度系数的热敏电阻，而且，所述分压电阻的第一端连接高电平，所述分压电阻的第二端连接所述负温度系数的热敏电阻的第一端，所述负温度系数的热敏电阻的第二端连接所述光晶体管的集电极，所述光晶体管的发射极接地，所述光晶体管的集电极为所述光晶体管的电压采样端。
[0010]进一步地，所述热敏电阻为正温度系数的热敏电阻，而且，所述分压电阻的第一端连接高电平，所述分压电阻的第二端连接所述正温度系数的热敏电阻的第一端，所述正温度系数的热敏电阻的第二端连接所述光晶体管的集电极，所述光晶体管的发射极接地，所述正温度系数的热敏电阻的第一端为所述光晶体管的电压采样端。
[0011]进一步地，所述采样单元包括三极管和下拉电阻，其中，所述三极管的基极连接所述电压采样端，所述三极管的发射极连接高电平，所述三极管的集电极通过所述下拉电阻接地，而且，所述三极管的集电极连接所述控制单元的检测端。
[0012]进一步地，还包括连接在所述高电平和所述三极管的发射极之间的第一电阻。
[0013]进一步地，还包括连接在所述电压采样端和所述三极管(Ql)的基极之间的第二电阻。
[0014]本实用新型还构造一种加密防拆设备，包括壳体及设置在所述壳体内的光检测电路，所述光检测电路为以上所述的光检测电路。
[0015]进一步地，所述控制单元为当检测到采样电压达到预设值时进行自毁触发的加密ICo
[0016]实施本实用新型的技术方案，由于热敏电阻可对光晶体管在温度变化时的内阻进行补偿，所以，即使光晶体管在温度过高或过低的环境下也能保持和常温下相近的内阻值，解决了光晶体管在高低温工作时存在检测误差的问题，工作稳定性好，因此该光检测电路的温度范围较宽，可适用于恶劣的工作环境。而且，该光检测电路的结构简单，对电路的功耗要求低，占用PCB的空间小。
【附图说明】
[0017]下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中:
[0018]图1是本实用新型光检测电路实施例一的逻辑图；
[0019]图2是本实用新型光检测电路实施例二的电路图；
[0020]图3是本实用新型光检测电路实施例三的电路图；
[0021]图4是本实用新型光检测电路实施例四的电路图。
【具体实施方式】
[0022]图1是本实用新型光检测电路实施例一的逻辑图，该实施例的光检测电路包括分压电阻Rl、热敏电阻TC、光晶体管Q2、采样单元10和控制单元20，其中，分压电阻Rl、热敏电阻TC、光晶体管Q2依次串联，而且，热敏电阻TC用于对光晶体管Q2在温度变化时的内阻进行补偿，从而使光晶体管Q2即使在温度变化时也能保持和常温下相近的内阻值。采样单元10用于对内阻得到补偿后的光晶体管(Q2)的电压进行采样。控制单元20连接于采样单元10，且用于判断采样电压是否达到预设值，并在达到预设值时进行相应触发。
[0023]实施该实施例的光检测电路，由于热敏电阻可对光晶体管在温度变化时的内阻进行补偿，所以，即使光晶体管在温度过高或过低的环境下也能保持和常温下相近的内阻值，解决了光晶体管在高低温工作时存在检测误差的问题，因此该光检测电路的温度范围较宽，可适用于恶劣的工作环境。而且，该光检测电路的结构简单，对电路的功耗要求低(采用小容量的纽扣电池供电即可)，占用PCB的空间小。
[0024]图2是本实用新型光检测电路实施例二的电路图，首先说明的是的，在该实施例中，热敏电阻选用负温度系数的热敏电阻NTC。该实施例的光检测电路包括分压电阻R1、热敏电阻NTC、光晶体管Q2、采样单元和控制单元(未示出)。其中，分压电阻Rl的第一端(A点处)连接高电平(Vcc )，分压电阻Rl的第二端连接热敏电阻NTC的第一端，热敏电阻NTC的第二端(B点处)连接光晶体管Q2的集电极，光晶体管Q2的发射极接地，B点为光晶体管Q2的电压采样端。采样单元包括三极管Ql和下拉电阻R2，而且，三极管Ql的基极连接电压采样端(B点处)，三极管Ql的发射极连接高电平(A点处)，三极管Ql的集电极通过下拉电阻R2接地，而且，三极管Ql的集电极(C点处)连接控制单元的检测端(未示出)。
[0025]下面说明该光检测电路的工作原理:
[0026]首先说明的是，B点处的电压随光晶体管Q2的光照度变化而变化，当光照度越弱，B点处的电压越接近A点处的电压；当光照强度越强，B点处与A点处的电压差越接近三极管Ql的导通电压，直到等于三极管Ql的导通电压。另外，预设定光强度触发门限使C点处的电压大于等于控制单元的触发电平时，三极管Ql工作在放大区域，灵敏度最高。
[0027]正常情况下，光晶体管Q2处在完全黑暗环境中，C点处的电压约等于0V，控制单元处于未被触发状态。当异常发生时，光晶体管Q2受到光照后，其内阻减小，漏电流增大，导致B点处的电压下降，当B点的电压下降幅度(B点处与A点处的电压差)超过0.7V时，三极管Ql导通，C点处为高电